內容簡介
本書共7章,介紹了鎖相環與頻率合成器電路的分析方法、電路結構、工作原理等相關知識,以及採用鎖相環與頻率合成器積體電路構成的鎖相環(PLL)、壓控振盪器(VCO)、前置分頻器、直接數字頻率合成器(DDS)和時鐘發生器電路實例的主要技術性能、引腳端封裝形式、內部結構、工作原理、電原理圖、印製電路板圖和元器件參數等內容,頻率範圍從零至幾吉赫茲,其電原理圖、印製電路板圖和元器件參數等可以直接在工程設計中套用。
本書突出了“先進性、工程性、實用性”的特點,可以作為從事無線通信、移動通信、無線數據採集與傳輸系統、無線遙控和遙測系統、無線網路、無線安全防範系統等套用研究的工程技術人員的參考書或工具書,也可以作為高等院校通信、電子等相關專業本科生和研究生的專業教材或教學
參考書。
目錄
第1章 鎖相環與頻率合成器電路基礎 1
1.1 頻率合成的基本方法和指標 1
1.1.1 頻率合成的基本方法 1
1.1.2 頻率合成器的主要技術指標 2
1.2 鎖相環路(PLL)電路基礎 4
1.2.1 鎖相環路的基本結構與工作原理 4
1.2.2 數字鎖相式頻率合成器的基本結構與工作原理 7
1.2.3 全數字鎖相環的基本結構與工作原理 8
1.3 直接數字式頻率合成器(DDS)基礎 14
1.3.1 DDS的結構與工作原理 14
1.3.2 DDS的技術特點 19
1.3.3 DDS的輸出信號頻譜特性 21
1.3.4 DDS的調製特性 23
1.4 頻率合成器電路結構 23
1.4.1 單環數字鎖相式頻率合成器電路 23
1.4.2 前置分頻型單環數字鎖相式頻率合成器電路 25
1.4.3 下變頻型單環數字鎖相式頻率合成器電路 26
1.4.4 變模前置分頻型數字鎖相式頻率合成器電路 26
1.4.5 小數分頻型數字鎖相式頻率合成器電路 28
1.4.6 多環數字鎖相式頻率合成器電路 29
1.4.7 環外插入混頻器的DDS+PLL頻率合成器電路 31
1.4.8 環內插入混頻器的DDS+PLL頻率合成器電路 32
1.4.9 DDS激勵PLL的頻率合成器電路 33
第2章 正弦波振盪器電路基礎[ST][HT5”SS] 35
2.1 反饋型正弦波振盪器的基本原理 35
2.1.1 反饋型正弦波振盪器的組成 35
2.1.2 自激振盪的平衡條件 36
2.1.3 自激振盪的起振條件 36
2.1.4 振盪器的穩定條件 37
2.2 LC振盪器 40
2.2.1 三點式振盪器電路的基本結構 40
2.2.2 改進的電容三點式振盪器電路 42
2.2.3 幾種三點式振盪器電路的比較 44
2.3 石英晶體振盪器電路 45
2.3.1 石英晶體諧振器 45
2.3.2 石英晶體振盪器基本電路結構 47
2.3.3 普通晶體振盪器 48
2.3.4 溫度補償晶體振盪器 49
2.3.5 恆溫晶體振盪器 51
2.4 壓控振盪器電路 53
2.4.1 壓控振盪器的主要技術指標 53
2.4.2 變容二極體壓控振盪器 54
2.4.3 射極耦合多諧振盪器構成的VCO 56
2.4.4 環形振盪器結構的VCO 57
2.5 振盪器頻率和振幅的穩定 58
2.5.1 振盪器頻率的穩定 58
2.5.2 振盪器振幅的穩定 61
2.6 寄生振盪 63
2.6.1 寄生振盪的表現形式 63
2.6.2 寄生振盪的產生原因及其防止或消除方法 64
第3章 PLL頻率合成器電路設計 68
3.1 ADF4106 500~600 MHz PLL頻率合成器電路 68
3.1.1 ADF4106的主要技術特性 68
3.1.2 ADF4106的晶片封裝與引腳功能 69
3.1.3 ADF4106的內部結構與工作原理 70
3.1.4 ADF4106的套用電路設計 77
3.2 ADF4110~4113 0.55~4.0 GHz PLL頻率合成器電路 79
3.2.1 ADF4110~4113的主要技術特性 79
3.2.2 ADF4110~4113晶片封裝和引腳功能 79
3.2.3 ADF4110~4113內部結構和工作原理 81
3.2.4 ADF4110~4113套用電路設計 88
3.3 ADF4116~4118 0.55~3.0 GHz PLL頻率合成器電路 92
3.3.1 ADF4116~4118主要技術特性 92
3.3.2 ADF4116~4118晶片封裝和引腳功能 92
3.3.3 ADF4116~4118內部結構和工作原理 94
3.3.4 ADF4116~4118套用電路設計 95
