極性半導體（polar semiconductor）是1993年公布的電子學名詞。
基本介紹
- 中文名：極性半導體
- 外文名：polar semiconductor
- 所屬學科：電子學
- 公布時間：1993年
公布時間,出處,
公布時間
1993年，經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。
出處
《電子學名詞》第一版。
極性半導體
相關詞條
- 極性半導體
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單極性半導體（Unipolar semiconductor）：單極性半導體就是只能製作成n型或p型的半導體，即難以改變導電型號的半導體。簡介 一般，離子性較強的半導體（如Ⅱ-Ⅵ族半導體）多數為單極性半導體。例如CdS晶體：其中形成負離子空位(S)所需要的能量比形成正離子空位的要小，則通常總是存在有一定數量的(S)；而(S)是帶兩...
- 雙極磁性半導體
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- 半導體器件(導電性在導體絕緣體間)
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1873年，英國的史密斯發現硒晶體材料在光照下電導增加的光電導效應，這是半導體的第三種特性。在1874年，德國的布勞恩觀察到某些硫化物的電導與所加電場的方向有關，即它的導電有方向性，在它兩端加一個正向電壓，它是導通的；如果把電壓極性反過來，它就不導電，這就是半導體的整流效應，也是半導體所特有的第四種特性...
- 常凱(中國科學院院士,第十四屆全國政協常委、中國科學院半導體...
常凱提出利用半導體極性界面調控半導體量子結構能隙，發現極性界面處存在極強的局域電場，可以顯著的改變其能帶結構，後得到實驗證實。這為人工設計半導體物性打開了新的途徑，在半導體結構中實現寬光譜光電回響（從紅光到太赫茲）；在主流半導體（Ge,InN）中實現拓撲相，突破了拓撲材料僅限於含有重元素的窄能隙體系的傳統...
- 半導體二極體
a、目視法判斷半導體二極體的極性：一般在實物的電路圖中可以通過眼睛直接看出半導體二極體的正負極。在實物中如果看到一端有顏色標示的是負極，另外一端是正極。b、用萬用表判斷半導體二極體的極性:通常選用萬用表的歐姆檔（R*100或R*1K），然後分別用萬用表的兩表筆分別出接到二極體的兩個極上出，當二極體導通，...
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導體場效應電晶體是由多數載流子參與導電,也稱為單極型電晶體.它屬於電壓控制型半導體器件.產品簡介 根據三極體的原理開發出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內阻極高，採用二氧化矽材料的可以達到幾百兆歐，屬於電壓控制型器件 --- 概念 場效應電晶體（FieldEffectTransistor縮寫(FE...
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2、在一般條件下，鑑別製冷組件的極性時可將製冷組件冷端朝上放置，引線端朝向人體方向，此時右側引線即為正極，通常用紅色表示；左側為負極，通常用黑色，蘭或白色表示，此種極性是製冷組件工作時的接線方法。需制熱時，只要改變電流極性即可。製冷工作時，必須採用直流電源，電源的紋波係數應小於10%。3、製冷電偶對數...
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禁頻寬度對於半導體器件性能的影響是不言而喻的，它直接決定著器件的耐壓和最高工作溫度；對於BJT，當發射區因為高摻雜而出現禁頻寬度變窄時，將會導致電流增益大大降低。Si的原子序數比Ge的小，則Si的價電子束縛得較緊，所以Si的禁頻寬度比Ge的要大一些。GaAs的價鍵還具有極性，對價電子的束縛更緊，所以GaAs的禁帶...
- 極化效應對ZnO極性面穩定性的影響研究
還將對半導體極性面理論的進一步完善具有重要學術價值。結題摘要 實驗發現ZnO極性面的結構表現出複雜性和多樣性，有一些結構傳統表面理論不能給出很好的解釋。本項目計畫通過第一性原理計算探索ZnO表面結構與材料內部缺陷（雜質）的關係，從一個新的角度研究ZnO極性面的穩定機理。研究發現，由於ZnO很強的離子性，其表面...
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另外，科學家也已經做出了另一類受激輻射過程的量子級聯雷射器，這種受激輻射基於從半導體導帶的一個次能級到同一能帶更低一級狀態的躍遷，由於只有導帶中的電子參與這種過程，因此它是單極性器件。特點 雷射二極體的優點是效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，總而言之能量效率高是...
- CdS和ZnO納米線中激子-聲子、激子-激子相互作用理論
纖鋅礦結構CdS和ZnO屬於極性半導體，由於Fröhlich 帶間極性散射，極性半導體中存在很強的激子-LO聲子相互作用，並且伴隨著激子再結合會發生聲子輔助的激子發射。由於納米線中激子和聲子在橫向受限，使得它們間的散射作用增強。聲子可以束縛激子，並且與激子相互耦合實現相干傳播。納米線中激子-聲子散射線寬隨納米線尺寸...
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寬度及峰值的改變。套用領域 ATR是一種研究表面或界面光學性質的十分靈敏的方法,由於ATR可以在金屬－真空界面、金屬－電介質界面上均能實現,因之ATR方法已成為研究表面物理現象的一種具有發展前途的方法。用極性半導體（如GaP）代替奧托裝置中的金屬,測量它的ATR譜，可確定表面極化激元的頻率－波矢關係。
- 三極體
根據添加新材料的極性位置不同，新的致冷三極體分別叫做N-PNP或NPN-P。電晶體帶來並促進了“固態革命”，進而推動了全球範圍內的半導體電子工業。作為主要部件，它及時、普遍地首先在通訊工具方面得到套用，並產生了巨大的經濟效益。由於電晶體徹底改變了電子線路的結構，積體電路以及大規模積體電路應運而生，這樣製造像...
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- 基於絕對形變勢的共軸納米線的能帶設計
本項目中我們通過採用同質超晶格以及晶體Harmonic函式展開的方法，成功解決了第一性原理計算中兩個不同體系之間的能級不能直接比較的歷史難題，並給出了計算各種非極性以及極性半導體絕對形變勢的方法，使得絕對形變勢作為一種新的物理參數在將來的材料設計中可以發揮重要作用。本項目中我們將計算所有II-VI、III-V、IV...
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- 功能有機分子化學國家重點實驗室
張浩力教授研究小組在雙極性有機半導體的合成方面取得進展，並在美國化學會刊上發表（J. Am. Chem. Soc., 2010, 132 (46), 16349–16351）。王銳教授研究小組在美國化學會刊上發表論文“A Unique Approach to Concise Synthesis of Highly Optically Active Spirooxazolines and Discovery of a More Potent ...
