《氧化鋅薄膜p-n結及其光電子特性研究》是依託中國科學技術大學,由傅竹西擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:氧化鋅薄膜p-n結及其光電子特性研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:傅竹西
- 依託單位:中國科學技術大學
- 批准號:10174072
- 申請代碼:A2002
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:2002-01-01 至 2002-12-31
- 支持經費:6(萬元)
《氧化鋅薄膜p-n結及其光電子特性研究》是依託中國科學技術大學,由傅竹西擔任項目負責人的面上項目。
《太陽電池光電器件研究:氧化鋅同質p-n結製備與表征》是化學工業出版社於2021年出版的書籍,作者是楊景景。內容簡介 本書介紹了通過調控氧化鋅的導電特性,可控地製備出電子導電和空穴導電的n型和p型半導體薄膜材料,並系統展示了矽基襯底上氧化鋅同質p-n結的結構、光學和電學特性。研究表明,採用在氧化鋅器件結構...
首創“Li+Al+N”三元共摻法,得到了高濃度p型薄膜,並在氧化鋅LED的研製中獲得重大進展,室溫下觀察到了電致發光現象;研究了極性表面對金屬/氧化鋅接觸特性的影響,獲得了良好的肖特基接觸製備工藝,並在高性能氧化鋅紫外探測器研製中獲得進展,為ZnO最後走向套用以及發展中國的ZnO光電子器件奠定了良好的基礎。
《基於氧化鋅薄膜電晶體的紫外圖像感測器像素研究》是依託北京大學,由張盛東擔任負責人的面上項目。項目摘要 提出一種用金屬氧化物半導體薄膜材料和器件實現單片集成紫外圖像感測器的構想並首先對像素部分展開研究。像素單元的構想為:利用ZnO薄膜同時具有優良的光學性能和電學性能的特點,將光信號探測、轉換、讀取直至放大...
《納米氧化鋅/p型金剛石異質結製備及其負阻特性研究》是依託吉林大學,由李紅東擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 金剛石和氧化鋅(ZnO)是少數同時具有眾多優異性質的半導體材料,將二者結合製作納米半導體異質結結構,研究其特殊的光電特性,具有重要的基礎研究和實際套用價值。目前ZnO/金剛石體系的研究多局限於薄膜...
☆ “金剛石及其相關薄膜的場致電子發射特性和機制的研究”獲2001 年國家自然科學獎二等獎。該項目以“場致熱電子發射”理論為指導,尋找和研製新型冷陰極電子發射薄膜。它們在平板顯示器、微波器件等有重要套用。基於這一出發點,從實驗發現了CVD 金剛石薄膜的大面積場致電子發射現象,研製了不同類型的金剛石及其...
氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大,透明度高,有優異的常溫發光性能,在半導體領域的液晶顯示器、薄膜電晶體、發光二極體等產品中均有套用。氧化鋅還是一種重要的防曬劑,因為它能夠吸收紫外線輻射。此外,微顆粒的氧化鋅作為一種納米材料也在相關領域得到套用。定義 氧化鋅,是一種無機化合物,化學式為ZnO,是鋅氧化...
1 5 2透明薄膜電晶體25 1 5 3其他方面的套用27 參考文獻28第2章ZnO TCO薄膜的結構、特性及製備技術31 2 1引言31 2 2ZnO的晶體結構及基本性質31 2 3ZnO的能帶結構34 2 4ZnO TCO薄膜的摻雜策略35 2 4 1化合價36 2 4 2離子半徑37 2 4 3電負性38 2 4 4氧化態、離子外層電子構型38 2 4 5溫度39 ...
例如在外電場和均勻材料情況下,用適當的電子線路可以測量光生載流子所輸出的光電流,該效應為光電導效應,可以用來製造光敏電阻,實現各種自動控制,CdS和CdSe是燒結型光敏電阻用光電導陶瓷材料;在P-N結和無外電場情況下,則觀察到光伏效應,可製造太陽能電池,解決人類面臨的能源危機,Ⅱ-Ⅵ族(CdS、CdTe)、III-...
本書可供從事半導體材料、薄膜材料、納米材料、功能材料及其相關器件研究等領域的科研人員、工程技術人員參考,也可作為高等院校材料、物理、化學、電子等相關專業師生的參考書籍。本書介紹了氧化鋅(ZnO)的摻雜技術、性能及其套用。全書共分七章,第一章概述了ZnO的結構、基本性質與製備方法,第二章介紹了ZnO的本徵缺陷...
