《相變存儲器與套用基礎》介紹了相變存儲器及其材料、器件結構、選通器件與晶片的研究現狀，分析了幾種新型相變材料、相變材料的微觀結構與相變機理，詳細敘述了雙溝道外延二極體陣列器件的設計與關鍵工藝，相變存儲器晶片設計、測試，並介紹了相變存儲器的若干套用領域。《相變存儲器與套用基礎》是在完成國家科技02重大專項、國家重點基礎研究發展計畫、國家高技術研究發展計畫等項目過程中，對相變存儲器方面進行的較為詳細的階段性總結。 《相變存儲器與套用基礎》可供材料、半導體器件、積體電路設計、測試等相關專業的研究生、科技人員和教學人員參考。
基本介紹
- 書名：相變存儲器與套用基礎
- 出版社：科學出版社
- 頁數：199頁
- 開本：5
- 作者：宋志棠
- 出版日期：2013年9月1日
- 語種：簡體中文
- 品牌：科學出版社
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
宋志棠編著的《相變存儲器與套用基礎(精)》圍繞PCRAM的研究現狀，自主A1SbTe、TiSbTe等新型相變材料，第一性原理計算及相變機理，雙溝道外延二極體陣列器件及其關鍵技術，40nm相變存儲器晶片設計以及存儲晶片測試與套用等方面作詳細介紹。本書可供材料、半導體器件、積體電路設計、測試等相關專業的研究生、科技人員和教學人員參考。
圖書目錄
前言
第1章 緒論
1.1 半導體存儲器簡介
1.2 相變存儲器綜述
1.3 相變存儲器研究現狀
1.3.1 相變存儲器材料研究
1.3.2 相變存儲器結構研究
1.3.3 相變存儲器選通器件研究
1.3.4 相變存儲器晶片研究
參考文獻
第2章 新型相變材料與工程化
2.1 AlxSb2Te3相變材料
2.1.1 AlxSb2Te3材料的製備和表征
2.1.2 AlxSb2Te3器件的製備和表征
2.2 AlxSb3Te相變材料
2.2.1 AlxSb3Te材料的製備和表征
2.2.2 AlxSb3Te器件的製備和表征
2.3 Al2Te3—Sb2Te3體系相變材料
2.3.1 AI2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6材料的製備和表征
2.3.2 Al2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6器件的製備和表征
2.4 快速TiSbTe相變材料
2.4.1 TiSbTe材料的製備與表征
2.4.2 TiSbTe器件的製備與表征
2.5 Si2Sb2Tex系列相變材料
2.6 SiSbTe相變材料的工程化
2.6.1 SiSbTe材料的製備與表征
2.6.2 SiSbTe器件的製備和表征
參考文獻
第3章 相變材料結構與相變機理
3.1 矽摻雜Sb2Te3相變材料第一性原理計算
3.1.1 SixSb2Te3相變材料的第一性原理計算
3.1.2 Si3Sb2Te3相變材料的分子動力學模擬
3.2 低濃度鋁摻雜Sb2Te3相變材料的從頭算研究
3.2.1 鋁摻雜銻碲相變材料的特點
3.2.2 鋁摻雜銻碲相變材料的第一性原理計算研究
3.2.3 Al—Sb2Te3相變材料的分子動力學模擬與結果討論
3.3 微觀結構與相變行為研究
3.3.1 研究方法
3.3.2 相變存儲材料Ge2Sb2Te5
3.3.3 相變存儲材料Si2Sb2Te5
參考文獻
第4章 二極體陣列器件及其高密度相變存儲器
4.1 雙溝道外延二極體陣列器件設計
4.1.1 相變存儲器工作原理
4.1.2 二極體陣列器件設計
4.1.3 二極體陣列器件性能分析
4.2 二極體陣列器件及相變存儲器晶片
4.2.1 雙溝道外延二極體陣列器件
4.2.2 二極體選通的相變存儲器陣列單元
4.2.3 二極體選通的相變存儲器晶片
參考文獻
第5章 相變存儲器晶片設計
5.1 相變存儲器晶片的系統框架
5.2 相變存儲單元及陣列設計
5.3 控制邏輯設計
5.4 解碼電路
5.5 輸入輸出電路
5.6 寫模組電路
5.7 電流脈衝寬度可調電路
5.8 帶隙基準電路
5.9 讀出電路
5.10 預讀校驗寫入算法
