閆建昌，中國科學院半導體研究所研究員。
基本介紹
工作與學習經歷,獎勵信息,發表論文,科研項目,
工作與學習經歷
2018-01~現在，中國科學院半導體研究所，研究員
2013-01~2017-12， 中國科學院半導體研究所，副研究員
2009-07~2012-12，中國科學院半腳祖導體研霉歡記究所，助理研究員
2004-09~2009-07，中付淋束煮國趨跨講科學院半導體研究所，工學博士
2000-09~2004-07，清華大學，學士學位
獎勵信息
（1） 國家科學技術進步獎，二等獎，國家級，全坑希2015
（2） 北京市科學技術獎，一等獎，省級，2012
發表論文
（1） Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission, IEEE Photonics Journal, 2016, 第 11 作者
（2） Deep ultraviolet lasing from AlGaN multiple-quantum-well structures, P hys. Status Solidi C, 2016, 第 1 作者
（3） 282-nm AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance on nano-patterned sapphire substrates, Applied Physics Letters, 2013, 第 11 作者
（4） Photoluminescence properties of Al-rich AlXGa1-XN grown on AlN/sapphire template by MOCVD, Physica Status Solidi C, 2012, 第 2 作者
（5） Improved performance of UV-LED by p-AlGaN with graded composition, Physica Status Solidi C, 2011, 第 1 作者
（6） Three-dimensional hole gas induced by polarization in (0001)-oriented metal-face III-nitride structure, Applied Physics Letters, 2010, 第 3 作者
科研項目
（ 1 ） AlGaN基紫外雷射阿敬拜二極體研究, 主持, 國家級, 2014-01--2017-12
（ 2 ） 高鋁組分氮化物材料製備技術研汽邀局滲究, 參與, 國家級, 2014-01--2016-12
（ 3 ） 固態紫外光源高Al 組分結構材料的外延及產業化技術研究, 參與, 國家級, 2016-07--2021-06
