基本介紹
- 中文名：馮列峰
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：材料物理與化學
- 任職院校：天津大學理學院
人物經歷,研究方向,主講課程,學術成果,
人物經歷
2013.6-2014.6，美國華盛頓大學，留學，青年骨幹教師出國研修
2008—— 至今 ，天津大學，物理系，工作
2005年－2008年，天津大學，物理系，博士，導師：姜恩永，協助導師：王存達
2002年－2005年，天津大學，物理系，碩士，導師：王存達
1998年－2002年，天津師範大學，物理與電子學院，本科
研究方向
半導體發光器雷射器光電特性
半導體器件物理
主講課程
大學物理概論，大學物理實驗
學術成果
期刊論文(*通訊作者)：
1. L. F. Feng*, Y. Li, D. Li, X. D. Hu, W. Yang,2 C. D. Wang,1,2 and Q. Y. Xing3l. Precise relationship between voltage
and frequency at the appearance of negative capacitance in InGaN diodes, Appl. Phys. Lett. 101, 233506, 2012.
2. 李楊，馮列峰*，李丁，王存達，邢瓊勇，張國義，半導體GsN基藍光發光二極體的精確電學特性，光電子雷射，
2013.
3. D Li, W Yang, LF Feng, Peter W. Roth, J He, WM Du, ZJ Yang, CD Wang, GY Zhang, XD Hu*, Stimulated emission
related anomalous change of electrical parameters at threshold in GaN-based laser diodes, APPLIED PHYSICS
LETTERS 102, 123501, 2013.
4. Y. Li, C.D. Wang, L.F. Feng*, C.Y. Zhu, H.X. Cong, D. Li, G.Y. Zhang, Elucidating negative capacitance in
light-emitting diodes using an advanced semiconductor device theory, J. Appl. Phys. 109, 124506, 2011.
5. Feng LieFeng*, Li Yang, Li Ding, Wang CunDa, Zhang GuoYi, Yao DongSheng, Liu WeiFang, Xing Peng-Fei,
Frequency Response of Modulated Electroluminescence of Light-Emitting Diodes, CHIN. PHYS. LETT.
Vol. 28, No. 10 (2011) 107801.
6. Yang Li, Ding Li, CunDa Wang, LieFeng Feng*, Electrical Behaviors of LEDs prepared by Wide-band
GaN Material, Advanced Materials Research Vols. 284-286 (2011) pp 2202-2206.
7. L.F. Feng*, Y. Li, C.Y. Zhu, H.X. Cong, and C.D. Wang, Negative Terminal Capacitance of Light Emitting Diodes
at Alternating Current (AC) Biases, IEEE J. Quantum Electronics, 2010, 46(7): 1072-1075.
8. L.F. Feng*, C.D. Wang, H.X. Cong, C.Y. Zhu, J. Wang, X.S. Xie, C.Z. Lu, and G.Y. Zhang, Sudden Change of
Electrical Characteristics at Lasing Threshold of a Semiconductor Laser, IEEE J. Quantum Electronics,
2007, 43(6): 458-461.
9. L.F. Feng*, D. Li, C.Y. Zhu, C.D. Wang, H.X. Cong, X.S. Xie, C.Z. Lu, Simultaneous Sudden Changes of Electrical
Behavior at the Threshold in Laser Diodes, J. Appl. Phys., 2007, 102: 063102.
10. L.F. Feng*, D. Li, C.Y. Zhu , C.D. Wang , H.X. Cong , G.Y. Zhang , W.M. Du, Deep Saturation of Junction Voltage
at Large Forward Current of Light Emitting Diodes, J. Appl. Phys., 2007, 102: 094511.
11. Feng Lie-feng*, Zhu Chuan-yun, Chen Yong, Zeng Zhi-bin, and Wang Cun-da, Mechanism of negative
capacitance in LEDs, Optoelectronis Letters, 2005, 1(2): 127-130.
12. Feng Lie-feng*, Wang Jun, Zhu Chuan-yun, Cong Hong-xia, Chen Yong, and Wang Cun-da, Experimental study
of negative capacitance in LEDs, Optoelectronis Letters, 2005, 1(2): 124-126.
13. 馮列峰*、李楊、李丁、王存達、張國義，半導體雷射閾值處電學性質突變對應的物理圖象，光電子雷射，
2010，21（11）：1626-1630.
14. 馮列峰*、李楊、從紅俠、王存達，650 nm波長發光器件的電學特性研究，天津師範大學學報，
2010，30（3）：67-69.
15. 馮列峰*、李楊、王軍、叢紅俠、朱傳雲、王存達、張國義，發光二極體的低頻電容特性，光電子雷射，
2009, 20(12):1565-1568.
16. 馮列峰*、朱傳雲、 陳永、曾志斌、王存達，發光二極體中負電容現象的機理，光電子?雷射，2006,17(1):5-8.
17. D Li, H Zong, W Yang, LF Feng, J He, WM Du, CD Wang, YH Xie, ZJ Yang, B Shen, GY Zhang, and XD Hu*,
Stimulated emission in GaN-based laser diodes far below the threshold region, OPTICS EXPRESS 2536,2014.
