異質雙極電晶體是2008年公布的海峽兩岸信息科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名：異質雙極電晶體
- 外文名： heterobipolar transistor
- 所屬學科：信息科學技術
- 公布年度： 2008年
公布時間,出處,
公布時間
2008年全國科學技術名詞審定委員會公審定布的海峽兩岸信息科學技術名詞。
出處
《海峽兩岸信息科學技術名詞》。
異質雙極電晶體是2008年公布的海峽兩岸信息科學技術名詞。
異質結雙極型電晶體（Heterojunction bipolar transistor,HBT）是在雙極結型電晶體（Bipolar Junction Transistor,BJT）的基礎上，只是把發射區改用寬頻隙的半導體材料，即同質的發射結採用了異質結來代替。由於異質結能帶的不連續性（帶隙的...
異質結雙極電晶體（heterojunction bipolar transistor）物理意義 雙極電晶體中的異質結界面應做成突變結才能得到最高的少子注入效率。因為異質結寬頻發射極的注入效率高，所以異質結雙級電晶體的放大倍數將比同類型的普通雙極電晶體高。如果不...
異質雙極電晶體 異質雙極電晶體是2008年公布的海峽兩岸信息科學技術名詞。 公布時間 2008年全國科學技術名詞審定委員會公審定布的海峽兩岸信息科學技術名詞。出處 《海峽兩岸信息科學技術名詞》。
雙極型光電晶體從結構上分為同質型和異質型兩種。圖為異質結光電晶體能帶圖。光在基區-收集區吸收，產生的空穴（多子）在基區積累,使發射結注入更多電子以保持電中性而產生增益。與同質結型 光晶體三極體 相比有以下優點：①採用寬頻...
利用半導體異質結構作成電晶體的建議與其特性分析，是由克接拉姆在1957提出的。半導體異質結構雙極電晶體因具有快速、高放大倍率的優點，因而廣泛套用於人造衛星通訊或是行動電話等。高速電子遷移率電晶體 高速電子遷移率電晶體，就是利用...
《贗異質結矽雙極電晶體的研究》是依託東南大學，由鄭茳擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 提出並實現了矽贗異質結結構，在此基礎上研製成功了三種新型器件：（1）採用外延基區（分子束生長）技術，研製成功了fT≥10GHz的矽雙極電晶體...
《PNP型砷化鎵基異質結雙極電晶體研究》是依託西安電子科技大學，由嚴北平擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 全面完成了研究任務，研製出性能優良的GaAs基HBT ，β高於90，fT和 fmax分別超過22GHZ和33GHZ（射極2×15μm（2））。達...
三端子電晶體主要分為兩大類:雙極性電晶體(BJT)和場效應電晶體(FET,單極性)。電晶體有三個極(端子);雙極性電晶體的三個極(端子),分別是由N型、P型半導體組成的發射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應電晶體的...
在過去的幾十年里，提高BJT的工作頻率一直是人們不懈的追求，異質結雙極型電晶體（HBT）和熱電子電晶體（HET）等高速器件相繼被研究報導。然而，當需要進一步提高頻率時，這些器件遭遇了瓶頸。HBT的截止頻率將最終被基區渡越時間所限制，...
如Si1－xGex/Si異質結構能夠提供有效的載流子注入、載流子限制和光限制等功能，為電子和光電子器件的設計和製造提供優質性能的材料儲備。已製成異質結雙極電晶體、長波長光電探測器、光開關陣列等器件，具有高注入、高速率、抗干擾等特性...
異質結雙極電晶體（HBT）在具有高電流處理能力、大電流增益和高厄利電壓的同時，還具有優異的高頻特性，現已廣泛套用於行動電話、藍牙、衛星導航、相控陣及汽車雷達等微波功率領域。功率HBT通常採用等指長、等指間距的多發射極指結構來改善...
3.8新型電晶體93 3.8.1數字電晶體93 3.8.2異質結雙極型電晶體98 第4章晶閘管101 4.1基本知識101 4.1.1符號與分類101 4.1.2結構與工作原理102 4.1.3特性與參數104 4.1.4串並聯及保護106 4.1.5晶閘管模組108 4.1.6...
DH DH（Double Heterojunction）是兩種不同的半導體相接觸所形成的界面區域。
異質結雙極電晶體 什麼是 HBT（heterojunction bipolar transistor）一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構成的雙極電晶體。異質結是兩種帶隙寬度不同的半導體材料構成的結，和導電類型不同的結（PN結）無關。多數情況兩類相結合，有...
《微電子器件基礎》重點介紹pn結二極體、雙極型電晶體和場效應電晶體的基本結構、工作原理、直流特性、頻率特性、功率特性和開關特性，以及描述這些特性的有關參數；簡要介紹晶閘管、異質結雙極電晶體、靜電感應電晶體、絕緣柵雙極電晶體、單...
本書重點介紹p-n結二極體、雙極型電晶體和場效應電晶體的基本結構、工作原理、直流特性、頻率特性、功率特性和開關特性，以及描述這些特性的有關參數；簡要介紹晶閘管、異質結雙極電晶體、靜電感應電晶體、絕緣柵雙極電晶體、單結電晶體、...
其有源器件主要是金屬肖特基場效應電晶體(MESFET)和結型場效應電晶體(JFET)；同時還包含了用分子束外延(MB)E和有機金屬汽相沉積(MOCVD)生長的材料所製作的高電子遷移率電晶體(HEMT)和異質結雙極電晶體(HBT)等器件所研製的積體電路。
異質結雙極電晶體(HBT)是InP OEIC最理想的電子元件。HBT與MESFET不同，它具有由一個疊層排列的發射極、基極和集成電極組成的垂直幾何形狀結構。鑒於InP OEIC光發射極構形和HBT結構的各層連線方式，由於跨接基極/發射極異質結產生一正向...
繼HEMT之後，1984年用GaAlAs/GaAs異質結取代矽雙極電晶體中的P-N結，研製成功了頻率特性和速度特性更優異的異質結雙極電晶體（HBT）和HBT MMIC。由於InP材料具有高飽和電子遷移率、高擊穿電場、良好的熱導率、InP基的晶格匹配HEMT，其...
第3 章 微波電晶體放大器.. 45 §3.1 引言. 45 §3.2 微波雙極結型電晶體. 46 3.2.1 微波矽雙極型電晶體. 46 3.2.2 異質結雙極電晶體(HBT). 52 §3.3 微波場效應電晶體.. 53 3.3.1 GaAs MESFET .. 53 3.3...
第7章異質結雙極型電晶體 7.1半導體異質結 7.1.1半導體異質結及其能帶圖 7.1.2半導體異質結的伏安特性 7.2異質結雙極型電晶體的結構與特性 7.2.1HBT的器件結構 7.2.2HBT特性 7.3幾種常用的異質結雙極型電晶體 7.3.1矽...
已製成四個MSM與8 000支FET集成在同一GaAs基片上，它能快速檢測和處理數據；④異質結光電晶體（HPT）/HBT（異質結雙極電晶體）光接收器，其成本低，但工作速率也低。圖1為最通用的PIN/FET混合集成光接收器模組電路圖。用PIN光電...
2.1.2 微波異質結雙極電晶體（HBT） 74 2.1.3 微波場效應電晶體（FET） 76?2.2 微波電晶體小信號建模 81 2.2.1 基於小信號散射參數的建模方法 82 2.2.2 基於不同條件下測量值的建模方法 87?2.3 微波小信號放大器性能...