3.4 ADF4153 4 GHz PLL頻率合成器電路 97
3.4.1 ADF4153主要性能指標 97
3.4.2 ADF4153引腳功能與內部結構 97
3.4.3 ADF4153套用電路設計 104
3.5 ADF4154 500 MHz~4 GHz PLL頻率合成器電路 105
3.5.1 ADF4154主要性能指標 105
3.5.2 ADF4154引腳功能與內部結構 105
3.5.3 ADF4154套用電路設計 105
3.6 ADF4193 3.5 GHz PLL頻率合成器電路 106
3.6.1 ADF4193主要技術特性 106
3.6.2 ADF4193晶片封裝和引腳功能 106
3.6.3 ADF4193內部結構和工作原理 108
3.6.4 ADF4193套用電路設計 109
3.7 ADF4212L 雙頻2.4 GHz/1.0 GHz PLL頻率合成器電路 110
3.7.1 ADF4212L主要技術特性 110
3.7.2 ADF4212L晶片封裝和引腳功能 111
3.7.3 ADF4212L內部結構和工作原理 112
3.7.4 ADF4212L套用電路設計 117
3.8 ADF4217L~4219L 雙頻PLL頻率合成器電路 118
3.8.1 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L主要技術特性 118
3.8.2 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L晶片封裝和引腳功能 119
3.8.3 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L內部結構和工作原理 120
3.8.4 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L套用電路設計 122
3.9 CX7925 300 MHz/350 MHz鎖相環頻率合成器電路 124
3.9.1 CX7925主要技術特性 124
3.9.2 CX7925封裝形式與引腳功能 124
3.9.3 CX7925內部結構與工作原理 125
3.9.4 CX7925套用電路設計 127
3.10 CXA3106AQ LCD監視器/放映機用PLL電路 128
3.10.1 CXA3106AQ主要技術特性 128
3.10.2 CXA3106AQ封裝形式與引腳功能 128
3.10.3 CXA3106AQ內部結構與工作原理 129
3.10.4 CXA3106AQ套用電路設計 132
3.11 CXA3266Q LCD監視器/放映機用PLL電路 135
3.11.1 CXA3266Q主要技術特性 135
3.11.2 CXA3266Q封裝形式與引腳功能 135
3.11.3 CXA3266Q內部結構與工作原理 135
3.11.4 CXA3266Q套用電路設計 135
3.12 FS8108E 40~100 MHz PLL頻率合成器電路 140
3.12.1 FS8108E的主要技術特性 140
3.12.2 FS8108E的封裝形式與引腳功能 140
3.12.3 FS8108E的內部結構與工作原理 141
3.12.4 FS8108E的套用電路設計 144
3.13 HPLL-8001 4~160 MHz PLL頻率合成器電路 144
3.13.1 HPLL-8001的主要技術特性 145
3.13.2 HPLL-8001的晶片封裝與引腳功能 145
3.13.3 HPLL-8001的內部結構與工作原理 146
3.13.4 HPLL-8001的套用電路設計 150
3.14 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U 550 MHz/1.2 GHz/2.8 GHz頻率合成器電路 152
3.14.1 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U主要技術特性 152
3.14.2 LMX2306/16/26晶片封裝和引腳功能 152
3.14.3 LMX2306/16/26的內部結構和工作原理 153
3.14.4 LMX2306的套用電路設計 160
3.15 LMX2310/1/2/3U 2.5 GHz/2.0 GHz/1.2 GHz/600 MHz頻率合成器電路 161
3.15.1 LMX2310/1/2/3U主要技術特性 161
