無位錯晶體(dislocation free crystal)是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名:無位錯晶體
- 外文名:dislocation free crystal
- 所屬學科:電子學
- 公布時間:1993年
無位錯晶體(dislocation free crystal)是1993年公布的電子學名詞。
無位錯晶體 無位錯晶體(dislocation free crystal)是1993年公布的電子學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《電子學名詞》第一版。
即採取高拉速將晶體直徑縮小到3mm左右,當其長度大於直徑的7-10倍時,位錯可滑移至表面而消失。同時因拉速較快,產生大量的空位,有利於位錯的攀移,從而將位錯排至晶體表面。在消失位錯後,再進行放肩,就相當於在無位錯晶體上生長。...
晶體(crystal)是由大量微觀物質單位(原子、離子、分子等)按一定規則有序排列的結構,因此可以從結構單位的大小來研究判斷排列規則和晶體形態。特徵 (1)自然凝結的、不受外界干擾而形成的晶體擁有整齊規則的幾何外形,即晶體的自范性...
逐層堆垛的原子構成一系列點陣平面的,稱為晶面(可以將晶體中原子的排列情況想像成把橙子規則地裝進箱子裡的樣子)。具體的排列情況如右圖所示。在無位錯的晶體(完整晶體)中,晶面(右圖中的紅色平行四邊形)以等間距規則地排列。刃...
隨後,舉行了兩次全國性的晶體缺陷和金屬強度的討論會。錢臨照和楊順華合寫了10萬字的《晶體中位錯理論基礎》赴會報告,後集結成冊出版,向那一代物理學工作者介紹了此領域的基本理論,對他們的科研與工作具有很大的指導意義。章節目錄 篇...
位錯是晶體中局部滑移區域的邊界線,即是晶體中的一種線缺陷;它是決定金屬等晶體力學性質的基本因素,也對晶體的其他許多性質(包括晶體生長)有著嚴重的影響。通過化學腐蝕可在晶體表面上觀察到位錯的露頭處——腐蝕坑。基本概念 典型...
一類觀察方法是利用缺陷在晶體表面或內部所引起的異常物理化學效應。觀察的工具為光學顯微鏡。F.C.夫蘭克於1947年指出螺型位錯在晶體表面露頭處會形成永填不滿的台階,它促進在低過飽和度條件下晶體的生長,其後果為在生長表面留下螺線...
《晶體位錯理論基礎(第一卷)》是1988年科學出版社出版圖書,作者是楊順華。內容簡介 《晶體位錯理論基礎(第1卷)》主要內容:位錯理論起源於用彈性體中位錯的行為來解釋晶體的范性性質,爾後發展成為晶體缺陷理論的一個重要獨立部分。現...
晶體中的位錯環(Dislocation ring) 是晶體中的一種環形刃位錯線。一般的刃位錯是一種貫穿整個晶體的一種線狀晶體缺陷,而位錯環是構成環狀的一種晶體缺陷。位錯環的形成機理:在溫度較高時,晶體中有較多的空位(熱缺陷),當許多空位...
《晶體位錯理論基礎(第二卷)》是1998年科學出版社出版的圖書,作者是楊順華、丁棣華。內容簡介 位錯理論起源於用彈性體中位錯的行為來解釋晶體的范性性質,爾後發展成為晶體缺陷理論的一個重要獨立部分。現代位錯理論已是金屬力學性質...
逐層堆垛的原子構成一系列點陣平面的,稱為晶面(可以將晶體中原子的排列情況想像成把橙子規則地裝進箱子裡的樣子)。在無位錯的晶體(完整晶體)中,晶面以等間距規則地排列。③一個刃位錯附近的晶面排列情況,如圖1所示黑線代表伯格斯...
晶體對稱 晶體對稱(crystal symmetry)是1993年公布的地質學名詞。公布時間 1993年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《地質學名詞》第一版。
螺型位錯的晶體結構如圖1所示。設立方晶體右側受到切應力τ的作用,其右側上下兩部分晶體沿滑移面ABCD發生了錯動如圖1中(a)所示,這時已滑移區和未滑移區的邊界線bb'平行於滑移方向。圖中1(b)是bb'附近原子排列的俯視圖,圖1中...
這一理論可以解釋實際晶體中位錯的行為:可以在晶體中移動位置,但自身的種類和特徵在移動中保持不變;方向(伯格斯矢量)相反的兩個位錯移動到同一點,則會雙雙消失,或稱"湮滅",若沒有與其他位錯發生作用或移到晶體表面,那么任何單個...
