《矽單晶拋光片》是2019年6月1日實施的一項中國國家標準。
基本介紹
- 中文名：矽單晶拋光片
- 外文名：Monocrystalline silicon polished wafers
- 標準號：GB/T 12964-2018
- 中國標準分類號：H82
編制進程,起草工作,
編制進程
2018年9月17日，《矽單晶拋光片》發布。
2019年6月1日，《矽單晶拋光片》實施。
起草工作
主要起草人：孫燕、盧立延、樓春蘭、楊素心、徐新華、張海英、潘金平、張雪囡。
《矽單晶拋光片》是2019年6月1日實施的一項中國國家標準。
《矽單晶拋光片》是2019年6月1日實施的一項中國國家標準。編制進程2018年9月17日，《矽單晶拋光片》發布。2019年6月1日，《矽單晶拋光片》實施。1起草工作主要起草單位：有研半導體材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份...
國家標準《積體電路用低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片》（GB/T 41325-2022）是2022年10月1日實施的一項中華人民共和國國家標準，歸口於全國半導體設備和材料標準化技術委員會。該標準規定了低密度晶體原生凹坑矽單晶拋光片的技術要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標誌、運輸、貯存、隨行檔案及訂貨單內容。該標準適用於對...
《200 mm重摻磷直拉矽單晶拋光片》是2018年11月01日實施的一項行業標準。起草人 本標準主要起草人：許峰、朱華英、陳平人、田達晰、梁興勃、劉紅方、李方虎、李艷玲。起草單位 本標準由浙江省標準化研究院牽頭組織制定。 本標準主要起草單位：浙江金瑞泓科技股份有限公司。 本標準參與起草單位：金瑞泓科技（衢州）有限...
《矽單晶拋光片的加工技術》是2005年8月化學工業出版社出版的圖書，作者是張厥宗。內容簡介 本書在內容上採取由淺入深的方式，在介紹半導體矽及積體電路有關知識的同時，簡單介紹半導體工業及國內、國外半導體材料矽單晶、拋光片技術的發展和動態，重點闡述了矽單晶拋光片的加工製備技術，大直徑矽片的運、載，矽單晶、...
《矽拋光片表面質量目測檢驗方法(GB/T 6624-2009)》代替GB/T 6624—1995《矽拋光片表面質量目測檢驗方法》。本標準與原標準相比主要有如下變化：修改了高強度匯聚光源照度要求，由不小於16000 lx改為不小於230000 lx：增加了淨化室級別要求；擴大了照度計測量範圍為0 lx～330000 lx：增加了測量長度工具；更改檢測...
主要產品為：Ф76.2mm～200mmCZ矽單晶，Ф76.2mm～150mm重摻矽單晶，Ф76.2mm～200mm矽單晶切割、研磨片及Ф76.2mm～150mm矽單晶拋光片，其中大直徑重摻砷矽單晶被國家經貿委和科技部列為國家重點新產品，空間用太陽能級矽單晶片因其光電轉換效率高、可靠性好，一直被廣泛用於我國航空航天領域，從第一顆東方...
guipian zhibei 矽片製備 的單晶矽片的工藝，、化學腐蝕、拋光，以及幾何尺寸和表面質量檢測等工序。滾磨 切片前先將矽單晶棒研磨成具有精確直徑的單晶棒,再沿單晶棒的晶軸方向研磨出主、次參考面,用氫氟酸、硝酸和冰醋酸的混合液腐蝕研磨麵，稱為減徑腐蝕。切割 也稱切片，把矽單晶棒切成所需形狀的矽片（如圓片）...
外延片襯底單晶也用直拉法生產。矽單晶商品多製成拋光片，但對FZ單晶片與CZ單晶片須加以區別。外延片是在矽單晶片襯底（或尖晶石、藍寶石等絕緣襯底）上外延生長矽單晶薄層而製成，大量用於製造雙極型積體電路、高頻電晶體、小功率電晶體等器件。單晶矽的套用 單晶矽在太陽能電池中的套用，高純的單晶矽是重要的...
對矽單晶錠需經切片、研磨或拋光(見半導體晶片加工)後，提供給器件生產者使用。某些器件還要求在拋光片上生長一層矽外延層，此種材料稱矽外延片。非晶矽材料具有連續無規的格線結構，最近鄰原子配位數和結晶矽一樣，仍為4，為共價鍵合，具有短程有序，但是，鍵角和鍵長在一定範圍內變化。由於非晶矽也具有分開的...
公司發展重點是4"、5"、6"矽拋光、外延片、重摻單晶及太陽能電池用單晶項目。保證電路級4"、5"、6"矽拋光片年產4500萬平方英寸的生產規模；重摻矽單晶實現規模生產；太陽能用矽單晶/矽片產量達到500噸。計畫2010年實現銷售收入9億元左右，利稅1.5億元以上。立爭在外延片和8"矽拋光片技術上取得突破，具備產業...
2003年11月研製成功ф12"矽單晶拋光片 2003年12月公司6英寸重摻矽單晶拋光片被評為中關村科技園2002年度“百項表彰拳頭產品”2004年6月公司矽單晶拋光片系列產品被海淀區人民政府評為中關村科技園區海淀園2003年度“百項表彰拳頭產品”2004年6月公司被海淀區人民政府評為中關村科技園區海淀園2003年度“優秀新技術企業”...