3.15.2 LMX2310/1/2/3U晶片封裝和引腳功能 161
3.15.3 LMX2310/1/2/3U的內部結構和工作原理 163
3.15.4 LMX2310/1/2/3U的套用電路設計 166
3.16 LMX233xU 2.5 GHz/600 MHz, 2.0 GHz/600 MHz,1.2 GHz/600 MHz雙頻頻率合成器電路 168
3.16.1 LMX233xU主要技術特性 168
3.16.2 LMX233xU晶片封裝和引腳功能 168
3.16.3 LMX233xU的內部結構和工作原理 170
3.16.4 LMX233xU的套用電路設計 171
3.17 LMX2346/LMX2347 0.2~2.5 GHz PLL電路 173
3.17.1 LMX2346/LMX2347的主要技術特性 173
3.17.2 LMX2346/LMX2347的封裝形式與引腳功能 174
3.17.3 LMX2346/LMX2347的內部結構與工作原理 175
3.17.4 LMX2346/LMX2347的套用電路設計 178
3.18 LMX2350/LMX2352 小數N分頻RF/整數N分頻IF的雙頻頻率合成器電路 183
3.18.1 LMX2350/LMX2352主要技術特性 183
3.18.2 LMX2350/LMX2352封裝形式和引腳功能 183
3.18.3 LMX2350/LMX2352的內部結構和工作原理 185
3.18.4 LMX2350/LMX2352的套用電路設計 187
3.19 LMX243x 3.0/0.8 GHz, 3.6/1.7 GHz, 5.0/2.5 GHz雙頻頻率合成器電路 187
3.19.1 LMX243x主要技術特性 187
3.19.2 LMX243x引腳封裝、 引腳功能與內部結構 188
3.19.3 LMX243x的套用電路設計 190
3.20 LMX2502/LMX2512帶有集成壓控振盪器的頻率合成器電路 194
3.20.1 LMX2502/LMX2512主要技術特性 194
3.20.2 LMX2502/LMX2512晶片封裝和引腳功能 194
3.20.3 LMX2502/LMX2512的內部結構和工作原理 195
3.20.4 LMX2502/LMX2512套用電路設計 197
3.21 LMX2525帶有集成壓控振盪器的雙頻頻率合成器電路 201
3.21.1 LMX2525主要技術特性 201
3.21.2 LMX2525封裝形式與引腳功能 201
3.21.3 LMX2525的內部結構和工作原理 202
3.21.4 LMX2525的套用電路設計 204
3.22 LMX2542 帶有VCO的蜂窩電話和GPS的頻率合成器電路 208
3.22.1 LMX2542主要技術特性 208
3.22.2 LMX2542的晶片封裝及引腳功能 208
3.22.3 LMX2542的內部結構及工作原理 210
3.22.4 LMX2542的套用電路設計 210
3.23 MB1504 串列輸入PLL頻率合成器電路 214
3.23.1 MB1504封裝形式與引腳功能 214
3.23.2 MB1504 內部結構與工作原理 215
3.23.3 MB1504套用電路設計 218
3.24 MC145106 4~12 MHz PLL頻率合成器電路 218
3.24.1 MC145106主要技術特點 218
3.24.2 MC145106封裝形式與引腳功能 218
3.24.3 MC145106的內部結構和工作原理 220
3.24.4 MC145106的套用電路設計 221
3.25 MC145170-2 使用串列接口的PLL頻率合成器電路 223
3.25.1 MC145170-2主要技術特性 223
3.25.2 MC145170-2的晶片封裝和引腳功能 223
3.25.3 MC145170-2晶片內部結構和工作原理 223
3.25.4 MC145170-2的套用電路設計 224
3.26 PE3291 1200 MHz/550 MHz雙頻PLL頻率合成器電路 228
3.26.1 PE3291主要技術特性 228
3.26.2 PE3291的封裝形式與引腳功能 228
3.26.3 PE3291的內部結構及工作原理 230
3.26.4 PE3291的套用電路設計 233
3.27 PE3342 0.3~2.7 GHz帶EEPROM的PLL電路 235
3.27.1 PE3342主要技術特性 235
3.27.2 PE3342的晶片封裝與引腳功能 235