[21]國家自然科學基金主任基金,氧化鋅薄膜p-n結及其光電子特性研究,2002-2002。[22]中國科學院知識創新工程重要方向項目,第三代半導體材料SiC、ZnO及其器件研究,2002-2005。[23]國家重點基礎研究發展計畫(973計畫)項目,氧化鋅寬禁帶半導體薄膜的光電功能研究,2001-2003。論文論著 發表SCI論文100餘篇,單篇最高...
2.教育部高等學校博士點學科點專項科研基金新教師項目(20070141017):氧化鋅基同質p-n結及其紫外電注入發光性能研究;2008.1-2010.12。3.國家自然科學基金項目(10804014):氧化鋅基結形結構的低成本超聲噴霧化學沉積法生長及其缺陷相關光電子特性研究;2009.1-2011.12。4.中國科學院上海矽酸鹽研究所高性能陶瓷和...
從96年起開始從事III-V族半導體GaN發光薄膜和InP的光學和電學性質的研究。自1999年開始從事ZnO薄膜受激發射的研究,在n型Si襯底上用射頻濺射法生長出ZnO同質p-n結, 其光學、電學特性優於日本研究人員用直流濺射法在n-Si生長的ZnO p-n同質結以及美國研究人員在GaAs上用熱擴散法生長的ZnO p-n同質結。
2,主持山東省自然科學基金項目:“N-Mg共摻p型ZnO薄膜的製備與發射機制及能帶調節研究”。3,主持濟南大學博士基金:“ZnO摻雜納米材料的製備及其光電特性的研究”。4,主持企業委託項目:一種用緩衝層製備氧化鋅的方法。代表論文及著作 1. Fabrication and properties of ZnO/GaN heterostructure nanocolumnar thin ...
(2)上海市科委青年科技啟明星項目、11QA1402700、高效的固態n-ZnO薄膜/n型Si納米線/Si薄膜/p型Si薄膜太陽能電池的製備與特性研究、2011/03 -2013/04、15萬元、已結題、主持。(3)國家自然科學基金面上項目,61774040,基於二維半導體晶體材料的新型高效發光器件,2018/1-2021/12,60萬元,進行,第二參與人(...
研究方向 主要從事納米島光刻技術(Island Lithography)及矽納米器件、氧化物半導體低維納米結構及發光顯示器件、寬禁帶半導體光電子薄膜及場致電子發射器件等方面的研究工作。1.有機無機複合薄膜太陽能電池(光伏器件);2.氧化鋅(ZnO)基場致電子發射發光顯示、紫外探測及電致紫外發光器件;3.寬禁帶半導體光電薄膜與...
( 1 ) 二氧化釩納米晶劣化機制及耐候特性研究, 主持, 國家級, 2020-01--2023-12 ( 2 ) 溫控智慧型膜中試及產業化, 主持, 院級, 2020-03--2022-03 ( 3 ) 基於稀土基電子相變材料的新型突變式敏感電阻元器件, 主持, 國家級, 2021-12--2026-11 ( 4 ) 基於質子中繼式遷移的全固態電致變色器件...
河南師範大學物理與電子工程學院副教授 2011年7月至2013年6月,南京大學博士後 主講課程 主講功能材料專業基礎課《材料科學基礎》學術成果 科研活動:1.新型氧化物複合材料阻變存儲器的製備及存儲特性研究,國家自然基金項目,2013-2015年,主持 2.堆垛氧化物薄膜結構阻變存儲器的製備及存儲特性研究,南京大學固體微結構...
研究方向 1.光電帶隙材料結構的設計、合成、性質研究和器件製作;2.非晶InGaO3(ZnO)m薄膜的製備及場效應電晶體的研製。所獲榮譽 2008年獲省傑出青年基金,黑龍江省政府特殊津貼;2009年聘為哈師大龍江學者特聘教授;2010年榮獲黑龍江省模範教師稱號,黑龍江省研究生優秀導師;2011年榮獲黑龍江省優秀共產黨黨員榮譽稱號;...
柔性非晶矽/微晶矽疊層太陽電池技術研究 柔性襯底非晶矽薄膜太陽電池i/p界面的研究 柔性襯底非晶矽太陽電池中Ag/ZnO背反射電極的研究 柔性襯底矽基薄膜太陽電池的研究 柔性襯底非晶矽/微晶矽疊層太陽電池隧穿複合結研究 柔性矽基薄膜太陽電池1 MeV電子輻照特性研究 PET塑膠襯底上低溫製備矽基薄膜太陽電池 柔性薄膜太陽...
