汪煉成

汪煉成，男，物理電子學博士，中南大學特聘教授，博士生導師，微電子科學與工程系副主任，高性能複雜製造國家重點實驗室研究員。

基本介紹

• 中文名：汪煉成
• 學位/學歷：博士
• 職業：教師
• 專業方向：物理電子學
• 任職院校：中南大學

個人經歷

教育經歷

[1]2004.9-2008.7

中南大學| 材料科學與工程學院| 學士學位| 大學本科畢業

[2]2008.9-2013.7

中國科學院大學，中國科學院半導體研究所，中國科學院半導體照明中心| 物理電子學| 博士學位| 博士研究生畢業

工作經歷

[1]2013.7-2015.4

新加坡南洋理工大學電力與電子工程系，卓越半導體發光與顯示中心 博士後研究員

[2]2015.4-2015.12

新加坡科技與設計大學工程研究中心，新加坡科技-麻省理工學院聯合設計中心 博士後研究科學家

[3]2016.1-2018.4

英國謝菲爾德大學氮化物材料與器件研發中心, EPSRC 英國國家III-V族半導體研發中心 研究員

[4]2017.7-至今

機電工程學院，高性能複雜製造國家重點實驗室| 中南大學 特聘教授，博士生導師

社會兼職

• [1]IEEE會員, OSA 永久會員
• [2]《中南大學學報（英文版）》青年編委。註：《中南大學學報（英文版）》入選“中國科技期刊卓越行動計畫梯隊期刊項目”
• [3]第三代半導體聯盟青委會委員
• [4]國家留學基金委評審專家，湖南江西等省科技獎評審專家
• [5]Nanoscale, Nano Energy等雜誌審稿人

研究方向

• [1] 先進GaN基LED器件和集成系統
• [2] IGBT及寬禁帶半導體功率模組

學術成果

論文成果

[1] Lei Zhang; Hao Yu; Lingxing Xiong; Wenhui Zhu; Liancheng Wang. The modification of ultraviolet illumination to resistive switching behaviors in Ga2O3 memory device

[2] Y. B. Zhao, P. P. Li, H. J. Li, C. J. Mao, Z. H. Zhang, Z. C. Li, Y. Y. Zhang, Liancheng Wang, X. Y.. Ultra-high efficient 527 nm InGaN green light-emitting diodes by MOCVD Optics Express (Accepted),

[3] G. L. Li, G. Zheng, Z. Ding, L. Shi, J. H. Li, Z. Chen, Liancheng Wang, Andrew A.O. Tay, W. H. Zhu. High-performance ultra-low-k fluorine-doped nanoporous organosilica films for interlayer dielectric Journal of Materials Science,

[4] Linhao Guo, Zelin Hu, Rongqiao Wan, Linyun Long, Tao Li, Jianchang Yan, Lei Zhang, Wenhui Zhu, and L. Design of Aluminum Nitride Metalens for Broadband Ultraviolet Incidence Routing [J]. Nanophotonics,

[5] Wan R Q, Li T, Liu Z Q, Yi X Y, Wang J X, Li J M, Liancheng Wang,*. Theoretical Analysis of Current diffusion and efficiency droop in vertical light emitting diodes Chinese Physics B, 2018

[6] Lei Zhang, Cheng Wu, Jun Liu, Xiaoning Zhao,* Zhongqiang Wang, Haiyang Xu, Liancheng Wang,* and Yich. The Nature of Lithium-Ion Transport in Low Power Consumption LiFePO4 Resistive Memory with Graphite as Electrode Phys. Status Solidi RRL, 2018,

[7] Rongqiao Wan, Linhao Guo, Tao Li, Lingxing Xiong, Siyuan Xu, Junhui Li, Wenhui Zhu, Liancheng Wang*. Theoretical Analysis of Lattice-Mediated Plasmon Resonance using Finite-difference Time-domain Method J. Nanosci. Nanotechnol (Accepted),

[8] Lei Zhang, Liancheng Wang*, Xiaoning Zhao. Multilevel resistive switching in pn heterostructure memory J. Nanosci. Nanotechnol (Accepted),

[9] S. T. Wu, Liancheng Wang, Z. Q. Liu, X. X. Yi, T. Li, T. B. Wei, J. C. Yan, G. D. Yuan, J. X. Wang,. Horizontal GaN Nanowires Grown on Si (111) Substrate: the Effect of Catalyst Migration and Coalescence Nanotechnology,

[10] Z. Q. Liu, X. Y. Yi, Liancheng Wang*, G. D. Yuan, T. B. Wei, J. X. Wang, J. M. Li, Y. Shi, Y. Zhang. Impurity Resonant States p-doping layer for High Efficiency Nitride Based Light-Emitting Diodes Semicond. Sci. Technol, 33 (2018)

[11] L. Guo, S. Xu, R. Wan, T. Li, L. Xiong, W. Zhu, Liancheng Wang*. Metalens at Ultraviolet Spectrum [J]. Nanophoton, 12(4)

[12] H. Wu, Y. Wang, H. He, Z. Chen, Liancheng Wang, W. H. Zhu. Co-deposition of Nano-Size SiC Particles in Micro-Via.