3.27.3 PE3342的內部結構與工作原理 237
3.27.4 PE3342的套用電路設計 242
3.28 PMB2347 2.8 GHz/500 MHz雙頻PLL頻率合成器電路 242
3.28.1 PMB2347主要技術特性 243
3.28.2 PMB2347的封裝形式與引腳功能 243
3.28.3 PMB2347的內部結構和工作原理 244
3.28.4 PMB2347套用電路設計 248
3.29 SA8026 350~2500 MHz PLL頻率合成器電路 253
3.29.1 SA8026的主要技術特性 254
3.29.2 SA8026封裝形式與引腳功能 254
3.29.3 SA8026內部結構與工作原理 255
3.29.4 SA8026的套用電路設計 260
3.30 SA8027 0.5~2.5 GHz小數N分頻頻率合成器電路 262
3.30.1 SA8027主要技術特性 262
3.30.2 SA8027引腳功能與內部結構 263
3.30.3 SA8027套用電路設計 264
3.31 SP5748 80 MHz~2.4 GHz PLL頻率合成器電路 267
3.31.1 SP5748的主要技術性能與特點 267
3.31.2 SP5748封裝形式與引腳功能 267
3.31.3 SP5748內部結構與工作原理 268
3.31.4 SP5748的套用電路設計 270
3.32 SP5769 3 GHz I2C匯流排頻率合成器電路 274
3.32.1 SP5769的主要技術特性 274
3.32.2 SP5769晶片封裝與引腳功能 275
3.32.3 SP5769內部結構與工作原理 275
3.32.4 SP5769的套用電路設計 279
3.33 SP8853A/B 1.3 GHz PLL頻率合成器電路 283
3.33.1 SP8853A/B的主要技術特性 283
3.33.2 SP8853A/B晶片封裝與引腳功能 283
3.33.3 SP8853A/B內部結構與工作原理 284
3.33.4 SP8853A/B的套用電路設計 288
3.34 SP8854E 2.7 GHz PLL頻率合成器電路 294
3.34.1 SP8854E的主要技術性能與特點 294
3.34.2 SP8854E晶片封裝與引腳功能 295
3.34.3 SP8854E內部結構與工作原理 296
3.34.4 SP8854E的套用電路設計 298
3.35 STW81100 0.82~4.4 GHz多頻帶PLL頻率合成器電路 303
3.35.1 STW81100 主要技術特性 303
3.35.2 STW81100 的晶片封裝與引腳功能 303
3.35.3 STW81100內部結構與工作原理 304
3.35.4 STW81100的套用電路設計 312
3.36 STW81101 0.82~4.4 GHz多頻帶PLL頻率合成器電路 314
3.36.1 STW81101 主要技術特性 314
3.36.2 STW81101 的晶片封裝與引腳功能 314
3.36.3 STW81101內部結構與工作原理 316
3.36.4 STW81101的套用電路設計 318
3.37 STW81102 0.75~4.6 GHz多頻帶頻率合成器電路 319
3.37.1 STW81102 主要技術特性 319
3.37.2 STW81102 引腳功能、 內部結構與工作原理 320
3.37.3 STW81102的套用電路設計 320
3.38 TRF1112/TRF1212 用於IF下變頻器的雙VCO/PLL合成器電路 320
3.38.1 TRF1112/TRF1212主要技術特性 320
3.38.2 TRF1112/TRF1212引腳功能與內部結構 321
3.38.3 TRF1112/TRF1212套用電路設計 324
3.39 TRF1121/TRF1221 用於IF上變頻器的雙VCO/PLL合成器電路 326
3.39.1 TRF1121/TRF1221主要技術特性 326
3.39.2 TRF1121/TRF1221引腳功能與內部結構 326
3.39.3 TRF1121/TRF1221套用電路設計 328
3.40 U2786B 800~1000 MHz PLL頻率合成器電路 330
3.40.1 U2786B的主要技術特性 330
3.40.2 U2786B封裝形式與引腳功能 330
3.40.3 U2786B內部結構與工作原理 331
