基本介紹
- 中文名：王德亮
- 出生日期：1967年
- 畢業院校：德國格廷根大學
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：凝聚態物理，半導體物理與器件
- 職務：中國科學技術大學博士生導師
- 職稱：中國科學技術大學教授
- 任職院校：中國科學技術大學
人物經歷,科研成果,研究方向,論文專著,
人物經歷
1989年畢業於北京科技大學物理系；
1992獲中國科學院固體物理研究所碩士學位；
1997年獲德國格廷根大學自然哲學博士學位。
科研成果
王德亮先後在德國格廷根大學、日本原子技術聯合研究中心, 美國和香港科技大學等學習和研究工作10年，一直在國際上的研究機構從事研究工作。回國後，先後設計和建立多套國內最先進的薄膜材料製備設備。實驗室的主要研究方向是半導體薄膜和太陽能電池製備。實驗室具有多種薄膜製備設備和表征手段。我們的目標是製備高轉換效率的太陽能電池，因此研究生可以學到貨真價實的知識及研究經驗。畢業的研究生，在社會上的就業競爭力很強。 王德亮自1993年以來，在SCI收錄的較高影響因子刊物上共發表60餘篇學術論文,論文被廣泛引用，被引用近500次。發表的刊物包括：Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Electronic Device Letter等。多次被邀請在大型國際會議作口頭報告。現我們製備的CdTe太陽能電池轉化效率達到14.6%，處於國際領先水平。
研究方向
1、凝聚態物理
2、半導體物理與器件
論文專著
(1) Dye-sensitized solar cells with modified TiO2 surface chemical states: the role of Ti3+ - Appl. Phys. Lett. - 2011 - 99, 192104 (2011).
(2) Thin film CdTe solar cells with an absorber layer thickness in micro- and sub-micrometer scale - Appl. Phys. Lett. - 2011 - 99, 143502 (2011).
(3) Study of interdiffusion reaction at the CdS/CdTe interface - J. Materials Research - 2011 - 26, 697 (2011).
(4) Effect of CdCl2 annealing treatment on thin CdS films prepared by chemical bath deposition - Thin Solid Films - 2010 - 518, 6858 (2010).
(5) in-situ observation of phase formation in a Cu-In-2Se precursor layer using micro-Raman scattering spectroscopy - J. Materials Research - 2009 - 24, 2373 (2009).
(6) P-type CuInSe2 thin films prepared by selenization of one-step electrodeposited precursors - J. Materials Research - 2009 - 24, 2293 (2009).
(7) Lattice vibration fundamentals in nanocrystalline anatase investigated with Raman scattering - J. Phys.: Condens. Matter - 2008 - 20, 085212 (2008).
(8) Lattice vibration fundamentals of nanocrystalline anantase: temperature-dependent study using micro-Raman scattering spectroscopy - J Appl Phys. - 2007 - 101, 113501 (2007).
(9) Lattice Vibration Fundamentals of Anatase Nanocrystalline TiO2 Thin Films Detected Using Unpolarized Infrared Spectroscopy - Chemistry Letters - 2006 - 35, 884 (2006).
(10) Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique - Applied Physics Letters - 2006 - 88, 041913 (2006).
(11) Micro-Raman scattering study of stress distribution in GaN films grown on patterned Si(111)by metalorganic chemical vapor deposition - Journal of Applied.Physics - 2005 - 97(2005)
(12) Characterization of GaN grown on patterned Si(111) substrate - Journal of Crystal Growth - 2004 - 272
(13) Si-doped cubic GaN grown on Si(001)substrate coated with a thin flat SiC buffer layer - Applied Physics Letters - 2002 - 80
(14) Initial growth of hexagonal GaN grown on a Si(111)substrate coated with an ultra-thin SiC buffer layer - Journal of Crystal Growth - 2002 - 236
(15) Dislocation core structures in GaN grown on Si(111)subtrate - Philosophy Magazine Letters - 2002 - 82
(16) Growth of Hexagonal GaN on si(111) Coated with a Thin Flat SiC Buffer Layer - Applied Physics Letters - 2000 - 77
(17) Heteroepitaxial Growth of Cubic GaN on Si(001)Coated with Thin Flat SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy - Applied Physics Letters - 2000 - 76
