《氣體檢測裝置以及氫檢測方法》是新唐科技日本株式會社於2017年3月1日申請的專利，該專利公布號為CN107315034B，專利公布日為2021年6月8日，發明人是村岡俊作、本間運也、魏志強、片山幸治。
基本介紹
- 中文名：氣體檢測裝置以及氫檢測方法
- 授權公告號：CN107315034B
- 授權公告日：2021年6月8日
- 申請號：2017101174199
- 申請日：2017.03.01
- 專利權人：新唐科技日本株式會社
- 地址：日本京都府
- 發明人：村岡俊作; 本間運也; 魏志強; 片山幸治
- Int. Cl.：G01N27/12(2006.01)I
- 專利代理機構：永新專利商標代理有限公司72002
- 代理人：陳建全
- 優先權：2016-088143 2016.04.26 JP
對比檔案,專利摘要,
對比檔案
CN 104965009 A,2015.10.07; CN 102713585 A,2012.10.03; CN 101523200 A,2009.09.02; EP 1293777 A3,2004.02.11
Junghui Song 等.AlGaN/GaN Schottky diode hydrogen sensor performance at high temperatures with different catalytic metals.《Solid-State Electronics》.2005,第49卷第1330-1334頁.; J. Yu et 等.Hydrogen gas sensing properties of Pt/Ta2O5 Schottky diodes based on Si and SiC substrates.《Procedia Engineering》.2010,第5卷第147-151頁.; Ji Won Byon 等.Electrothermally Induced Highly Responsive and Highly Selective Vanadium OxideHydrogen Sensor Based on Metal-Insulator Transition.《The Journal of Physics Chemistry C》.2012,; 歐陽躍軍 等.電阻型氫氣感測器研究進展.《化學感測器》.2009,第29卷(第6期),
專利摘要
本申請提供節電性優異並且能夠高靈敏度地檢測含氫氣體的氣體檢測裝置。本申請的氣體檢測裝置具備氣體感測器和電源電路。氣體感測器具備第一電極、第二電極、金屬氧化物層和絕緣膜，該金屬氧化物層配置在第一電極與第二電極之間，該絕緣膜覆蓋第一電極、第二電極和金屬氧化物層，並且具有使第二電極的主面的一部分露出的開口。金屬氧化物層的電阻值在含有氫原子的氣體與第二電極接觸時減少。電源電路在金屬氧化物層的電阻值減少之前和/或之後向第一電極與第二電極之間施加規定電壓，由此使金屬氧化物層的電阻值增大。
