現代原子發射光譜分析

《現代原子發射光譜分析》是1999年科學出版社出版的圖書，作者是江祖成 田笠卿 馮永來。本書重點論述原子發射光譜分析中的最新領域。

基本介紹

• 書名：現代原子發射光譜分析
• 作者：江祖成 田笠卿 馮永來
• ISBN：9787030072832
• 頁數：525
• 定價：38.00 元
• 出版社：科學出版社 
• 出版時間：1999-11-01
• 裝幀：硬精裝
• 開本： 32 開

圖書信息

現代原子發射光譜分析

ISBN： 7-03-007283-9/O·1087

類別： 分析化學及儀器 頁數： 525 頁

內容簡介

原子發射光譜分析（M）是原子光譜分析中最重要的組成部分，內容豐富，套用性強，在材料科學、環境科學和生命科學中有著廣泛的套用．包括電漿（ICP，MIP，M）原子發射光譜分析、電漿質譜分析（ICPMS）、輝光放電（GD）原子光譜/$譜分析、進樣技術、聯用技術以及各種新技術、新方法的實際套用．此外，對電漿光譜中的基礎理論問題也進行了討論．

目錄

第一章直流電漿光譜分析

1.1DCP發展簡況

1.2DCP光譜儀器

1.2.1DCP光源的構造和操作參數

1.2.2DCP光譜儀

1.3DCP的激發溫度及分布

1.4DCP的電子密度及分布

1.5DCP中譜線強度的分布

1.6DCP體系是否處於局部熱力學平衡(LTE)

1.7干擾效應

1.8分析性能

1.9進樣技術

1.9.1溶液霧化

1.9.2電熱蒸發

1.9.3懸浮體霧化

1.9.4氫化物發生

1.9.5其它進樣技術

1.10DCP?AES與ICP?AES的比較

化學分離預富集技術在DCP?AES中的套用

1.12分析套用

參考文獻

第二章微波電漿光譜分析

2.1概述

2.2微波電漿的形成與穩定

2.3形成微波電漿的裝置

2.3.1諧振腔

2.3.2Surfatron

2.3.3電漿炬

2.4微波電漿的基本性質

2.5微波電漿原子發射光譜法的分析性能及局限性

2.6試樣引入技術

2.6.1電熱蒸發進樣

2.6.2氣體發生進樣

2.6.3溶液霧化進樣

2.6.4其它進樣技術

2.7MIP作為氣相色譜的檢測器

2.7.1一般性評價

2.7.2GC與MIP檢測器之間的接口技術

2.7.3GC?MIP?AES的套用

2.8MIP?AES在痕量形態分析中的套用

2.8.1GC?MIP?AES

2.8.2LC?MIP?AES

2.8.3SFC?MIP?AES

參考文獻

第三章電感耦合電漿質譜分析法(ICP?MS)

3.1引言

3.2ICP?MS原理

3.3ICP?MS裝置

3.3.1炬管與電漿

3.3.2進樣系統

3.3.3離子提取系統

3.3.4真空系統

3.3.5離子分離與檢出系統

3.3.6檢出限

3.4四極質譜儀的工作原理

3.5高分辨電感耦合電漿質譜(HP?ICP?MS)

3.6電感耦合等離子質譜分析的套用

3.6.1水樣分析

3.6.2其它類樣品分析

參考文獻

第四章輝光放電原子發射光譜及質譜分析

4.1概述

4.2輝光放電裝置及基本原理

4.3輝光放電過程

4.3.1陰極濺射原子化

4.3.2待測物的激發和電離

4.4輝光放電裝置的供能方式

4.4.1直流輝光放電(dc?GD)

4.4.2射頻輝光放電

4.4.3脈衝輝光放電

4.5磁場增強和微波增強輝光放電

4.5.1磁場增強GD

4.5.2微波增強GD

4.6輝光放電原子發射光譜(GD?AES)

4.6.1分析性能

4.6.2分析套用

4.7爐原子化非熱激發光譜

4.8輝光放電質譜(GD?MS)

