《模擬/射頻積體電路設計的電晶體級建模》是2007年科學出版社出版的圖書，作者是格賓斯基。
基本介紹
- 書名：模擬/射頻積體電路設計的電晶體級建模
- 作者：格賓斯基（Grabinski，W.）
- 出版社：科學出版社
- 出版時間：2007-1-1
圖書簡介,內容簡介,目錄,
圖書簡介
作 者：（瑞士）格賓斯基（Grabinski，W.）等編著出 版 社：科學出版社
出版時間：2007-1-1
版 次：1頁 數：293字 數：481000
印刷時間：2007-1-1開 本：紙 張：膠版紙
印 次：I S B N：9787030182418包 裝：平裝
內容簡介
器件的模型一直是模擬/射頻積體電路工程師關心的問題。是否能建立一個儘可能反映器件行為的模型關係到整個積體電路設計的成敗。本書內容豐富，從主流模型的討論到小尺寸器件模型和量子效應的介紹，從模型參數的提取方法到模型在硬體描述語言中的套用等方面都作了詳細的論述。本書對設計工程師和器件工程師都有很好的參考價值。
電晶體（transistor）是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調製和許多其它功能。電晶體作為一種可變開關，基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此電晶體可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在於電晶體是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
場效應電晶體（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
目錄
Foreword
Hiroshi Iwai
Introduction
Wladek Grabinski, Bart Nauwelaers and Dominique Schreurs
1 2/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behavior of semiconductor structures
Daniel Donoval, Andrej Vrbicky, Ales Chvala, and Peter Beno
2 PSP: An advanced surface-potential-based MOSFET model
R. van Langevelde, and G. Gildenblat
3 EKV3.0: An advanced charge based MOS transistor model. A design-oriented MOS transistor compact model for next generation CMOS
Matthias Bucher, Antonios Bazigos, Francois Krummenacher,Jean-Micehl Sallese, and Christian Enz
4 Modelling using high-frequency measurements
Dominique Schreurs
5 Empirical FET models
