IRF3205S

IRF3205S是一種集成半導體，採用D2-PAK封裝方式。

基本介紹

• 中文名：IRF3205S
• 電晶體極性：N溝道
• 功耗：150W
• 封裝類型：D2-PAK

基本參數：

IRF3205S，採用D2-PAK封裝方式。

電晶體極性：N溝道

漏極電流, Id 最大值：110A

電壓, Vds 最大：55V

功耗：150W

封裝類型：D2-PAK

針腳數：3

外部長度/高度：4.69mm

電晶體數：1

電晶體類型：MOSFET

滿功率溫度：25°C

表面安裝器件：表面安裝

閾值電壓, Vgs th 典型值：4V

閾值電壓, Vgs th 最高：4V

其他參數

處理信號：數位訊號

製作工藝：半導體集成

導電類型：單極型

最大工作溫度：175°C

最大漏極源極電壓：55V

最大漏極源極電阻：0.008Ω

最大連續漏極電流：110A

最大門源電壓：±20V

最小工作溫度：-55°C

每晶片單元數目：1

通道方式：增強功能

通道類型：N

配置：單路