4.8.1概述

4.8.2分析儀器

4.8.3定理分析

4.8.4分析套用

4.9輝光放電深度輪廓分析

4.9.1輝光放電深度輪廓分析原理

4.9.2GD?AES深度輪廓分析

4.9.3GD?MS深度輪廓分析

4.9.4輝光放電深度輪廓分析的套用

4.9.5GD深度輪廓分析存在的問題

4.10輝光放電的優點及局限性

4.10.1輝光放電的優點

4.10.2分析輝光放電的局限性

4.11GD技術的發展趨勢和前景

參考文獻

第五章電感耦合電漿光譜法中的幾個問題

5.1分析信號與分析物質濃度的關係

5.2分析物質激發電離機理

5.3溶液氣溶膠傳輸機制

5.4ICP?AES干擾機理和干擾函式

5.5ICP?AES檢出限方程

5.6ICP?AES的精密度

參考文獻

第六章電感耦合電漿原子發射光譜分析中的干擾效應校正

6.1經驗係數和干擾因子校正法

6.2光譜干擾係數校正法(K係數法)

6.3次因子重疊設計分析法

6.4光譜干擾的模擬和預測

參考文獻

第七章氫化物原子光譜

7.1氫化物的發生

7.1.1概述

7.1.2氫化物的釋放

7.1.3氫化物的傳輸

7.1.4氫化物發生法

7.1.5連續流動法和流動注射法氫化物發生系統的實驗裝置

7.1.6間歇批量式氫化物發生系統

7.1.7氫化物發生法之間靈敏度的比較

7.2氫化物原子化或離子化

7.2.1原子吸收原子化器中氫化物的原子化

7.2.2電漿中氫化物的原子化及離子化

7.3氫化物光譜法中的干擾

7.3.1干擾類型

7.3.2液相中的干擾

7.3.3氣相中的干擾

7.3.4干擾機理

7.3.5干擾除去

7.4氫化物法在各個氫化物元素測定中的套用

7.4.1銻

7.4.2砷

7.4.3鉍

7.4.4鍺

7.4.5鉛

7.4.6硒

7.4.7碲

7.4.8錫

參考文獻

第八章氣體發生進樣技術

8.1概述

8.2氫化物發生(HG)進樣

8.2.1氫化物發生裝置

8.2.2影響氫化物形成的因素

8.2.3干擾影響的消除方法

8.2.4干擾機理

8.2.5幾種不同的氫化物發生/原子光譜檢測技術的分析性能比較

8.2.6流動注射進樣技術在HG/ICP?AES中的套用

8.2.7氫化物發生與分離富集技術聯用

8.2.8氫化物發生(HG)進樣技術的新近發展

8.3形成金屬烷基化合物進樣

8.3.1概述

8.3.2儀器裝置

8.3.3影響因素

8.3.4烷基化合物形成的產率

8.3.5有機介質的影響

8.3.6干擾效應

8.3.7分析套用

8.4形成易揮發單質進樣

8.4.1汞的測定

8.4.2碘的測定

8.5形成揮發性金屬螯合物進樣

8.6形成其它易揮發物質進樣

參考文獻

第九章流動注射進樣技術

9.1流動注射分析的原理和特點

9.2FI儀器裝置

9.3FI線上稀釋技術

9.3.1改變管的尺寸

9.3.2改變注入體積

9.3.3合併帶法

9.3.4區域採樣法

9.3.5串級注射法

9.4FI體系中的標準加入法

9.4.1合併帶標準加入法

9.4.2反相流動注射標準加入法

9.5FI體系中有機溶劑的套用

9.6線上沉澱?溶解技術

9.7線上共沉澱?溶解分離預富集技術

9.8線上液/液萃取

9.9線上微柱分離/預富集技術

9.9.1概述

9.9.2柱填充材料

9.9.3線上柱預富集流路

9.9.4評價指標

9.9.5影響柱效率的因素

9.9.6分析套用

9.9.7流動注射(FI)/吸附萃取

9.10線上電解

9.11線上蒸氣發生

9.12其它線上技術

9.12.1線上氣體擴散和滲析

9.12.2線上消化制樣

9.13FI/原子光譜間接分析法

9.14FI/形態分析

參考文獻

第十章電熱蒸發進樣技術

10.1概述

10.2電熱蒸發的工作原理和一般操作

10.3電熱蒸發裝置的設計

10.3.1概述

10.3.2改進的電熱蒸發裝置

10.3.3特殊的電熱蒸發裝置

10.4ETV操作參數的最佳化

10.4.1載氣流速

10.4.2升溫條件

10.5化學改進劑的作用

10.6與分離富集技術結合

10.7直接固體進樣

10.8電熱蒸發電感耦合電漿原子發射光譜分析(ETV?ICP?AES)

