PSM）是同時利用光線的強度和相位來成像，得到更高解析度的一種解析度增強技術。
基本介紹
- 中文名：相移掩模
- 外文名：Phase Shift Mask
- 英文縮寫：PSM
相移掩模（Phase Shift Mask, PSM）是同時利用光線的強度和相位來成像，得到更高解析度的一種解析度增強技術。
相移掩模種類很多，其改善光刻分辨力的機理和能力也有差異，但其基本原理主要是在掩模圖形的相鄰透光區引入180°（或其奇數倍）的位相差或再輔之以透過率變化（衰減PSM），以改變相鄰圖形衍射光束之間的干涉狀態；通過相鄰透光區光場的相消干涉，減小光場分布中暗區的光強、增大亮區的光場,以提高對比度、改善分辨力；或者用相鄰圖形的位相梯度，產生光場方向反轉和零場區,以提高圖形陡度、對比度和分辨力。由於亮區光場分布變陡，從而也改善了曝光量寬容度。PSM與傳統掩模板（Traditional Mask，TM）對比如圖1所示。
圖1 (a) TM和(b) PSM之比較
隨著移相掩模技術的發展，湧現出眾多的種類，大體上可分為交替型移相掩模（Levenson PSM/Alternating PSM ）、衰減式∕不透明移相掩模（Attenuated PSM/ halftone PSM）、邊緣增強型移相掩模（Rim PSM）、亞解析度移相掩模（Sub Resolution PSM）、自對準移相掩模（Self-alignment PSM）、無鉻∕全透明移相掩模（Chrome-less PSM /All-transparent PSM）及複合移相方式（交替移相+全透明移相+衰減移相+二元鉻掩模）等同時還有強移相掩模和弱移相掩模之分，其中無鉻∕全透明移相掩模和交替式移相掩模為強移相掩模，其他為弱移相掩模。尤其以交替型、衰減式和全透明移相掩模對解析度改善最顯著，為實現亞波長光刻創造了有利條件。
