氬離子刻蝕(argon ion etching)是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名:氬離子刻蝕
- 外文名:argon ion etching
- 所屬學科:物理學
- 公布時間:2019年
氬離子刻蝕(argon ion etching)是2019年公布的物理學名詞。
氬離子刻蝕(argon ion etching)是2019年公布的物理學名詞。公布時間2019年,經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處《物理學名詞》第三版。1...
離子銑,也稱為離子束刻蝕(IBE),是具有強方向性電漿的一種物理刻蝕機理。它能對小尺寸圖形產生各向異性刻蝕。電漿通常是由電感耦合RF源或微波源產生的。熱燈絲髮射快速運動的電子。氬原子通過擴散篩進入等離子腔體內。電磁場...
具有氬離子刻蝕、鍍膜及膜厚測量、樣品表面清洗等多種功能;渦輪分子泵搭配兩級隔膜泵保證了超潔淨環境。採用離子濺鍍方式可獲得顆粒細小非晶態膜,鍍膜精度為納米量級,且具有鍍膜速度快的特點,主要用於SEM、TEM、EPMA、EBSD樣品的製備和...
利用基於Monte-Carlo方法開發的SRIM軟體分別模擬計算了從離子束能量200~200keV,離子束入射角度0°~89°時熔石英表面原子的濺射產額以及氬離子導致的損傷。通過SRIM軟體模擬仿真,綜合考慮刻蝕效率和損傷深度,認為Ar離子能量控制在1keV以下...
其正離子經高壓(1~5 kV)電場加速轟擊工件而沉積在工件表面。氬正離子有清洗工件表面作用,可使膜層附著力大為提高。類似的方法還有活性離子蒸鍍、高頻離子蒸鍍、空心陰極離子蒸鍍等。(4)離子刻蝕:工作原理與陰極濺射類似,但更...
離子束刻蝕有兩種。一種是利用惰性氣體離子(如氬離子)在固體表面產生的物理濺射作用來進行刻蝕,一般即稱為離子束刻蝕。這種刻蝕方向性好,刻蝕精度高,可刻蝕任何材料,包括化學活性很差的材料。但是離子刻蝕的選擇性差,因為刻蝕速率主要...
採用質量損失方法驗證蒙特卡羅計算結果,通過對纖維素、木聚糖等細胞壁成分離子束濺射,分析離子能量、質量等對不同靶材料刻蝕的情況。實驗結果與Monte Carlo計算基本一致。纖維素作為細胞壁的最主要成分,受離子刻蝕程度較小。當在閾能附近濺...
離子銑技術的優點是表面加工精度非常高,表面損傷小。離子銑技術可以代替光刻工藝,用來刻蝕器件或電路圖形,它不僅刻蝕精度高,而且不會造成沾污或遺留雜質。但離子銑床比光刻機昂貴。離子銑裝置 離子銑技術是利用離子束對固體表面進行銑...
以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子轟擊材料表面,使其濺射出進入氣相,可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數稱為濺射產額(Yield)產額越高濺射速度越快,以Cu,Au,Ag等最高,Ti,Mo,Ta,W等最低。一般在0.1-10...
濺射工藝主要用於濺射刻蝕和薄膜澱積兩個方面。濺射刻蝕時,被刻蝕的材料置於靶極位置,受氬離子的轟擊進行刻蝕。刻蝕速率與靶極材料的濺射產額、離子流密度和濺射室的真空度等因素有關。濺射刻蝕時,應儘可能從濺射室中除去濺出的靶極...
我們最新發展的氬離子束刻蝕方法製備的自組織納米錐陣列晶體矽,不但有著強吸光性和高機械強度,還具有優良的外延結晶性,體內不存在外引缺陷,是一種新型的優質光伏晶矽材料。本項目將系統研究這種新型強吸光性晶矽材料的形成機制及其...
多功能電子能譜系統是用於電子能譜的系統。主要用途: 1、樣品的表面組成分析,化學狀態分析,取樣嘗試為~3nm; 2、可進行樣品表面的微區選點分析(包括點分析,線分析和面分析) 3、元素成分的深度分析(角分辨方式和氬離子刻蝕方式...
氮離子注入使TiO2、ZnO、SiO2吸收光譜的吸收邊發生紅移,可能是因為帶隙變窄或在帶隙中引入了雜質或缺陷能級,對MgO材料,在測試波長範圍內沒有發現影響;氮離子注入使ZnO的光致發光峰消失,對ZnO單晶在真空環境下進行氬離子刻蝕,可以使...
2. 維持10um以下的空間解析度元素成分包括化學態的深度分析(角分辨方式,,氬離子或團簇離子刻蝕方式)3. 線掃描或面掃描以得到線或面上的元素或化學態分布。4. 成像功能。5. 可進行樣品的原位處理 AES:1.可進行樣品表面的微區選點...
[11]氬離子刻蝕對高溫超導YBCO薄膜物理特性的影響,低溫物理學報, 2006, 28(2):134-137.榮譽獎項 2010年內蒙古科技大學青年教師教學技能大賽二等獎。2015年內蒙古科技大學教學成果獎二等獎。2006-2007學年度內蒙古科技大學“優秀班主任”;...
利用聚焦離子束刻蝕 (FIB) 、電子束曝光 (EBL) 、化學反應刻蝕 (RIE) 、氬離子束刻蝕 (AIE) 等微加工設備製備出直徑為 3 - 5 納米的納米接觸。發展了一種新的利用氮化矽薄膜製備納米接觸的新方法。榮譽 2021年,獲“典贊·2020...
主要儀器設備:PECVD系統、全自動光學鍍膜機、離子束刻蝕/鍍膜機、光刻機(4台)、光纖光波導耦合平台、氬離子雷射器等30餘台套。實驗隊伍 現有專兼職工作人員36人。職稱結構:教授12人,副教授12人,高級工程師3人,講師、實驗師8人...