[13] Y. Zhang, H. Li,L. Liu, P. Li, Liancheng Wang*, X. Yi,and G. Wang. UV-C whispering-gallery modes in AlN microdisks withAlGaN-based multiple quantum wells on Si substrate [J]. Nanophotonics, 12(4)

[14] S. T. Wu, Liancheng Wang, X. Y. Yi, Z. Q. Liu, T. B. Wei, G. D.Yuan, J. X. Wang, J. M. Li. Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires RSC Adv., 2018，8: 2181-2187

[15] S. T. Wu, Liancheng Wang, X. Y. Yi, Z. Q. Liu, T. B. Wei, G. D.Yuan, J. X. Wang, J. M. Li,. Ultrafast Growth of Horizontal GaN Nanowires by HVPE through Flipping the Substrate, [J]. Nanoscale. 2018. Accepted.,

[16] S. T. Wu, Liancheng Wang, X. Y. Yi, Z. Q. Liu, T. B. Wei, G. D.Yuan, J. X. Wang, J. M. Li,. Crystallographic orientation control and optical properties of GaN nanowires, [J]. RSC Advances,

[17] S. T. Wu, Liancheng Wang, X. Y. Yi, Z. Q. Liu, T. B. Wei, G. D.Yuan, J. X. Wang, J. M. Li,. Influence of lateral growth on the optical properties of GaN nanowires grown by HVPE [J]. J. Appl. Phys.122, (2017),

[18] Liancheng Wang*, Y. Y. Zhang, R. Chen, Z. Q. Liu, J. Ma, Z. Li, X. Y. Yi, H. J. Li, J. X. Wang, G.. Optically-pumped lasing with Q-factor exceeding 6000 from Wet-etched GaN Micro pyramids [J]. Opt. Lett., 2017, 42, 15, 2976,

[19] Liancheng Wang, Z.Li, Z.Liu, Y.Zhang, H.Li, X.Yi, J.Wang, G.Wang, J.Li. Nanostructure Nitride Light Emitting Diodes via Talbot Effect using Improved Colloidal Photolithography [J]. Nanoscale, 2017, 9, 7021,

[20] Y. Y Zhang, P. Li, A. Dehzangi, Liancheng Wang, H. Li, X.Yi and G. Wang. Optically-pumped Single-mode Deep-ultraviolet Microdisk Lasers with AlGaN-based Multiple Quantum Wells on Si Substrate [J]. IEEE Photonics Journal, Vol. 9, No. 5, October 20

科研項目

[1]中南大學特聘教授啟動基金 Professorship Start-up Funding,CSU (No. 217056), 寬禁帶半導體超構表面(Wide bandgap semiconductor metasurface)

專利成果

[1]一種基於可見光通信的調光調色溫系統

[2]一種深紫外LED鞋墊消毒器

[3]一種全彩氮化鎵基LED晶片立式封裝體

[4]深紫外LED殺菌消毒機器人

[5]一種柔性疊層基板LED封裝體

[6]一種無線控制的自由移動音樂LED彩虹燈

[7]氮化鎵基垂直結構發光二極體電極結構的製作方法

[8]套用石墨烯薄膜電流擴展層的氮化鎵基垂直結構LED

[9]氮化鎵基發光二極體電流阻擋層的製作方法

[10]晶圓級LED管芯整體集成封裝裝置

[11]氮化鎵基垂直結構發光二極體橋聯電極製備方法

[12]套用石墨烯薄膜作為載流子注入層的發光二極體

[13]套用石墨烯薄膜作為載流子注入層的垂直結構發光二極體

[14]製作柔性金字塔陣列GaN基半導體發光二極體的方法

[15]晶圓級垂直結構發光二極體封裝的方法

[16]製作微納金字塔氮化鎵基垂直結構發光二極體陣列的方法

[17]利用熱應力化學腐蝕分離藍寶石和氮化鎵基外延層的方法

[18]製作納米級柱形陣列氮化鎵基正裝結構發光二極體的方法

[19]自支撐氮化鎵襯底的製作方法

[20]氮化鎵基垂直結構發光二極體隱形電極的製作方法

[21]柵極調製正裝結構GaN基發光二極體的器件結構及製備方法

[22]柵極調製垂直結構GaN基發光二極體的器件結構及製備方法

[23]氮化鎵基垂直結構發光二極體轉移襯底的腐蝕方法

[24]氮化鎵基垂直結構發光二極體轉移襯底的二次電鍍方法

榮譽獎項

[1]國家留學基金委評審專家

[2]第二屆全國大學生網際網路+創新創業大賽全國銅獎

[3]第二屆全國網際網路+大賽北京地區一等獎

[4]首屆眾創杯中國北京創新創業大賽三等獎

[5]“首屆大學生創業”十強（央廣網）

[6]中國創新創業大賽，北京賽區前十

[7]中國人民大學第六屆創業之星特等獎

[8]中南大學優秀本科畢業生

[9]半導體所研究生學術委員會學生委員

[10]中國科學院半導體所五四青年交流三等獎

[11]中國科學院半導體所三好學生

[12]中國科學院半導體研究所所長獎

[13]中國科學院大學國家獎學金(博士)