3.40.4 U2786B的套用電路設計 333
3.41 UMA1014 50~1100 MHz低功耗PLL頻率合成器電路 334
3.41.1 UMA1014的主要技術特性 334
3.41.2 UMA1014封裝形式與引腳功能 334
3.41.3 UMA1014內部結構與工作原理 335
3.41.4 UMA1014的套用電路設計 339
[WTHZ]第4章 壓控振盪器(VCO)電路設計 347
4.1 ISL3183 748 MHz VCO電路 347
4.1.1 ISL3183的主要技術特性 347
4.1.2 ISL3183引腳功能與內部結構 347
4.1.3 ISL3183套用電路設計 348
4.2 MAX2605~MAX2609 45~650 MHz差分輸出IF壓控振盪器電路 350
4.2.1 MAX2605~MAX2609主要技術特性 350
4.2.2 MAX2605~MAX2609引腳功能與內部結構 350
4.2.3 MAX2605~MAX2609系列晶片套用電路設計 351
4.3 MAX2620 10~1050 MHz RF振盪器電路 353
4.3.1 MAX2620主要技術特性 353
4.3.2 MAX2620引腳功能與內部結構 353
4.4 MAX2622/MAX2623/MAX2624 855~998 MHz VCO電路 356
4.4.1 MAX2622/MAX2623/MAX2624主要技術性能 356
4.4.2 MAX2622/MAX2623/MAX2624 晶片封裝與引腳功能 356
4.4.3 MAX2622/MAX2623/MAX2624套用電路設計 357
4.5 MAX2750/MAX2751/MAX2752 2.4 GHz VCO電路 358
4.5.1 MAX2750/MAX2751/MAX2752主要技術性特性 358
4.5.2 MAX2750/MAX2751/MAX2752封裝形式與引腳功能 359
4.5.3 MAX2750/MAX2751/MAX2752晶片套用電路設計 359
4.6 MAX2753 2.4GHz VCO電路 360
4.6.1 MAX2753的主要技術特性 360
4.6.2 MAX2753封裝形式與引腳功能 361
4.6.3 MAX2753的套用電路設計 361
4.7 MAX2754 1.2 GHz VCO電路 363
4.7.1 MAX2754的主要技術特性 363
4.7.2 MAX2754引腳功能與內部結構 363
4.7.3 MAX2754的套用電路設計 365
4.8 MC1648 225 MHz VCO電路 366
4.8.1 MC1648主要技術特性 366
4.8.2 MC1648引腳功能與內部結構 366
4.8.3 MC1648的套用電路設計 367
4.9 MC12148 1100 MHz低功耗VCO電路 369
4.9.1 MC12148晶片主要技術性能 369
4.9.2 MC12148引腳功能與內部結構 369
4.9.3 MC12148晶片套用電路設計 369
4.10 Si550 10 MHz~1.4 GHz VCXO電路 370
4.10.1 Si550 主要技術特性 370
4.10.2 Si550引腳功能與內部結構 370
4.10.3 Si550套用電路設計 371
4.11 VTO-8000系列600 MHz~10.85 GHz VCO電路 371
4.11.1 VTO-8000系列VCO主要技術特性 371
4.11.2 VTO-8000系列VCO的封裝形式與引腳功能 372
4.11.3 VTO-8000系列VCO的內部結構 372
4.11.4 VTO-8000系列VCO的套用電路設計 373
4.12 VTO-9000系列 320 MHz~2.3 GHz VCO電路 373
4.12.1 VTO-9000系列VCO主要技術特性 373
4.12.2 VTO-9000系列VCO引腳功能與內部結構 374
4.12.3 VTO-9000系列VCO套用電路設計 374
4.13 Si530/531 10 MHz~1.4 GHz晶體振盪器 374
4.13.1 Si530/531主要技術特性 374
4.13.2 Si530/531引腳功能與內部結構 374
4.13.3 Si530/531的套用電路設計 375
4.14 MAX2472/MAX2473 0.5~2.5 GHz VCO緩衝放大器電路 376
4.14.1 MAX2472/MAX2473主要技術特性 376
