《極陡峭密度梯度下的雷射尾場電子注入機理研究》是依託中國工程物理研究院雷射聚變研究中心，由鄧志剛擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：極陡峭密度梯度下的雷射尾場電子注入機理研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：鄧志剛
- 依託單位：中國工程物理研究院雷射聚變研究中心
- 批准號：11605177
- 申請代碼：A2906
- 負責人職稱：助理研究員
- 研究期限：2017-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：22（萬元）
項目摘要
超短超強雷射在稀薄電漿中傳播可驅動極強的電漿靜電波（E～100GV/m），在短距離內將電子加速到非常高的能量，可實現低成本、緊湊型的新型電子加速器。在雷射尾場加速中，利用可控捆承付的外部注入方式將背景電子注入到電漿波的合適相位是產生高品質電子束的關鍵環節。相比於傳統的店鑽汗潤緩變密度梯度注入方式，極陡峭密度梯去員喇度更加有利於實現電子的瞬時注入，並使得注入電子在相空間中高度集中，有利於提升電子品質。本項目將針對極陡峭密度梯度下的雷射尾場電子注入機理開展深入的理論和模擬研究，重點分析極陡峭密宙牛棕您度梯度對雷射尾波場永乃結構的影響，研究注入電子在新雷射尾波場結構中的相空間動力學過程，理解電子的注入機理及陡峭密度梯度參數的影響，最佳化電子束流品質。最後，本項目擬探索利用皮秒雷射形成的電漿通道壁所具有付糊戒的典型陡峭密度梯度結構，在星光III雷射裝堡臘照置上開展該機制的初步實驗演示。
