《模擬積體電路原理及設計》是於2017年2月機械工業出版社出版的一本圖書，作者是王守國。
基本介紹
- 書名：模擬積體電路原理及設計
- 作者：王守國
- 出版社：機械工業出版社
- 出版時間：2017年2月
內容簡介,圖書目錄,
內容簡介
本書涉及整個模擬積體電路實現過程中的元器件原理分析、電路設計、工藝製備等環節，講述模擬積體電路中的無源元件、結型柵場效應電晶體、MOSFET和CCD；在電路方面，講述CMOS單級放大器、集成運算放大器和集成功率放大器的分析和設計；在實現方面，討論版圖設計、製程設計、封裝設計、PCB設計和半導體製造工藝等。本書旨在提高學生的晶片設計能力和晶片分析能力。
圖書目錄
第1章 模擬積體電路中的無源元件1
1.1 模擬積體電路的工藝基礎1
1.2 模擬積體電路中的電阻8
1.3 模擬積體電路中的電容16
1.4 模擬積體電路中的電感24
習題35
第2章 結型柵場效應電晶體36
2.1 JFET的基本原理36
2.2 JFET的伏安特性40
2.3 JFET的直流和交流參數43
2.4 MESFET的特性46
2.5 場相關遷移率特性48
2.6 結型柵場效應管的頻率特性53
2.7 器件的噪聲特性58
2.8 JFET和MESFET的結構舉例61
習題66
第3章 MOSFET67
3.1 MOSFET的結構和類型68
3.2 MOSFET的閾值電壓72
3.3 MOSFET的伏安特性80
3.4 MOSFET的交流小信號特性87
3.5 MOSFET的交流小信號等效電路和頻率特性96
3.6 MOSFET的噪聲特性101
3.7 MOSFET的擊穿特性104
3.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結構111
3.9 MOSFET的溫度特性117
3.10 短溝道效應120
3.11 場效應電晶體的設計129
習題134
第4章 CCD136
4.1 CCD的工作原理136
4.2 CCD的基本參數144
4.3 成像原理148
4.4 CCD的改進方式150
4.5 CCD在模擬電路中的套用151
習題153
第5章 模擬積體電路器件參數的提取154
5.1 歐姆接觸的有關參數154
5.2 MOSFET的有關參數提取159
5.3 MESFET的有關參數提取168
習題175
第6章 CMOS放大器176
6.1 模擬電路中的MOS器件模型177
6.2 共源級放大器182
6.3 共源共柵級198
6.4 差分放大器204
習題211
第7章 集成運算放大器212
7.1 集成運算放大器的構建212
7.2 集成運算放大器基本模組分析217
7.3 集成運算放大器的設計223
7.4 集成CMOS運算放大器版圖設計227
7.5 集成CMOS運算放大器的實現232
習題237
第8章 集成功率放大器238
8.1 功率放大器的特性和典型電路238
8.2 集成功率放大器實現的制約分析與設計251
8.3 全集成CMOS功率放大器的實現255
8.4 功率放大器的盡限問題261
8.5 功率放大器研製的新進展265
習題268
第9章 半導體製造技術269
9.1 半導體工藝的發展及CMOS工藝流程269
9.2 半導體工藝主要工序280
習題291
附錄 常用物理參數292
1.1 模擬積體電路的工藝基礎1
1.2 模擬積體電路中的電阻8
1.3 模擬積體電路中的電容16
1.4 模擬積體電路中的電感24
習題35
第2章 結型柵場效應電晶體36
2.1 JFET的基本原理36
2.2 JFET的伏安特性40
2.3 JFET的直流和交流參數43
2.4 MESFET的特性46
2.5 場相關遷移率特性48
2.6 結型柵場效應管的頻率特性53
2.7 器件的噪聲特性58
2.8 JFET和MESFET的結構舉例61
習題66
第3章 MOSFET67
3.1 MOSFET的結構和類型68
3.2 MOSFET的閾值電壓72
3.3 MOSFET的伏安特性80
3.4 MOSFET的交流小信號特性87
3.5 MOSFET的交流小信號等效電路和頻率特性96
3.6 MOSFET的噪聲特性101
3.7 MOSFET的擊穿特性104
3.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件的結構111
3.9 MOSFET的溫度特性117
3.10 短溝道效應120
3.11 場效應電晶體的設計129
習題134
第4章 CCD136
4.1 CCD的工作原理136
4.2 CCD的基本參數144
4.3 成像原理148
4.4 CCD的改進方式150
4.5 CCD在模擬電路中的套用151
習題153
第5章 模擬積體電路器件參數的提取154
5.1 歐姆接觸的有關參數154
5.2 MOSFET的有關參數提取159
5.3 MESFET的有關參數提取168
習題175
第6章 CMOS放大器176
6.1 模擬電路中的MOS器件模型177
6.2 共源級放大器182
6.3 共源共柵級198
6.4 差分放大器204
習題211
第7章 集成運算放大器212
7.1 集成運算放大器的構建212
7.2 集成運算放大器基本模組分析217
7.3 集成運算放大器的設計223
7.4 集成CMOS運算放大器版圖設計227
7.5 集成CMOS運算放大器的實現232
習題237
第8章 集成功率放大器238
8.1 功率放大器的特性和典型電路238
8.2 集成功率放大器實現的制約分析與設計251
8.3 全集成CMOS功率放大器的實現255
8.4 功率放大器的盡限問題261
8.5 功率放大器研製的新進展265
習題268
第9章 半導體製造技術269
9.1 半導體工藝的發展及CMOS工藝流程269
9.2 半導體工藝主要工序280
習題291
附錄 常用物理參數292