4.14.2 MAX2472/MAX2473封裝形式與引腳結構 377
4.14.3 MAX2472/MAX2473內部結構 377
4.14.4 MAX2472/MAX2473套用電路設計 378
4.15 MAX2470/MAX2471 10~500 MHz VCO輸出緩衝電路 380
4.15.1 MAX2470/MAX2471的主要技術特性 380
4.15.2 MAX2470/MAX2471引腳功能與內部結構 381
4.15.3 MAX2470/MAX2471的套用電路設計 382
4.16 MAX9987/MAX9988 LO緩衝器/功率分配器電路 384
4.16.1 MAX9987/MAX9988主要技術特性 384
4.16.2 MAX9987/MAX9988引腳功能與內部結構 384
4.16.3 MAX9987/MAX9988套用電路設計 385
4.17 MAX9989/MAX9990 LO 緩衝器/功率分配器電路 387
4.17.1 MAX9989/MAX9990主要技術特性 387
4.17.2 MAX9989/MAX9990引腳功能與內部結構 387
4.17.3 MAX9989/MAX9990套用電路設計 387
4.18 RF2301 300~2500 MHz高隔離的緩衝放大器 389
4.18.1 RF2301的主要技術特性 389
4.18.2 RF2301引腳功能與內部結構 389
4.18.3 RF2301的套用電路設計 390
4.19 μPG2304TK 720 MHz/1320 MHz VCO緩衝器電路 391
4.19.1 μPG2304TK主要技術特性 391
4.19.2 μPG2304TK引腳功能與內部結構 391
4.19.3 μPG2304TK套用電路設計 392
第5章 前置分頻器電路設計[ST][HT5”SS] 393
5.1 PE3501/PE83501 0.4~3.5 GHz 2分頻前置分頻器電路 393
5.1.1 PE3501/PE83501主要技術特性 393
5.1.2 PE3501/PE83501引腳功能與內部結構 393
5.1.3 PE3501/PE83501晶片套用電路設計 394
5.2 PE3502/PE83502 1.5~3.5 GHz 4分頻前置分頻器電路 396
5.2.1 PE3502/PE83502主要技術特性 396
5.2.2 PE3502/PE83502引腳功能與內部結構 396
5.2.3 PE3502/PE83502晶片套用電路設計 396
5.3 PE3503/PE83503 1.5~3.5 GHz 8分頻前置分頻器電路 396
5.3.1 PE3503/PE83503主要技術特性 396
5.3.2 PE3503/PE83503引腳功能與內部結構 396
5.3.3 PE3503/PE83503晶片套用電路設計 397
5.4 PE3511 DC~1500 MHz 2分頻前置分頻器電路 397
5.4.1 PE3511主要技術特性 397
5.4.2 PE3511引腳功能與內部結構 397
5.4.3 PE3511晶片套用電路設計 398
5.5 PE3512 DC~1500 MHz 4分頻前置分頻器電路 399
5.5.1 PE3512主要技術特性 399
5.5.2 PE3512引腳功能與內部結構 399
5.5.3 PE3512晶片套用電路設計 400
5.6 PE3513 DC~1500 MHz 8分頻前置分頻器電路 400
5.6.1 PE3513主要技術特性 400
5.6.2 PE3513引腳功能與內部結構 400
5.6.3 PE3513晶片套用電路設計 400
5.7 PE83511 DC~1500 MHz 2分頻前置分頻器電路 401
5.7.1 PE83511主要技術特性 401
5.7.2 PE83511引腳功能與內部結構 401
5.7.3 PE83511晶片套用電路設計 402
5.8 PE83512 DC~1500 MHz 4分頻前置分頻器電路 402
5.8.1 PE83512主要技術特性 402
5.8.2 PE83512引腳功能與內部結構 402
5.8.3 PE83512晶片套用電路設計 403
5.9 PE83513 DC~1500 MHz 8分頻前置分頻器電路 403
5.9.1 PE83513主要技術特性 403
5.9.2 PE83513引腳功能與內部結構 403
5.9.3 PE83513晶片套用電路設計 404
