《相變存儲器》是科學出版社2010年出版的圖書,作者是宋志棠。
《相變存儲器》是科學出版社2010年出版的圖書,作者是宋志棠。
相變存儲器,簡稱PCM,相變存儲器就是利用特殊材料在晶態和非晶態之間相互轉化時所表現出來的導電性差異來存儲數據的。相變存儲器通常是利用硫族化合物在晶態和...
相變存儲技術(PCM) 作為新一代存儲技術,利用特殊材料在晶態和非晶態之間相互轉換的相變來儲存數據,其晶片目前廣泛使用的核心材料是GST(由鍺銻碲按比例混合而成)...
《相變存儲器》是科學出版社2010年出版的圖書,作者是宋志棠。...... 《相變存儲器》是科學出版社2010年出版的圖書,作者是宋志棠。書名 相變存儲器 作者 宋志棠 ...
《相變存儲器與套用基礎》介紹了相變存儲器及其材料、器件結構、選通器件與晶片的研究現狀,分析了幾種新型相變材料、相變材料的微觀結構與相變機理,詳細敘述了雙...
相變化記憶體(Phase-change memory,Ovonic Unified Memory,Chalcogenide RAM,簡稱PCM, PRAM, PCRAM, CRAM),又譯為相變位記憶體,是一種非易失性存儲器裝置。PRAM 使用...
Flash 存儲器是最常見的非揮發性存儲器,近些年,隨著科學技術的發展,出現了一些新型非揮發性存儲器,如:鐵電存儲器(FRAM)、相變存儲器(PRAM)、磁存儲器(MRAM)和...
以快閃記憶體(flashmemory)為代表的塊定址非易失性存儲器已經廣泛套用於嵌入式系統、桌面系統及數據中心等系統中。位元組定址的非易失性存儲器主要包括相變存儲器(phase ...
PCRAM 又稱 PCM、OUM(Ovonic UnifiedMemory)和 CRAM(Chalcogenide Random AccessMemory),是一種利用相變材料(一種或多種硫系化合物薄膜)作為存儲介質,通過相變材料...
其他的候選有可變電阻式存儲器、相變存儲器和自旋轉移矩磁性隨機存儲器等。MRAM寫入方式 編輯 寫入操作通過磁隧道結中自由層的磁化翻轉來實現。早期的MRAM直接採用...
[3] ,武漢國際微電子學院副院長[4] ,武漢光電國家實驗室信息存儲材料及器件...主要研究方向:相變存儲器、憶阻器、磁存儲、光存儲等。近5年來主持承擔了國家...
其他的候選有可變電阻式存儲器、相變存儲器和自旋轉移矩磁性隨機存儲器等。[1] TAS-MRAM工作原理 編輯 由一隻三極體、一隻磁隧道結(magnetic tunnel junction,MTJ)...
隨著存儲單元的縮小,GST材料的體積也在縮小,這使得PCM復用設備具有縮放性。PCM復用設備結論 相變存儲器是一種很有發展前景的存儲技術,當前再次引起了研究人員的注意...
負責建立了納米技術實驗室,創建了納電子材料與器件學科,與產業結合率先在國內開展相變存儲器(PCRAM)的研發,培養與組建了100人產、學、研緊密結合、高水平的研發...
同時研究了納米浮柵存儲器和相變存儲器,創新性地將埋嵌於HfO2、HfAlO等高k介質材料中納米Ge晶套用於納米浮柵存儲器,並在開闢C-RAM新研究方向做了大量的工作。...