14. 馮列峰*、李楊、從紅俠、王存達,650 nm波長發光器件的電學特性研究,天津師範大學學報,2010,30(3):67-69.15. 馮列峰*、李楊、王軍、叢紅俠、朱傳雲、王存達、張國義,發光二極體的低頻電容特性,光電子雷射,2009, 20(12):1565-1568.16. 馮列峰*、朱傳雲、 陳永、曾志斌、王存達,發光二極體中負...
張偉民、王文廣、周文華、張春秀、蒲嘉陵,增感染料對氧化鋅成像體系的光譜增感研究,中國感光學會非銀鹽專業委員會, 2000年非銀鹽信息記錄材料學術報告會論文集,87(2000年11月,北京)王文廣、於建香、張偉民、周文華、張春秀、趙可秀、蒲嘉陵,分子內含多個傳輸點的電子傳輸材料在OPC中的特性研究,中國感光學會...
隨後,人們在製造工藝、器件結構設計、閉值、溫度特性和光學性質方面的研究相繼有許多成果發表。這些都是屬於半導體雷射器的第-代發展階段—同質結構注入型雷射器。它們都是寬接觸同質結的,是在體材料上採用雜質擴散的辦法來形成P-N結。並且己經具備了任何激射作用的三要素—1.P-N結區的電子-空穴複合,提供光增益;...
5. 氧化鋯薄膜的製備研究,延邊大學優秀本科論文,校級,指導教師,延邊大學, 2014.6 科學研究 研究領域 主要研究方向為功能材料物理,主要進行光電信息功能材料的製備與物性調控研究,增強納米結構碳素薄膜的場發射特性及其機理研究,納米結構金剛石薄膜襯底進行半導體複合薄膜的製備及電子輸運特性研究,過渡金屬摻雜的二元...
構造p-GaN/i-ZnO/n-ZnO新型結構,成功研製出室溫近紫外發射的ZnO異質結紫外發光二極體;首次在TiO₂/Ag納米複合薄膜材料中利用Ag納米粒子表面電漿的吸收特性實現了全息存儲;首次提出並實現了利用ZnO、ZnS多聲子共振拉曼散射為指紋特徵檢測DNA和蛋白質,特別是將Fe₃O₄超順磁性納米粒子引入ZnO納米複合結構並...
納米線的特性 納米線電子學 單根納米線電晶體 交叉的納米線器件 納米尺度的邏輯門和運算電路 納米尺度的光子學和光電子學 納米尺度的光發射二極體及其陣列 基於單根納米線的光波導,法布里一佩羅特腔和雷射器 納米線薄膜電子學 納米線薄膜電晶體:基本概念 單晶矽納米線薄膜電晶體 用於高性能巨觀電子學的III-V和II-VI...
王海燕等,“N離子注入前後ZnO膜表面性質的變化”,電子元件與材料,2005.王海燕等,“快速熱退火前後ZnO:Al膜光電性質的變化”,電子元件與材料,2005.王新星王海燕等, “聚苯胺/碳納米管複合材料薄膜的製備及光電性能的研究”,化工新型材料,第39卷第7期,65-68,2011.張家朝,王海燕等,“化學浴沉積法(...
第三節具有光電回響特性薄膜鍍層的製備及套用286 一、高度有序鋁陽極氧化膜(AAO)的套用287 二、二氧化鈦納米管陣列電極290 三、模板合成法製備光電轉化薄膜及其光電性能302 四、模板合成光致發光納米材料——氧化鋅納米線陣列306 五、光(電)催化析氫電極材料313 參考文獻315 第七章電接觸鍍層320 第一節概述320...
43. 陳寶,孟祥東*,施志明,曾祥華,陳小兵,Li,Cu摻雜ZnO薄膜的發光性質,發光學報,32(3),2011,245-250.44. 董雅娟,張俊兵,陳海濤,曾祥華*,大功率全方位反射鏡發光二極體性能研究, 物理學報,60(2011)077803.45. 雷亮,曾祥華*,范玉佩, 張勇,GaN基藍光LED的多量子阱結構最佳化, 光電子.雷射,22,No9(2011)...
18.第一作者,氧化釩薄膜的製備及電致開關特性的研究,光電子.雷射,2011,22(5):656~659(EI:20112714112227)19.第一作者,基於電感耦合氧電漿金剛石膜表面修飾的功率最佳化,光電子.雷射,2011,22(7):1034-1037(EI:20113014176377)20.第一作者, 矽晶片雙面超精密化學機械拋光,半導體學報,2006,27...