5.10 PMB2313/PMB2314 1.1/2.1 GHz前置分頻器電路 404
5.10.1 PMB2313/PMB2314 主要技術特性 404
5.10.2 PMB2313/PMB2314引腳功能與內部結構 404
5.10.3 PMB2313/PMB2314套用電路設計 405
5.11 μPB1509GV 1 GHz前置分頻器電路 407
5.11.1 μPB1509GV的主要技術特性 407
5.11.2 μPB1509GV引腳功能與內部結構 407
5.11.3 μPB1509GV的套用電路設計 408
第6章 DDS(直接數字頻率合成器)電路設計 410
6.1 DDS系列晶片簡介 410
6.2 AD9830 50 MHz CMOS DDS電路 412
6.2.1 AD9830主要技術特性 412
6.2.2 AD9830引腳功能與內部結構 412
6.2.3 AD9830的套用電路 414
6.3 AD9831 25 MHz CMOS DDS電路 416
6.3.1 AD9831主要技術特性 416
6.3.2 AD9831引腳功能與內部結構 416
6.3.3 AD9831的套用電路 419
6.4 AD9832 25 MHz CMOS DDS電路 421
6.4.1 AD9832主要技術特性 421
6.4.2 AD9832引腳功能與內部結構 422
6.4.3 AD9832的套用電路 423
6.5 AD9833 0~12.5 MHz可程式波形發生器電路 426
6.5.1 AD9833主要技術特性 426
6.5.2 AD9833引腳功能與內部結構 426
6.5.3 AD9833的套用電路 427
6.6 AD9834 50 MHz DDS 電路 429
6.6.1 AD9834的主要技術特性 429
6.6.2 AD9834引腳功能、 內部結構與工作原理 429
6.6.3 AD9834的套用電路 440
6.7 AD9835 50 MHz CMOS DDS電路 442
6.7.1 AD9835主要技術特性 442
6.7.2 AD9835引腳功能與內部結構 442
6.7.3 AD9835的套用電路 443
6.8 AD9850 125 MHz CMOS DDS電路 445
6.8.1 AD9850主要技術特性 445
6.8.2 AD9850引腳功能與內部結構 446
6.8.3 AD9850套用電路 447
6.9 AD9851 180 MHz CMOS DDS/DAC電路 450
6.9.1 AD9851主要技術特性 450
6.9.2 AD9851引腳功能與內部結構 450
6.9.3 AD9851套用電路 450
6.10 AD9852 300 MSPS CMOS DDS電路 456
6.10.1 AD9852的主要技術特性 456
6.10.2 AD9852引腳功能與內部結構 456
6.10.3 AD9852的套用電路 468
6.11 AD9854 300 MSPS CMOS正交DDS電路 472
6.11.1 AD9854主要技術特性 472
6.11.2 AD9854引腳功能與內部結構 473
6.11.3 AD9854套用電路 473
6.12 AD9858 1GSPS DDS電路 477
6.12.1 AD9858的主要技術特性 477
6.12.2 AD9858引腳功能與內部結構 478
6.12.3 AD9858的套用電路 494
6.13 AD9859 400MSPS 1.8 V CMOS DDS電路 498
6.13.1 AD9859主要技術特性 498
6.13.2 AD9859引腳功能與內部結構 498
6.13.3 AD9859套用電路 501
6.14 AD9910 1GSPS 3.3 V 14位DDS電路 501
6.14.1 AD9910主要技術特性 501
6.14.2 AD9910引腳功能與內部結構 502
6.14.3 AD9910 套用電路 505
6.15 AD9912 1GSPS 3.3 V 14位 DDS電路 508
6.15.1 AD9912主要技術特性 508
6.15.2 AD9912引腳功能與內部結構 508
6.15.3 AD9912 套用電路 510
6.16 AD9951 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS電路 515
6.16.1 AD9951主要技術特性 515
6.16.2 AD9951引腳功能與內部結構 515
