李虞鋒，男，博士，西安交通大學電子與信息學部教授。
基本介紹
- 中文名：李虞鋒
- 畢業院校：倫斯勒理工學院
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：套用物理學
- 任職院校：西安交通大學
研究方向,個人經歷,主講課程,學術成果,
研究方向
GaN基光電子材料和器件，InGaN、GaN材料生長，光電子器件，大功率照明晶片製備。
個人經歷
教育背景
2004年08-2010年08 美國 Rensselaer Polytechnic Institute （倫斯勒理工學院）套用物理學 博士（Ph.D）
工作經歷
2009年5月 美國 通用電氣公司（GE）全球研發中心 (GRC)
2010年8月-2013年12月 美國 Luminus Devices公司
2014年10月-2015年2月 美國 Yale University耶魯大學訪問研究
2014年1月-至今 西安交通大學電信學院電子系 副教授
2015年1月-至今 西安交通大學電信學院電子系 博導 特聘研究員
主講課程
半導體物理與器件
學術成果
科研項目
美國紐約州倫斯勒理工學院攻讀套用物理學博士期間,在國際著名的氮化物材料專家Christian Wetzel教授（師從2014年諾貝爾物理學獎得主Isamu Akasaki）指導下從事寬禁帶III-氮化物半導體材料生長及其結構、電光學特性的研究，並作為骨幹成員參與了美國國防部（DARPA）、能源部（DOE）、空軍實驗室（AFL）、國家自然科學基金（NSF）等重大科學研究項目。
（1）國家自然科學基金青年項目， 61404101，"大電流密度下綠光LED內量子 效率的研究"， 2015/01-2017/12，主持。
（2）國家自然科學基金面上項目，6157414，"多節高銦InGaN基量子阱太陽能電池的研究"， 2016/01-2019/12，主持。
發表論文
作為第一作者和共同作者在國際學術期刊上發表論文40餘篇。
Selected publications：
(1) Carrier injection modulated by V-defects in InGaN/GaN multiple-quantum-well blue LEDs，Japanese Journal of Applied Physics (2014)
(2) Deep hole injection assisted by large V-shape pits in InGaN/GaN multiple-quantum wells blue light-emitting diodes， Journal of Applied Physics (2014);
(3) Defect-reduced green GaInN/GaN light-emitting diode on nanopatterned sapphire，APPLIED PHYSICS LETTERS (2011)
