溝道電荷注入，在金屬-氧化物-半導體（MOS）器件導通或關斷的瞬間，溝道區內的電荷流入或流出MOS開關，改變對應節點的電壓，引入誤差的現象。對於分立器件，可採用互補型金屬-氧化物-半導體（CMOS）結構減小溝道電荷注入的影響；對於電路級，可採用全差分結構，將電荷注入導致的誤差作為共模干擾加以抑制。
基本介紹
- 中文名：溝道電荷注入
- 所屬學科：化學
溝道電荷注入，在金屬-氧化物-半導體（MOS）器件導通或關斷的瞬間，溝道區內的電荷流入或流出MOS開關，改變對應節點的電壓，引入誤差的現象。對於分立器件，可採用互補型金屬-氧化物-半導體（CMOS）結構減小溝道電荷注入的影響；對於電路級，可採用全差分結構，將電荷注入導致的誤差作為共模干擾加以抑制。