《服務於22納米CMOS技術節點的反向光刻計算機模擬》是依託清華大學，由張進宇擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：服務於22納米CMOS技術節點的反向光刻計算機模擬
- 依託單位：清華大學
- 項目負責人：張進宇
- 項目類別：面上項目
- 負責人職稱：副研究員
- 批准號：60876073
- 申請代碼：F0406
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：28（萬元）
項目摘要
本項目將研究一種套用於CMOS 22nm技術節點光刻工藝的新技術。由於EUV等光刻機的發展遠遠落後於晶片尺寸縮小的速度，傳統的解析度增強技術(RET)，將難以套用於32nm以及22nm技術節點的光刻工藝。一種新的光刻技術，反向光刻技術(ILT)，又名計算光刻（computational lithograhpy）將很有可能成為22nm技術節點光刻工藝的解決方案。本項目將針對ILT套用於22nm技術節點理論及套用方面一系列的關鍵性問題，通過計算機模擬的方法進行研究。具體的說，研究ILT算法，使之有效快速，能夠滿足深亞波長光刻的需要；研究ILT的並行化，使之能夠套用於全晶片的最佳化；研究ILT與OPC的兼容性問題，解決ILT計算掩模數據量過大，計算速度比較慢的問題；研究22nm技術節點下3D掩模效應問題，改進傳統的光學模型。力爭提出一個解決和緩和微電子發展到22nm工藝節點光刻工藝技術挑戰的方案。