10.8.1分析性能

10.8.2基本效應

10.8.3多元素同時檢測

10.8.4分析套用

10.9電熱蒸發電感耦合電漿質譜(ETV?ICP?MS)

10.9.1分析性能

10.9.2基本效應

10.9.3同位素比測量

10.9.4多元素同時測定

10.9.5ETV?ICP?MS的分析套用

10.10電熱蒸發微波誘導電漿原子發射光譜(ETV?MIP?AES)

10.10.1分析性能

10.10.2非金屬元素的測定

10.10.3干擾效應

10.10.4分析套用

10.11其它電漿光譜分析中的電熱蒸發進樣技術

10.11.1直流電漿光譜分析(DCP?AES)

10.11.2爐原子化電漿發射光譜分析(FAPES)

10.11.3亞穩態氮餘輝放電

10.12展望

參考文獻

第十一章雷射燒蝕進樣技術

11.1ICP?AES中固體進樣方法

11.1.1概述

11.1.2固體進樣方法

11.2雷射氣體進樣

11.2.1概述

11.2.2雷射氣化原理

11.2.3調Q技術

11.3雷射燒蝕固體進樣方法的進展

11.4聲光調Q雷射燒蝕氣體進樣

11.4.1脈衝雷射的提出

11.4.2聲光調Q雷射燒蝕

11.5雷射燒蝕進樣的套用前景

參考文獻

第十二章電漿原子發射光譜和質譜形態分析

12.1引言

12.2毛細管電泳(CE)電漿質譜(ICP?MS)和原子光譜(ICP?AES)的元素形態分析

12.2.1毛細管電泳的原理

12.2.2毛細管電泳電漿質譜和原子光譜法的接口

12.2.3毛細管電泳電漿質譜或光譜法在元素形態分析中的套用

12.3高效液相色譜(HPLC)、離子色譜(IC)和離子交換色譜(IEC)電漿質譜和光譜形態分

析

12.4氫化物發生(HG)電漿制譜和光譜形態分析法

12.4.1引言

12.4.2氫化物法形態分析原理

12.4.3氫化物發生電漿質譜和光譜法在形態分析的套用

參考文獻

第十三章HPLC?ICP?AES聯用技術在元素化學形態分析中的套用

13.1引言

13.2HPLC?ICP?AES聯用接口

13.2.1接口的作用和要求

13.2.2HPLC?ICP?AES聯用的主要幾種接口

13.3HPLC?ICP?AES在元素化學形態分析中的套用

13.3.1砷的形態分析

13.3.2錫的形態分析

13.3.3HPLC?ICP?AES在形態分析中的套用

參考文獻

第十四章色譜/電感耦合電漿質譜聯用技術及形態分析

14.1概述

14.2高效液相色譜(HPLC)?ICP?MS

14.2.1HPLC?HCP?MS聯用的接口技術

14.2.2用於HPLC?ICP?MS形態分析的液相色譜類型

14.3氣相色譜(GC)?ICP?MS

14.3.1引言

14.3.2GC?ICP?MS的接口技術

14.3.3GC?ICP?MS形態分析的試樣預處理

14.3.4GC?ICP?MS形態分析套用

14.4超臨界流色譜(SFC)?ICP?MS

14.5毛細管電泳(CE)?ICP?MS

14.6色譜/ICP?MS聯用技術形態分析的發展趨勢

參考文獻

第十五章電感耦合電漿原子發射光譜(ICP?AES)在高純稀土分析中的套用

15.1引言

15.2ICP?AES直接分析法

15.3化學分離預富集ICP?AES

15.4基體效應及其補償

15.5有機溶劑增敏效應

15.6HPLC?ICP?AES在高純稀土分析中的套用

參考文獻

第十六章電感耦合電漿質譜(ICP?MS)在痕量稀土分析中的套用

16.1概述

16.2ICP?MS直接分析法

16.2.1高純稀土分析

16.2.2地質試樣分析

16.2.3生物/環境試樣分析

16.3質譜干擾

16.4基體效應

16.5化學分離/預富集技術的套用