活性反應離子鍍原理和設備結構簡單。圖一為活性反應離子鍍膜機結構示意圖。活性反應離子鍍工藝過程,工件經清洗入爐後抽真空。當真空度達到6x10Pa後,開啟烘烤加熱電源,對工件進行加熱。達到一定溫度後通人氦氣,真空度降至2~3Pa,接通工件偏壓電源,電壓調至1000V。此時產生輝光放電,獲得氦離子。氨離子在負偏壓電場的作用下,對工件進行轟擊淨化。
基本介紹
- 中文名:活性反應離子鍍技術
- 類型:熱處理工藝方法
活性反應離子鍍原理和設備結構簡單。圖一為活性反應離子鍍膜機結構示意圖。活性反應離子鍍工藝過程,工件經清洗入爐後抽真空。當真空度達到6x10Pa後,開啟烘烤加熱電源,對工件進行加熱。達到一定溫度後通人氦氣,真空度降至2~3Pa,接通工件偏壓電源,電壓調至1000V。此時產生輝光放電,獲得氦離子。氨離子在負偏壓電場的作用下,對工件進行轟擊淨化。
“離子鍍”就是近十幾年來發展起來的一種最新的真空鍍膜技術。簡介 離子鍍在真空條件下,利用氣體放電使氣體或被蒸發物質部分電離,並在氣體離子或被蒸發物質離子的轟擊下,將蒸發物質或其反應物沉積在基片上的方法。其中包括磁控濺射離子...
1463射頻離子鍍48 1464空心陰極離子鍍49 1465活性反應離子鍍52 2化學氣相沉積54 21化學氣相沉積的特點和分類54 211化學氣相沉積的特點54 212化學氣相沉積技術的分類55 22CVD反應類型55 2...
3.7活性反應離子鍍 3.8空心陰極離子鍍 3.9熱絲弧槍離子鍍 3.10電弧離子鍍 3.11磁控濺射鍍 3.12離子束及其在氣相沉積方面的套用 參考文獻 第4章 電漿增強化學氣相沉積技術 1 電漿增強化學氣相沉積技術機理 2 等離子氣體...
本書共分9章,內容包括20世紀下半葉以來高分子化學領域中出現的最重要的新技術和新方法,書中介紹了各種新技術的發展歷史、基本原理,主要套用和發展方向。圖書目錄 第1章離子型活性聚合 1.1概述 1.2陰離子活性聚合 1.2.1陰離子...
離子鍍膜技術最早在1963年由D.M.Mattox提出。1972年,Bunshah&Juntz推出活性反應蒸發離子鍍(AREIP),該方法可以沉積TiN、TiC等超硬膜。1972年Moley&Smith發展完善了空心熱陰極離子鍍,1973年又發展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀80年代又...
685磁控濺射離子鍍膜裝置 686真空陰極電弧離子鍍膜裝置 687冷電弧陰極離子鍍膜裝置 688熱陰極強流電弧離子鍍裝置 參考文獻 第7章離子束沉積與離子束輔助沉積 71離子束沉積技術 711離子束沉積原理及特點...
在真空條件下可減少蒸發材料的原子、分子在飛向塑膠製品過程中和其他分子的碰撞,減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應(如氧化等),從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等於或低於10...