李含冬，博士，畢業於中國科學院物理研究所，現為電子科技大學副教授，是物理專業表面科學與外延生長、低維材料、器件等研究方向的專家，國外多本著名學術期刊審稿人，2014年以來發表代表性論文十餘篇，編有著作兩本。
基本介紹
- 中文名：李含冬
- 國籍：中國
- 職業：教授
- 畢業院校：中國科學院物理研究所
- 學位/學歷：博士
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人物信息
李含冬：男，電子科技大學副教授。
教育背景
2004.09－2007.07 中國科學院物理研究所，凝聚態物理專業，博士學位
2001.09－2004.07 四川大學，材料物理與化學專業，碩士學位
1997.09－2001.07 四川大學，材料物理專業，學士學位
工作履歷
2011.12－至今 電子科技大學微電子與固體電子學院，副教授
2016.06 - 2016.09 英國蘭開斯特大學物理系，訪問學者
2008.06－2010.09 香港大學物理系，博士後
2007.07－2011.12 北京交通大學物理系，講師
學術兼職
IEEE會員，Applied Physics Letters、Journal of Applied Physics、Nanoscale Research Letters等期刊審稿人，EMN國際學術會議執行秘書，國家自然科學基金評議人，四川省企業項目評審專家。
研究領域
研究方向
一、表面科學與外延生長
拓撲絕緣體、層狀材料以及高遷移率半導體表面結構與生長動力學。
二、低維材料
零維、一維、二維拓撲絕緣體、層狀材料以及高遷移率半導體的合成與物性。
三、器件
基於拓撲絕緣體、層狀材料、高遷移率半導體及其低維、異質結構的光電探測、信息處理及能源轉換器件探索。
研究條件
一、材料生長與表征：超高真空分子束外延/掃描探針顯微鏡系統（UHV-MBE/SPM）1套（連續加熱條件：100K-1100K；瞬時加熱：1300K，升降溫速率>50K/sec；STM/AFM雙模式掃描，原子分辨）；高分辨薄膜X射線衍射儀（HR-XRD）1套，真空管式爐3套。
二、器件製備與測試：器件電極製備系統（含器件快速熱處理系統），器件變溫輸運測試系統，低溫（4.2K）紅外探測器件測試系統，全套太陽電池性能測試系統。
現發表SCI論文30餘篇，H因子12（WOS），第一作者單篇最高他引80餘次（WOS）。主編英文書目2部，申請或授權發明專利10餘項（包括國際專利1項）。主持包括自然科學基金、四川省科技廳項目、國家重點實驗室開放基金、企業橫向項目在內多項科研項目，主研973子項目1項。
學術成果
代表性論文（2014年前）：
1.H. D. Li, et al,Growth and band alignment of Bi2Se3 topological insulator on H-terminated Si(111) van der Waals surface, Applied Physical Letters 102 (7), 074106 (2013)
2. J. Wang,H. D. Li, et al,Anomalous Anisotropic Magnetoresistance in Topological Insulator Films, NanoResearch 5 (10), 739 (2012)
3. J. Wang, C. Z. Chang,H. D. Li, et al,Interplay between topological insulators andsuperconductors, Physical Review B 85 (4), 045415 (2012)
4.H. D. Li, et al,Growth of multilayers of Bi2Se3/ZnSe: Heteroepitaxial interface formation and strain, Applied Physics Letters 98 (4), 043104 (2011)
5.H. D. Li, et al,Effect of the starting surfaces of GaN ondefect formation in epitaxial Co thin films, Journal of Applied Physics 110 (9), 093501 (2011)
6. Z.Y. Wang,H. D. Li, et al,Growth Characteristics of Topological InsulatorBi2Se3 Films on Different Substrates, Journal of Crystal Growth 334 (1), 96 (2011)
7. Z. Y. Wang, X. Guo,H. D. Li, et al,Superlattices of Bi2Se3/In2Se3:Growth characteristics and structural properties, Applied Physics Letters 99 (2), 023112 (2011)
8.H. D. Li, et al,The Van der Waals epitaxy of Bi2Se3 on the vicinal Si(111) surface: An approach for preparinghigh-quality thin films of a topological insulator, New Journal of Physics 12 (10), 103038 (2010)
9.H. D. Li, et al,Reactive interface formation and Co-induced ( 7× 7)superstructure on a GaN(0001) pseudo-(1×1) substrate surface, Physical Review B (Brief reports) 81 (23),233302 (2010)
10.H. D. Li, et al,Surface modification for epitaxial growthof single crystalline cobalt thin films with uniaxial magnetic anisotropy on GaN(0001)-1×1 surfaces, NewJournal of Physics 12 (7), 073007 (2010)
主編書目：
1. Handong Li, and Zhiming Wang,Bismuth-containing Compounds, Springer New York, 2013
2. Handong Li, Jiang Wu, and Zhiming Wang,Silicon-based Nanomaterials, Springer New York, 2013
學生培養
已畢業碩士4人，在讀碩士研究生3人，輔助培養博士研究生3人（留學生1人），每年計畫招收碩士研究生2~3人。