若堆垛層錯不是發生在晶體的整個原子面上而只是部分區域存在,那么,在層錯與完整晶體的交界處就存在柏氏矢量不等於點陣矢量的不全位錯。在面心立方晶體中有兩種重要的不全位錯:肖克萊(Shockley)不全位錯和弗蘭克(Frank)不全位錯。
由於這種方法比較簡便,能生長質地優良的近完整單晶,特別是美國達什(W.C.Dash)提出縮頸-細頸工藝之後,能生長無位錯和少位錯大直徑單晶。在沒有籽晶時,也可慢速拉成細頸使得某一晶粒充分發育,以至細頸僅包含一個晶粒,這樣繼續生長也可...
位錯源是晶體中位錯開始發生的部位。是晶體學學科之一,是晶體中位錯開。位錯可在晶體生成過程中產生,也可在晶體形成後於應力集中處開始發生。簡介 位錯的產生可分為兩大類:增殖與成核。當晶體中無位錯源時,新位錯的產生必須靠成核...
最後,第5章不再把晶體結構看做由原子組成的具有嚴格周期性的系統,而是看做存在各種缺陷的實際結構.這一章對晶體缺陷的主要類型進行了分類和分析,重點介紹位錯理論.這些知識有助於我們理解卷3涉及的實際晶體結構的形成機制.同時,它們還...
當晶體的某一層長到足夠大且達到一定邊界時,由於來自溶液中的離子在完整表面上不能找到有效吸附點而使晶體的生長停止,單個表面晶核和溶液之間達成不穩定狀態。3.位錯控制機理 當溶液的飽和比小於2 時,表面成核速率極低,如果每個表面晶...
對於單晶除了要求純度高和摻雜劑分布均勻以外,往往還要求有良好的晶體完整性。例如,半導體器件製造中常要求有低位錯或無位錯矽單晶。無位錯直拉單晶是靠“細頸”技術達到的。即使是用無位錯單晶作籽晶浸入熔體後,由於熱衝擊和表面張力...
第3章 晶體位錯的微觀和巨觀描述 3.1 晶體位錯理論 3.1.1 刃型位錯和螺型位錯 3.1.2 晶體缺陷和Burgers矢量 3.2 位錯理論的斷裂力學描述 3.2.1 裂紋的分類 3.2.2 裂紋對材料強度的影響 3.3 位錯理論的地學描述...
《晶體材料中的界面》包括晶體材料中界面的結構、熱力學、動力學和性質4個密切相關的部分。第1章至第4章介紹界面結構,包括界面幾何、位錯模型、原子間相互作用和原子結構等。第5章至第7章介紹界面熱力學,包括界面相和相變、固溶原子偏...
“晶體提拉法”是利用籽晶從熔體中提拉生長出晶體的方法。該方法能在短期內生長出大而無位錯的高質量單晶,是由J丘克拉斯基 在1917 年首先發明的,所以又稱丘克拉斯基法。大多數氧化物類晶體如紅寶石、藍寶石、人造釔鋁榴石(YAG).人...
我們再來討論在同樣的條件下,晶體的徑向(垂直於提拉方向)生長速率起伏所產生的結果。7.收尾 收尾的作用是防止位錯反延。在拉晶過程中,當無位錯生長狀態中斷或拉晶完成而使晶體突然脫離液面時,已經生長的無位錯晶體受到熱衝擊,其熱...
晶體缺陷 生產電子器件用的矽單晶除對位錯密度有一定限制外,不允許有小角度晶界、位錯排、星形結構等缺陷存在。位錯密度低於 200/厘米2者稱為無位錯單晶,無位錯矽單晶占產量的大多數。在無位錯矽單晶中還存在雜質原子、空位團、自間隙...
除了三種缺陷外,晶體中還存在很多其他缺陷,如在對無位錯單晶研究中發現晶體中存在微缺陷,在製作無位錯矽單晶中發現了密度很大且線度很小的缺陷群。缺陷類型 編輯 點缺陷 最常見的點缺陷是“晶格空位”和“間隙原子”。當晶格中的某些...
矽材料資源豐富,又是無毒的單質半導體材料,較易製作大直徑無位錯低微缺陷單晶。晶體力學性能優越,易於實現產業化,仍將成為半導體的主體材料。相關區別 單晶矽和多晶矽的區別 單晶矽和多晶矽的區別是,當熔融的單質矽凝固時,矽原子以金剛石...
使位錯前進一個原子間距,所要求原子的移動距離是很小的,而且隨著位錯的運動,在一些原子勢能升高的同時另一些原子勢能降低,總能量變化很小,所以晶體以位錯運動的機制逐步滑移,比無位錯完整晶體作剛性相對滑移所需的力要小得多;在後...
就是實際晶體中位錯的柏氏矢量。 a)實際晶體 b) 完整晶體 右手法則 刃型位錯的柏氏矢量與位錯線垂直,其正負可用右手法則確定, (通常先人為地規定位錯線的方向,然後用右手食指表示位錯線的方向,讓柏氏矢量的方向垂直進入掌心,此時...