環形振盪器,是由三個非門或更多奇數個非門輸出端和輸入端首尾相接,構成環狀的機器。
基本介紹
- 中文名:環形振盪器
- 定義:三個非門或更多奇數個非門輸出端
- 原理:以三個非門為例,假定某一時刻T0
- 基本特性:單個非門延遲時間×非門數×2
環形振盪器,是由三個非門或更多奇數個非門輸出端和輸入端首尾相接,構成環狀的機器。
環形振盪器,是由三個非門或更多奇數個非門輸出端和輸入端首尾相接,構成環狀的機器。...
2.振盪採樣法。振盪採樣法來產生所需要的隨機數。即通過一個高電平觸發的D觸發器把兩個獨立的方波進行數字混合,用低速波來採樣高速波,這種方法是利用環形振盪器的...
7. 陳瑩梅 王志功 朱恩 馮軍 章麗 熊明珍 “一種高工作頻率低相位噪聲的CMOS 環形振盪器” 光電子?雷射 2004年10月,第15卷第10期,pp.1141-1143。 8. 陳瑩...
8 7其他LC振盪器拓撲結構 8 7 1帶有噪聲濾波的標準結構 8 7 2C類拓撲結構 8 8環形振盪器 8 8 1基本工作原理 8 8 2硬開關電路中相位噪聲的估計 8 8 3...
與灌電流型以及電流調製型壓控振盪器相比較,此類差分環形振盪器非常廣泛地用在晶片時鐘發生電路中,同時內嵌延時單元的壓控振盪器有相對較低的VCO增益,所以非常適合...
振盪指標也是從移動平均線原理派生出來的一種分析指標,它反應當前價格與一段時間...‒ 可以分為環形振盪器、LC振盪器、RC振盪器、晶體振盪器和壓控振盪器。...
中美韓三國科學家實驗中利用柔性有機材料成功地模擬製造出來類似人體SA-I觸覺神經,這種人造感知神經由3個核心部件組成:電阻式壓力感測器、有機環形振盪器、突觸電晶體...
2000 年,當時就職於普林斯頓大學的埃洛維茨(M.Elowitz)及其同事設計的環形振盪器能夠模仿這些振盪系統的行為, 它包括三個轉錄抑制蛋白,每個抑制蛋白都抑制下一個基因...
三、 帶有RC電路的環形振盪器 四、 基本顯示 四、 基本顯示 第二章 輸入與解碼 第二章 輸入與解碼 一、 輸入 一、 輸入 二、 指令的編碼和解碼 二、 指令...
環形振盪器輸出具有一定幅度和寬度的脈衝,分成兩路。一路經功放電路後去推動發射晶體,另一路去控制單穩電路,使之輸出寬度固定的脈衝。當試樣支架上放上纖維試樣時...
典型代表有基於仲裁器的PUF [10] 、基於環形振盪器的PUF [11] 和基於毛刺的PUF [12] 。參考資料 1. 張紫楠, 郭淵博. 物理不可克隆函式綜述[J]. 計算機...
4.2.1套用TTL門電路設計可控多諧振盪器4.2.2套用TTL門電路設計壓控多諧振盪器4.2.3套用TTL門電路設計調製多諧振盪器4.3套用TTL門電路設計環形多諧振盪器...
6.5.3 環形振盪器6.5.4 用施密特觸發器構成的多諧振盪器6.5.5 石英晶體多諧振盪器6.5.6 用555時基電路構成的多諧振盪器...
的100多倍,可以作為超級耐高電流密度的布線材料,半導體型的碳納米管還可以用來構築納米場效應電晶體、單電子電晶體等納米器件,變頻器、邏輯電路以及環形振盪器等各種...
從圖3中可以看出,整個壓控振盪器是建立在一個帶有內部延遲單元的環形振盪器基礎上。與灌電流型以及電流調製型壓控振盪器相比較,此類差分環形振盪器非常廣泛地用在...
756 環形振盪器的傳輸延遲 760雙極結型電晶體的電路套用 761 BJT數字倒相器 762 共射BJT倒相器 射—基空間電荷層電容的加速充電 有源區中準中性基區的加速充電...
的100多倍,可以作為超級耐高電流密度的布線材料,半導體型的碳納米管還可以用來構築納米場效應電晶體、單電子電晶體等納米器件,變頻器、邏輯電路以及環形振盪器等各種...
《鎖相環與頻率合成器電路設計》是2008年10月西安電子科技大學出版社出版的圖書...2.4.4 環形振盪器結構的VCO 572.5 振盪器頻率和振幅的穩定 58...
13.3.5環形振盪器13.4射頻振盪器13.4.1科耳皮茲振盪器13.4.2Hartley振盪器13.4.3兩級MOS振盪器13.5晶體振盪器13.6有源濾波調諧振盪器...
6.3.1 用門電路組成的單穩態觸發器6.3.2 集成單穩態觸發器6.4 多諧振盪器6.4.1 對稱式多諧振盪器6.4.2 非對稱式多諧振盪器6.4.3 環形振盪器...
6.3.1用門電路組成的單穩態觸發器6.3.2集成單穩態觸發器6.3.3單穩態觸發器的套用6.4多諧振盪器6.4.1門電路構成的多諧振盪器6.4.2環形振盪器6.4.3施密特觸發器...
7.4 多諧振盪電路 7.4.1 對稱式多諧振盪電路 7.4.2 非對稱式多諧振盪電路 7.4.3 環形振盪電路 7.4.4 用施密特觸發電路構成的多諧振盪電路 7.4.5 ...
取得創新性重大成果,在國內率先研製成功性能優良的70納米CMOS器件及柵長為100納米的57級CMOS環形振盪器電路,器件性能和環形振盪器速度達到當時國際上同類工藝技術的...