5.11 PCRAM晶片測試結果
參考文獻
第6章 相變存儲器測試與套用
6.1 相變存儲器的測試概述
6.2 相變材料測試
6.3 相變存儲器件測試
6.3.1 測試系統的軟硬體條件
6.3.2 相變存儲器初始化操作
6.3.3 非累積性擦操作測試方法
6.4 分立相變器件的標準測試流程
6.4.1 分立相變器件的標準測試流程
6.4.2 基於標準化自動測試流程的數據分析算法
6.5 相變存儲陣列及存儲晶片測試
6.5.1 晶片級測試系統硬體簡介
6.5.2 小容量相變存儲陣列的電流驅動方法
6.5.3 基於1Kb的相變存儲陣列測試系統
6.6 兆位級相變存儲器晶片測試方法研究
6.7 相變存儲器的套用
參考文獻
索引
第1章 緒論
1.1 半導體存儲器簡介
1.2 相變存儲器綜述
1.3 相變存儲器研究現狀
1.3.1 相變存儲器材料研究
1.3.2 相變存儲器結構研究
1.3.3 相變存儲器選通器件研究
1.3.4 相變存儲器晶片研究
參考文獻
第2章 新型相變材料與工程化
2.1 AlxSb2Te3相變材料
2.1.1 AlxSb2Te3材料的製備和表征
2.1.2 AlxSb2Te3器件的製備和表征
2.2 AlxSb3Te相變材料
2.2.1 AlxSb3Te材料的製備和表征
2.2.2 AlxSb3Te器件的製備和表征
2.3 Al2Te3—Sb2Te3體系相變材料
2.3.1 AI2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6材料的製備和表征
2.3.2 Al2Te3，Sb2Te3和Al2Sb2Te6器件的製備和表征
2.4 快速TiSbTe相變材料
2.4.1 TiSbTe材料的製備與表征
2.4.2 TiSbTe器件的製備與表征
2.5 Si2Sb2Tex系列相變材料
2.6 SiSbTe相變材料的工程化
2.6.1 SiSbTe材料的製備與表征
2.6.2 SiSbTe器件的製備和表征
參考文獻
第3章 相變材料結構與相變機理
3.1 矽摻雜Sb2Te3相變材料第一性原理計算
3.1.1 SixSb2Te3相變材料的第一性原理計算
3.1.2 Si3Sb2Te3相變材料的分子動力學模擬
3.2 低濃度鋁摻雜Sb2Te3相變材料的從頭算研究
3.2.1 鋁摻雜銻碲相變材料的特點
3.2.2 鋁摻雜銻碲相變材料的第一性原理計算研究
3.2.3 Al—Sb2Te3相變材料的分子動力學模擬與結果討論
3.3 微觀結構與相變行為研究
3.3.1 研究方法
3.3.2 相變存儲材料Ge2Sb2Te5
3.3.3 相變存儲材料Si2Sb2Te5
參考文獻
第4章 二極體陣列器件及其高密度相變存儲器
4.1 雙溝道外延二極體陣列器件設計
4.1.1 相變存儲器工作原理
4.1.2 二極體陣列器件設計
4.1.3 二極體陣列器件性能分析
4.2 二極體陣列器件及相變存儲器晶片
4.2.1 雙溝道外延二極體陣列器件
4.2.2 二極體選通的相變存儲器陣列單元
4.2.3 二極體選通的相變存儲器晶片
參考文獻
第5章 相變存儲器晶片設計
5.1 相變存儲器晶片的系統框架
5.2 相變存儲單元及陣列設計
5.3 控制邏輯設計
5.4 解碼電路
5.5 輸入輸出電路
5.6 寫模組電路
5.7 電流脈衝寬度可調電路
5.8 帶隙基準電路
5.9 讀出電路
5.10 預讀校驗寫入算法
5.11 PCRAM晶片測試結果
參考文獻
第6章 相變存儲器測試與套用
6.1 相變存儲器的測試概述
6.2 相變材料測試
6.3 相變存儲器件測試
6.3.1 測試系統的軟硬體條件
6.3.2 相變存儲器初始化操作
6.3.3 非累積性擦操作測試方法
6.4 分立相變器件的標準測試流程
6.4.1 分立相變器件的標準測試流程
6.4.2 基於標準化自動測試流程的數據分析算法
6.5 相變存儲陣列及存儲晶片測試
6.5.1 晶片級測試系統硬體簡介
6.5.2 小容量相變存儲陣列的電流驅動方法
6.5.3 基於1Kb的相變存儲陣列測試系統
6.6 兆位級相變存儲器晶片測試方法研究
6.7 相變存儲器的套用
參考文獻
索引
