基本介紹
- 中文名:盧志恆
- 國籍:中國
- 民族:漢
- 出生地:浙江臨海
- 出生日期:1939年6月
- 職業:教師
- 畢業院校:北京師範大學
- 學位/學歷:研究生
- 專業方向:物理學
- 職務:教授,博士生導師
- 主要成就:全國先進科技工作者;諾貝爾物理獎推薦人
1939年6月生。1956年畢業於浙江省立台州中學,並考入北京師範大學物理系。1960年北京師範大學物理系本科畢業,並保送為北京師範大學物理系理論物理專業研究生。1964年研究生畢業。恰逢中共中央高校四清運動試點,延遲分配工作,並且未獲學位。
1965年分配工作,根據新的工作環境和當時的社會環境的需要和可能,改行從事電子技術和工業自動化的研究研製工作。在完成數個省(市)部級項目和一個國家級項目的基礎上,1976年主持承擔國家第五個五年計畫科學發展綱要第55項:工業生產過程自動控制和電子計算機的套用研究。由於在自動控制和計算機套用領域取得的重要成果,1977年,獲得北京市先進科技工作者榮譽稱號。1978年,出席全國科學大會,並被評選為全國先進科技工作者,得到了華國鋒、鄧小平等黨和國家領導人的接見併合影留念。
1981年,由於專業對口的調整,調到新成立的北京師範大學低能核物理研究所暨北京市輻射中心從事原子核技術的套用研究工作。1982年到1984年,在德國艾伯特基金會的資助下,到德國聯邦輻射研究院工作訪問,從事離子束與固體相互作用的基礎研究。師從德國的科學院院士、慕尼黑大學物理系講席教授席茲曼博士(Prof. Dr. R. Sizmann)。1984年到1985年,受聘於美國位於教堂山的北卡羅萊納州立大學,從事原子核技術在半導體工藝中的套用的客座研究。回國以後,先後在北京師範大學低能核物理研究所和物理系從事半導體材料、非線性系統動力學和量子計算機的研究工作。
基於原子核技術在半導體材料上的套用研究,取得在太空飛行器和核輻射壞境下使用的半導體材料的發明專利,即《絕緣體上單晶矽(SOI)材料製造方法》的發明專利一項。基於非線性系統動力學的理論研究成果和良好的計算機軟硬體技術基礎,在保密通信領域取得重要成果,為我國國防通信事業做出了重要貢獻。基於前期的自動控制方面的研究工作和後期的教學工作需要,著有《控制論引論》一書,並被教育部審定為全國高等學校教學用書。基於對量子計算機的前沿基礎研究,在V. Krasnoholovets和 F. Columbus的主導下, 合作在美國紐約的新科學出版社出版了一本英文著作,名為《量子物理進展》,即《Trends in Quantum Physics》, Nova Science Publishers,New York, 2004。
曾經擔任的主要社會兼職有:中國高等科學技術中心成員;中國科學院材料物理中心成員;電子工業部科技進步獎專業評審組成員;國家基礎科學人才培養基地(理科基地)專家組成員。