6.16.3 AD9951套用電路 515
6.17 AD9952 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS電路 515
6.17.1 AD9952主要技術特性 515
6.17.2 AD9952引腳功能與內部結構 516
6.17.3 AD9952套用電路 518
6.18 AD9953 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS電路 519
6.18.1 AD9953主要技術特性 519
6.18.2 AD9953引腳功能與內部結構 519
6.18.3 AD9953套用電路 522
6.19 AD9954 400MSPS 1.8V CMOS DDS電路 522
6.19.1 AD9954主要技術特性 522
6.19.2 AD9954引腳功能與內部結構 523
6.19.3 AD9954套用電路 525
6.20 AD9956 基於2.7 GHz DDS的 AgileRFTM 合成器電路 528
6.20.1 AD9956主要技術特性 528
6.20.2 AD9956內部結構、 晶片封裝與功能引腳 528
6.20.3 AD9956 套用電路 530
6.21 AD9958 雙通道 500 MSPS DDS電路 535
6.21.1 AD9958主要技術特性 535
6.21.2 AD9958引腳功能與內部結構 535
6.21.3 AD9958 的套用電路 538
6.22 AD9959 500MSPS 4通道DDS電路 539
6.22.1 AD9959主要技術特性 539
6.22.2 AD9959引腳功能與內部結構 540
6.22.3 AD9959套用電路 543
6.23 ISL5314 125MSPS 14位DDS電路 548
6.23.1 ISL5314的主要技術特性 548
6.23.2 ISL5314引腳功能與內部結構 548
6.23.3 ISL5314的套用電路 555
6.24 Xilinx DDS v5.0 558
6.24.1 DDS v5.0主要技術特性 558
6.24.2 DDS引腳端符號與定義 558
6.24.3 DDS基本結構與工作原理 559
6.24.4 DDS參數設定 561
第7章 時鐘發生器電路設計 564
7.1 AD9510 1.2 GHz PLL核心8輸出的時鐘發生器電路 564
7.1.1 AD9510主要技術特性 564
7.1.2 AD9510 引腳功能與內部結構 564
7.1.3 AD9510的套用電路設計 567
7.2 AD9511 1.2 GHz PLL核心5輸出的時鐘發生器電路 567
7.2.1 AD9511主要技術特性 567
7.2.2 AD9511 引腳功能與內部結構 567
7.2.3 AD9511的套用電路設計 569
7.3 AD9512 1.6 GHz輸入/1.2 GHz 5輸出的時鐘發生器電路 570
7.3.1 AD9512主要技術特性 570
7.3.2 AD9512引腳功能與內部結構 570
7.3.3 AD9512的套用電路設計 574
7.4 AD9540 655 MHz低抖動時鐘發生器電路 576
7.4.1 AD9540主要技術特性 576
7.4.2 AD9540 引腳功能與內部結構 576
7.4.3 AD9540的套用電路設計 579
7.5 ADF4001 200 MHz鎖相環時鐘發生器電路 580
7.5.1 ADF4001主要技術特性 580
7.5.2 ADF4001的引腳功能與內部結構 580
7.5.3 ADF4001的套用電路設計 581
7.6 MC12439 50~800 MHz PLL時鐘發生器電路 584
7.6.1 MC12439主要技術特性 584
7.6.2 MC12439的封裝形式與引腳功能 584
7.6.3 MC12439的套用電路設計 587
7.7 MPC9229 400 MHz低電壓時鐘發生器電路 588
7.7.1 MPC9229晶片主要技術特性 588
7.7.2 MPC9229引腳功能與內部結構 589
7.7.3 MPC9229套用電路設計 592
7.8 MPC9992 400 MHz PLL時鐘發生器電路 594
7.8.1 MPC9992主要技術特性 594
7.8.2 MPC9992引腳功能與內部結構 595
7.8.3 MPC9992套用電路 596
參考文獻 598