直拉晶體生長

直拉晶體生長是利用籽晶從熔體拉出單晶的方法。電子學和光學等現代技術所用的單晶，如矽(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)、紅寶石、白寶石、釔鋁石榴石、尖晶石,以及某些鹼金屬和鹼土金屬的鹵化物等單晶都可以用直拉法生長。

將原料裝在坩蝸內加熱熔化。將一個切成特定晶向的細單晶(稱為籽晶)的端部，浸入溶體並使其略有熔化。然後，控制溫度，緩慢地將籽晶垂直提升，拉出的液體固化為單晶。調節加熱功率就可以得到所需的單晶棒的直徑。