1988年至1996年在中科院長春套用化學研究所從事稀土配位化學研究，1994年晉升為副研究員。1996年赴日本留學，2000年獲九州工業大學工學博士。2000年5月至2004年8月在日本熊本縣縣立產業財團和廣島大學從事化學鍍銅的基礎研究以及在半導體、印刷電路板中的套用博士後研究。2004年9月受聘於陝西師範大學。
基本介紹
- 中文名：王增林
- 出生日期：1964年9月
- 畢業院校：日本九州工業大學(博士)日本廣島大學(博士後)
- 學位/學歷：教授/博士生導師
- 專業方向：化學鍍銅和電化學鍍銅技術
個人資料,研究方向,
個人資料
1988年至1996年在中科院長春套用化學研究所從事稀土配位化學研究，1994年晉升為副研究員。1996年赴日本留學，2000年獲九州工業大學工學博士。2000年5月至2004年8月在日本熊本縣縣立產業財團和廣島大學從事化學鍍銅的基礎研究以及在半導體、印刷電路板中的套用博士後研究。2004年9月受聘於陝西師範大學。
先後主持國家自然科學基金2項、教育部留學回國人員科研啟動基金1項、陝西省自然科學基金1項、西安套用材料創新基金1項、企業合作項目2項。在國內外重要刊物及學術會議發表論文50餘篇，其中SCI收錄的國際期刊30餘篇；申請中國發明專利1項，獲得日本發明專利7項，其中3項同時獲美國專利。
研究方向
(1)無甲醛化學鍍銅溶液的研究；
(2) 超級化學鍍銅體系和超級電鍍銅體系的基礎研究及套用；
(3) 環境友好的表面微蝕技術研究。
(2) 超級化學鍍銅體系和超級電鍍銅體系的基礎研究及套用；
(3) 環境友好的表面微蝕技術研究。
代表性成果 |
Zhifeng Yang, Na Li, Xu Wang, Zhixiang Wang, and Zenglin Wang,Bottom-Up Filling in Electroless Plating with an Addition of PEG–PPG Triblock Copolymers, Electrochem. Solid-State Lett., 2010, 13(7), D947-49 . Zhixin Li, Na Li, Lie Yin, Yue He, and Zenglin Wang, An environment-friendly surface pretreatment of ABS resin prior to electroless plating,Electrochem. Solid-State Lett., 2009, 12(12), D92-95 Zenglin Wang, Zonghuai Liu, Zupei Yang, Shoso Shingubara. Characterization of sputtered tungsten nitride film and its application to Cu electroless plating. Microelectron. Eng. 2008, 85, 395-400 Zenglin Wang, Zhijuan Liu, Hongyan Jiang, Xiu Wei Wang. Bottom-up fill mechanisms of electroless copper plating with addition of mercapto alkyl carboxylic acid. J. Vac. Sci. Technol. B, 2006, 24(2), 803-806 Zenglin Wang, Shoso Shingubara, Hiroyuki Sakaue, Takayuki Takahagi. Bottom-up copper fill with addition of mercapto alkyl carboxylic acid in electroless plating. Electrochimi. Acta. 2006, 51, 2442-2446 Zenglin Wang, Shoso Shingubara, Hiroyuki Sakaue, Takayuki Takahagi. Characterization of electroless-plated Cu film over Pd catalytic layer formed by an ionized cluster beam. J. Electrochem. Soc. 2005,152 (10), C682-C687 Zenglin Wang, Osamu Yaegashi, Hiroyuki Sakaue, Takayuki Takahagi and Shoso Shingubara. Bottom-up fill for submicrometer copper via holes of ULSIs by electroless plating. J. Electrochem. Soc. 2004, 151(12), C781-C785 Zenglin Wang, Osamu Yaegashi, Hiroyuki Sakaue, Takayuki Takahagi and Shoso Shingubara. Effect of additives on hole fill property in electroless copper plating. Jpn. J. Appl. Phys. 2004, 43(10), 7000-7001 Zenglin Wang, Osamu Yaegashi, Hiroyuki Sakaue, Shoso Shingubara and Takayuki Takahagi. Suppression of native oxide growth in sputtered TaN films and its application for Cu electroless plating. J. Appl. Phys. 2003, 97(7), 4697-4701 Zenglin Wang, Osamu Yaegashi, Hiroyuki Sakaue, Takayuki Takahagi and Shoso Shingubara. Highly adhesive electroless Cu layer formation by ultra thin ICB-Pd catalytic layer for sub 100 nm Cu interconnections. Jpn. J. Appl. Phys. Express Lett. 2003, 42(10B), L1223-L1225 Zenglin. Wang, T. Ida, H. Sawa, H. Sakaue, S. Shingubara and T. Takahagi. Electroless plating of copper on metal-nitride diffusion barriers initiated by displacement plating. Electrochem. Solid-State Lett. 2003, 6(3), C38-C41 |
