氧化矽材料高溫極化機理及其介電性能研究

《氧化矽材料高溫極化機理及其介電性能研究》是依託西安交通大學，由成永紅擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

• 中文名：氧化矽材料高溫極化機理及其介電性能研究
• 項目類別：面上項目
• 項目負責人：成永紅
• 依託單位：西安交通大學
• 批准號：50577048
• 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
• 申請代碼：E0702
• 支持經費：27（萬元）
• 負責人職稱：教授

中文摘要

介電性能是材料最基本、重要的性質，認識電介質材料在極端高溫（＞1000℃）下的極化過程及其介電性能，對其在特殊環境中的套用十分重要，但由於傳統電介質理論存在局限性和不完善性，難以從理論上給予支撐。本項目以在高溫環境中套用普遍的氧化矽材料為研究對象，擬採用分子模擬技術和極端溫度介電性能試驗相結合，研究不同結構氧化矽材料（晶體、非晶體，以及摻雜或缺位）在高溫環境下能帶結構變化、電子激發過程、載流子運動