《絕緣體上鍺(GOI)納米帶應變調控機理及其MOSFET研究》是依託廈門大學，由李成擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：絕緣體上鍺(GOI)納米帶應變調控機理及其MOSFET研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：李成
- 依託單位：廈門大學
項目摘要,結題摘要,
項目摘要
絕緣體上鍺（GOI）納米帶兼具Ge高載流子遷移率和SOI材料的優點，是製備短溝道MOSFET的優選材料，也是研究納米尺度物理效應的重要載體。項目提出局域氧化SOI襯底上SiGe條形結構製備GOI納米帶，著重研究在GOI納米帶中引入應變的物理機理及其調控方法。通過局域氧化過程中絕緣介質與Ge相互作用、尺寸效應、介質應變傳遞以及NiGe合金等與矽工藝兼容技術的研究，構建調控GOI納米帶應變類型和大小的模型。解決GOI納米帶製備過程中納米尺度引起的氧化自限制效應及尺寸和應變分布不均勻性問題，製備出壓應變可控的高質量GOI納米帶。在此基礎上，採用等離子原子層沉積（PEALD）方法探索GOI納米帶表面鈍化的新方法，研究應變、界面態以及量子限制效應對GOI納米帶溝道材料能帶結構改性及其載流子輸運特性的影響。製備出高K介質多柵結構GOI納米帶肖特基源漏結MOSFET，獲得高的有效載流子遷移率和開關比。
結題摘要
絕緣體上鍺（GOI）由於其具高的載流子過移率等優點，是特徵尺寸已進入納米時代的高性能積體電路重要的候選材料之一。項目圍繞GOI納米線及其MOSFET器件的製備，重點開展了三個方面的研究工作。一是最佳化改進氧化SiGe製備GOI納米帶的方法，提出溫度漸變代替兩步溫度鍺濃縮方法提高GOI納米帶的結晶質量和均勻性。研究納米帶中應變的產生機理和調控方法，基於模擬結果，通過沉積氧化矽、氮化矽等應變層和製備微結構實現對GOI納米帶應變的較大範圍內調控。二是研究高K介質與鍺界面態鈍化及金屬與鍺接觸勢壘高度調控機理，實現低的柵界面態密度和好的歐姆接觸。三是設計模擬了GOI納米帶MOSFET器件。採用鍺濃縮技術製備的GOI納米帶製備出MOSFET器件。在課題的資助下發表學術論文25篇，其中被SCI收錄23篇。