18. W Yang, SL Zhang, Jonathan J. D. McKendry, J Herrnsdorf, PF Tian, Z Gong, QB Ji, IM. Watson, ED Gu, MT D.
Dawson, LF Feng, CD Wang, XD Hu*, Size-dependent capacitance study on InGaN-based micro-light-emitting
diodes, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 116, 044512, 2014.
19. Q.Q. Wei,Z.Q. Li, X.Y. Zhou, Y. Tian, L.F. Feng, D.S. Yao*, Dependence of soft magnetic properties and high
frequency characteristics onfilm thickness for Ni75Fe25-ZnO nano-granular films, J. Alloy and Compounds,
513, 23-26, 2012.
20. C.Y. Zhu*, L.F. Feng, C.D. Wang, H.X. Cong, G.Y. Zhang, Z.J. Yang, Z.Z. Chen, Negative capacitance in
light-emitting devices, Solid State Electronics, 2009, 53: 324-328.
21. C.Y. Zhu*, C.D. Wang., L.F. Feng, G..Y. Zhang, L.S. Yu, J. Shen, A Novel Method of Electrical Characterization
of a Semiconductor Diode at Forward Bias, Solid State Electronics, 2006, 50(5): 821-825.
22. 叢紅俠*、馮列峰、王 軍、朱傳雲、王存達、謝雪松、呂長志，雷射二極體正向電特性的精確檢測，
半導體學報，2006, 27(1): 105-109.
23. 王軍*、馮列峰、朱傳雲、叢紅俠、陳永、王存達，發光二極體中負電容現象的實驗研究，光電子雷射，
2006, 17(1): 1-4.
24. 陳永*、馮列峰、朱傳雲、王存達, 發光二極體中負電容的測試及判定, 河北工業大學學報，
2005，4（34）：24-2.
25.Wu S, Buckley S, Schaibley J R, Feng L F, Yan J Q, David G M, Fariba H, Yao W, Jelena V, Arka M, Xu XD, Monolayer
semiconductor nanocavity lasers with ultralow thresholds[J]. Nature, 2015, 520(7545): 69-72.
會議論文：
1. 李楊，馮列峰*，先進半導體器件理論中p-n結的電容電導特性，第十八屆全國半導體物理學術會議, 20/8/2011.
2.D. Li*, W. Yang, C.H. Wan, L. Wang, N.Y. Liu, L. Liu, W.Y. Cao, L. Li, Y.Z. Wang, W.M. Du, L.F. Feng, C.D. Wang,
X.D. Hu, G.Y. Zhang, Anomalous Changes of Electrical Parameters in GaN based Laser, Asia-Pacific
Workshop on Widegap Semiconductors, 22/5/2011.
3.馮列峰*，李楊，王存達，發光二極體的低頻特性，第十七屆全國半導體物理學術會議, 10/8/2009.
4.D Li, W Yang, CH Wang, L Wang, NY Liu, L Liu, WY Cao, YZ Wang, WM Du, LF Feng, CD Wang, ZJ Yang,
XD Hu, GY Zhang, Highly Polarized Light Emission in GaN Opto-Electronics Devices, 9th International
Conference of Nitride Semiconductors, 10/7/2011.
5.C.D. Wang, X. Cong, C.Y. Zhu, L.F. Feng，Sudden change of electrical characteristics at lasing threshold of
semiconductor laser，Proceedings of the eight Chinese optoelectronics symposium, 25/6/2006,會議邀請報告.
6.王存達、從紅俠、朱傳雲、馮列峰，半導體雷射器激射閾值處電特性的突變，凝聚態光學研究進展,第十三屆
全國凝聚態物質光學性質學術論文集，4/8/2006，分會邀請報告.
7.馮列峰*、李丁、叢紅俠、王存達，對雷射器電導數曲線的分析和數值擬合，凝聚態光學研究進展，第十三屆
全國凝聚態物質光學性質學術論文集，4/8/2006，分會口頭報告.
8.馮列峰*、王軍、李丁、王存達、張國義，發光二極體正向電特性的精確檢測，凝聚態光學研究進展，第十三
屆全國凝聚態物質光學性質學術論文集，4/8/2006，分會口頭報告.
正在承擔項目：
主持：北洋學青年學者——青年骨幹教師項目，2014.1-2015.12
天津市重點項目，鐵磁多鐵複合薄膜的磁電耦合，2013-2015，
參與：國家自然科學基金，61177014，InGaZnO/有機半導體複合溝道雙極性TFT的界面行為與CMOS集成器
件研究，2012-2015.
已完成項目：
主持：國家自然科學基金面上項目，半導體發光器件在大電流下的電特性與發光特性，2009.01-2011.12.
參與：國家自然科學青年基金，鐵磁性金屬-半導體納米顆粒薄膜的高頻軟磁特性研究，2010.01- 2012.12；
國家自然科學基金，氮化鎵基發光器件的電學頻率特性，2004.1-2006.12.
指導研究生情況： 4人
備註： 擔任工程類國際頂級期刊（IEEE Photonics Technology Letters、IEEE Transactions on Electron Devices），
物理類學術期刊Applied Physics letter，journal applied physics和其他刊物（Optical and Quantum Electronics，光電子雷射）的通訊評審員。
