最小高閾值輸入電壓(minimum high-threshold input-voltage)是2018年公布的計算機科學技術名詞。
基本介紹
- 中文名:最小高閾值輸入電壓
- 外文名:minimum high-threshold input-voltage
- 所屬學科:計算機科學技術
- 公布時間:2018年
最小高閾值輸入電壓(minimum high-threshold input-voltage)是2018年公布的計算機科學技術名詞。
最小高閾值輸入電壓(minimum high-threshold input-voltage)是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義門電路所認可的輸入高電壓的最小值。低於此值的輸入將不被認為是高電壓。出處《計算機科學...
閾值電壓 (Threshold voltage ):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓.在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時,電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。基本介紹...
輸入電壓範圍 UPS的輸入電壓範圍,即UPS允許市電電壓的變化範圍,也就是保證UPS不轉入電池逆變供電的市電電壓範圍。範圍越大說明UPS適應性越好。一般UPS的輸入電壓範圍應該在160V~270V之間或者更寬。在正常的輸入電壓範圍內,逆變器(負載...
臨界電壓,也叫閾值電壓,也稱為柵極電壓,通常縮寫為V 個或V GS(th)的一個的,場效應電晶體(FET)是創建之間的導電路徑所需要的最小柵極對源極電壓差源端和漏端。定義 當涉及結型場效應電晶體(JFET)時,閾值電壓通常被稱為...
根據該發明的一個具體實施例,當通過查表的方式獲取所述電流限頻閾值時,將輸入電壓有效值Vin_rms的電壓範圍劃分為N個區間,並按照電壓從低到高的順序將每個區間的電流限頻閾值依次設定為Iin_thr1、Iin_thr2、…、Iin_thrN,其中,...
最大低閾值輸入電壓 最大低閾值輸入電壓(maximum low-threshold input-voltage)是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義 門電路所認可的輸入低電壓的最大值。高於此值的輸入將不被認為是低電壓。出處 《計算機科學技術名詞 》第三版。
臨界電壓,也叫閾值電壓,也稱為柵極電壓,通常縮寫為V 個或V GS(th)的一個的,場效應電晶體(FET)是創建之間的導電路徑所需要的最小柵極對源極電壓差源端和漏端。當涉及結型場效應電晶體(JFET)時,閾值電壓通常被稱為“夾...
d.開門電平電壓VON——是指輸出電壓下降到VOL(max)時對應的輸入電壓。顯然只要Vi>VON,Vo就是低電壓,所以VON就是輸入高電壓的最小值,在產品手冊中常稱為輸入高電平電壓,用VIH(min)表示。e.閾值電壓Vth——決定電路截止和導通...
1.開啟電壓VT ·開啟電壓(又稱閾值電壓):使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓;·標準的N溝道MOS管,VT約為3~6V;·通過工藝上的改進,可以使MOS管的VT值降到2~3V。2. 直流輸入電阻RGS ·即在柵源極之間...
4、輸出低電壓(Vol):保證邏輯門的輸出為低電平時的輸出電平的最大值,邏輯門的輸出為低電平時的電平值都必須小於此Vol。5、閾值電平電壓(Vt): 數字電路晶片都存在一個閾值電壓,就是電路剛剛勉強能翻轉動作時的電平。它是一個界...
而且還要具有使電路能產生干擾效應(如誤觸發、翻轉等)的能量。它與器件的閾值電壓、傳輸延遲時間及驅動側器件的輸出阻抗有關。能量噪聲容限定義為: 其中,是電路的閾值電壓, 是電路的傳輸延遲時間, 是電路的輸出阻抗.
施密特觸發器是一種特殊的門電路,與普通的門電路不同,施密特觸發器有兩個閾值電壓,分別稱為正向閾值電壓和負向閾值電壓。在輸入信號從低電平上升到高電平的過程中使電路狀態發生變化的輸入電壓稱為正向閾值電壓,在輸入信號從高電平下降...
施密特觸發器可以用於波形變換、脈衝整形、脈衝鑒幅。施密特觸發器常常又稱為遲滯比較器、滯回比較器,它的主要用途是波形整形、變換、比較、鑒幅等,其抗干擾的能力在各類比較器中首屈一指。在其他各類比較器中,當輸入電壓在閾值電壓附近...
依據上述主要特徵,如果該電能計量晶片是通過電力線供電,且計量電路檢測電壓輸入信號的有效值小於某個閾值,則時鐘域一使用32768xN赫茲時鐘,其中N 依據上述主要特徵,如果該電能計量晶片是通過電力線供電,且計量電路檢測電壓輸入信號的有效...
在保證輸出為額定低電平的條件下,允許的最小輸入高電平的數值,稱為開門電平uon。 在保證輸出為額定高電平的條件下,允許的最大輸入低電平的數值,稱為關門電平uoff。 (5) 閾值電壓uth:電壓傳輸特性曲線轉折區中點所對應的ui值...
叫做門坎電壓或閾值電壓,矽管約為0.5V,鍺管約為0.1V。矽二極體的正嚮導通壓降約為0.6~0.8V,鍺二極體的正嚮導通壓降約為0.2~0.3V。 [4] 反向特性 外加反向電壓不超過一定範圍時,通過二極體的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。