柴廣躍

柴廣躍

柴廣躍,男,研究員。1983年8月畢業於北京清華大學電子工程系半導體光電子技術專業,工學學士。中國光學學會高級會員。2003年被推薦為深圳市光學學會理事和深圳市科發局專家庫光電子組入庫專家。2005年4月調入深圳大學工作,目前承擔某軍品項目等的研究工作和研究生培養工作。

基本介紹

  • 中文名:柴廣躍
  • 國籍:中國
  • 民族:漢族
  • 職業:深圳市光學學會理事
  • 畢業院校清華大學
  • 性別:男
  • 政治面貌:民眾
  • 職稱:研究員
  • 學歷:學士
研究方向,人物成就,研究項目,科研經歷,

研究方向

到深前在中國電子科技集團第13研究所工作,一直從事半導體光電子器件、光電集成/光電混合集成、光電子系統、功率型光電子器件的設計、工藝、套用技術的研究工作。主要研究方向是功率型半導體光電子器件的封裝技術,包括半導體照明用功率LED封裝及套用技術;大功率LD封裝及套用技術;通信用光電子器件和子系統技術。

人物成就

作為主要研究人員共參加國家“863”計畫項目、國防科工委項目等國家、省部級項目近20項,其中作為課題負責人負責的項目12項;榮獲國家科技進步三等獎一次(排名第一)、電子部科技進步一等獎兩次、電子部科技進步二/三等獎四次;擬寫論文和工作報告30餘篇;1991年破格晉升高級工程師,1996年破格晉升教授級高級工程師;擔任課題組長、專業部副主任、專業部主任等職務;曾被授予部級優秀青年專家、國家科委“863”先進個人二等獎等榮譽。調入深圳工作期間,曾擔任知名光電子企業總工程師,市科技諮詢專家,作為負責人承擔國家“863”計畫項目一項,國家計發委光電子器件示範工程項目一項,鑑定新產品兩項。

研究項目

“突發模式光發射接收技術研究”,國家“863”項目;
“新型半導體光電器件和系列模組”,國家示範工程項目;
“高速半導體雷射器關鍵技術研究”,國防委託項目,進行中;
“大功率半導體光放大器關鍵技術研究”,國防委託項目,進行中;
“新型鋁基/陶瓷/金屬導熱基板及在半導體照明中的套用研究”,科研啟動項目,進行中;
“金屬化高線性半導體光電二極體組件關鍵技術及產業化研究”,企業委託項目,進行中。

科研經歷

在深圳工作期間的主要工作經歷
恆寶通光電子技術有限公司主要工作如下:
負責技術戰略發展研究,制訂公司2004——2007年產品發展戰略。
負責與國外公司的技術協作。2004年10月參與並策劃與世界知名光電模組廠家AGILENT公司的VCSEL/PIN-TIA器件封裝、光電模組OEM項目,負責技術和新生產線建立工作。
2002年作為項目副組長與清華大學聯合申請國家“863”計畫項目,“E-PON光電模組”獲得國家科技部的立項批准並獲得130萬元人民幣的無償資助,課題批准號2002AA312120。於2005年12月通過國家科技部評審,A級,部分已經通過鑑定。
2002年4月應邀到日本訪問考察日本光電子行業的技術狀態及發展趨勢。
2003年作為項目負責人申請國家計發委“高新技術示範工程”重點項目“新型半導體光電器件和模組”,被國家計發委批准立項,並獲得國家計發委700萬元人民幣的資助及深圳市100萬元的配套資金。可研批准號為發改高技(2003)1918,經費號為發改高技(2003)2140。該項目在研,部分產品通過鑑定。
作為總負責人領導研發的E-PON用OLT/ONU突髮式光收發一體模組、GPON用OLT/ONU突髮式光收發一體模組項目於2004年12月通過深圳市科技局組織的技術鑑定,專家委員會一致認為該項目均國內領先水平。
應邀在“光通信產品世界”雜誌(2004年9月)發表E-PON研究工作評述。
應邀接受“經理人”雜誌(2003年7月)採訪暢談研發管理。
在鐳波光電子技術公司的主要工作如下:
2002年1月~2002年6月負責建立恆寶通公司TO-CAN光電器件封裝線(鐳波公司)。
目前達到160K對/月TO-CANLD器件和PIN-TIA器件、PD器件的產能。在該線建立過程中始終遵循在關鍵工位選用國外最先進的設備,在其它工位採用自製設備或國產設備、儀器,在保證產品質量的前提下投入最少,並為今後的擴產/轉產留有充分、靈活的空間。被參觀該線的國內外有關專家譽為行業內最經濟、有效的光電器件封裝線。
負責新產品開發。2003年新開發出以下新產品:
非球面透鏡封裝LD器件,與單模光纖的耦合效率達到40~50%,從單模光纖輸出的光功率超過6mW,已通過鑑定;使鐳波公司成為目前國際上為數不多的幾個可以提供該類產品的公司。
TO-CAN封裝808nm200mW(TO56)。
大功率LED封裝技術/套用技術研究,主要工作包括多晶片組裝(MCM)大功率LED
散熱技術研究、低成本高導熱LED載體研究、LED晶片提高出光效率技術研究、多晶片組裝生產工藝技術研究。已開發出38晶片、80晶片六角型/圓形、180晶片條形高密度MCM高功率LED器件。
作為總負責人領導研發的“高出纖光功率非球面FP-LD”項目於2004年12月通
過深圳市科技局組織的技術鑑定,專家委員會一致認為該項目均國內領先水平。

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