氧化鋅薄膜p-n結及其光電子特性研究

《氧化鋅薄膜p-n結及其光電子特性研究》是依託中國科學技術大學,由傅竹西擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:氧化鋅薄膜p-n結及其光電子特性研究
  • 項目類別:面上項目
  • 項目負責人:傅竹西
  • 依託單位:中國科學技術大學
  • 批准號:10174072
  • 申請代碼:A2002
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2002-01-01 至 2002-12-31
  • 支持經費:6(萬元)
中文摘要
本課題主要研究ZnO薄膜p-n 同質結的製備及結區載流子光電子特性。ZnO光電子薄膜是繼GaN後新興的短波長材料,目前已成為熱門研究課題。而克服自補償實現材料反型,並製備p-n結,是提高ZnO實用性的關鍵。我們在ZnO薄膜紫外光發射和光探測性能研究及p-n結製備方面已有一定基礎,將深入研究p-n結製備工藝,它的結構和能級、載流子輸運和光躍遷性質任⒐芻懟

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