公司已形成具有自主智慧財產權的技術及產品品牌，在國內外市場具有較高的知名度和影響力，是中國矽材料行業的領頭羊。公司是中國最大具有國際先進水平半導體材料研究，開發，生產重要基地。要點五：單晶矽產品 2010年，公司除占比較大的5，6英寸矽單晶拋光片產品外，重點進行的8英寸產品技術攻關和客戶開發工作進展順利，有...
2003年11月研製成功ф12"矽單晶拋光片；2003年12月公司6英寸重摻矽單晶拋光片被評為中關村科技園2002年度“百項表彰拳頭產品”；2004年6月公司矽單晶拋光片系列產品被海淀區人民政府評為中關村科技園區海淀園2003年度“百項表彰拳頭產品”；2004年6月公司被海淀區人民政府評為中關村科技園區海淀園2003年度“優秀新技術...
晶片用矽晶片的加工技術是一本2021年出版的圖書，由化學工業出版社出版 內容簡介 《晶片用矽晶片的加工技術》由淺入深地介紹了半導體矽及積體電路的有關知識，並著重對滿足納米積體電路用優質大直徑300mm矽單晶拋光片和太陽能光伏產業用晶體矽太陽電池晶片的製備工藝、技術，以及對生產工藝廠房的設計要求進行了全面系統...
內蒙古晟納吉光伏材料有限公司是一個以研究開發與生產製造為一體化的高科技電子矽材料製造企業。主要生產經營重摻半導體級矽單晶棒、矽拋光片、太陽能電池級矽單晶棒、矽單晶片、和大直徑8－18英寸的矽單晶棒，同時也加工為此配套的摻雜劑、籽晶、石墨熱系統等一系列相關產品。 晟納吉公司成立於2006年元月份，坐...
廣泛涉足包括SOI材料在內的新型半導體材料的研究與開發，適時開展線寬0.13μmIC用8英寸矽單晶拋光片、8-12英寸光電外延片的產業化項目。使公司年銷售規模達到8-10億元人民幣，成為全球半導體材料行業排名前十位的知名供應廠商。力爭在經過20-30的努力成長為全球半導體材料一流的製造商。研發中心 寧波立立電子股份有限...
多晶矽、積體電路常用的矽拋光片、外延片、SOI片, 以及IC 製造過程中的氧化、塗光刻膠、掩模對準、曝光、顯影、腐蝕、清洗、擴散、封裝等工藝所需的引線框架、塑封料、鍵合金絲、超淨高純化學試劑、超高純氣體等均屬於微電子材料。微電子材料 主要是大直徑（400mm）矽單晶及片材技術，大直徑（200mm）矽片外延技術，...
1996年9月10日，我院舉行大直徑矽單晶片科技產業化重點工程奠基儀式。陳同海、劉劍鋒、胡昭廣、吳建常等同志出席。2001年2月27日，國家8英寸矽單晶拋光片高技術產業化示範工程在我院竣工投產。張國寶、劉海燕、康義等同志出席儀式。2001年12月15日，6英寸區熔矽單晶和重摻砷矽單晶生產基地在北京順義林河開發區奠基。
3.2.2 矽材料的晶體結構19 3.2.3 矽材料的電學性質21 3.2.4 矽材料的熱學性質22 3.2.5 矽材料的機械性質22 3.3 矽單晶的製備技術22 3.3.1 高純矽的製備22 3.3.2 矽的提純技術23 3.3.3 矽的晶體生長24 3.3.4 晶體中雜質與缺陷28 3.4 積體電路矽襯底加工技術37 3.4.1 矽單晶拋光片的...
2005年5月，6英寸重摻砷矽單晶及拋光片項目獲得了北京市科學技術一等獎；2005年11月，重摻砷矽單晶及拋光片獲國家科學技術進步二等獎；2008年獲得中國專利金獎。企業文化 為加強管理，公司搭建了具有國泰特色的管理模式，建立了符合ISO9000要求的質量體系。展望明天，我們充滿信心。國泰公司將秉承“實施高效管理，生產...
蘇州協鑫光伏科技有限公司句容分公司 蘇州協鑫光伏科技有限公司句容分公司於2019年01月11日成立。法定代表人瞿述良，公司經營範圍包括：太陽能級及電子級多晶矽片、直徑200mm以上矽單晶及拋光片生產與研發，太陽能電池及組件的研發，銷售自產產品並提供相關技術服務等。
1.超大規模積體電路用直拉單晶及拋光片的生產線；2.功率器件用區熔矽單晶及晶片生產線；3.光電子器件用Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體單晶及晶片的生產線。主要產品 1、φ3" －φ8" 直拉矽單晶及拋光片；2、φ3"、φ4"區熔矽單晶及晶片 3、φ2"、φ3" Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體（直拉及水平砷化鎵、磷化鎵、銻化鎵...
根據協定，三方擬組建成立半導體矽材料產業合資公司，以提升半導體矽片規模化生產技術，擴大產能，增強核心競爭力，形成品牌效應，促進我國積體電路半導體矽片產業跨越式發展，努力實現半導體矽材料的自主可控，形成較為完整的產業鏈。合資公司業務產品定位為半導體矽材料，包括直拉矽單晶及拋光片、區熔矽單晶及拋光片、大直徑...
擴大8—12英寸矽單晶拋光片和外延片產能，加快6英寸半絕緣砷化鎵等研發生產。開發生產高精度、高穩定性、高功率光纖材料，提升光電功能晶體材料研究開發和產業化水平。推動氟化氬光刻膠、正性光刻膠材料綠色發展，改進光刻膠用光引發劑等高分子助劑材料性能，提升拋光液材料環保性。推進聚碳酸脂類改性材料在智慧型硬體...