基本介紹
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最大低閾值輸入電壓(maximum low-threshold input-voltage)是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義門電路所認可的輸入低電壓的最大值。高於此值的輸入將不被認為是低電壓。出處《計算機科學技...
因此,氧化物厚度越薄,閾值電壓越低。雖然這似乎有所改善,但這並非沒有代價;因為氧化層厚度越薄,通過器件的亞閾值泄漏電流就越高。因此,90nm柵極氧化層厚度的設計規格被設定為1nm以控制漏電流。這種隧道,稱為福勒 - 諾德海姆隧道...
臨界電壓 電能表能夠啟動工作的最低電壓,此值為參比電壓下限(對寬量程的電能表此值為參比電壓下限)的60%。電能表的啟動工作是指電能表正常計量、顯示和記錄事件等,設計的最低電壓可低於此臨界值。臨界電壓,也叫閾值電壓,也稱為...
本項目擬充分利用碳納米管材料和器件的優勢,製備具有極低開啟電壓的二極體,並探索其在射頻電路、特別是電磁波探測電路和能量收集電路方面的套用。主要研究內容包括(1)利用極低閾值電壓的碳納米管場效應電晶體實現開啟電壓小於0.1 V的...
根據該發明的一個具體實施例,當通過查表的方式獲取所述電流限頻閾值時,將輸入電壓有效值Vin_rms的電壓範圍劃分為N個區間,並按照電壓從低到高的順序將每個區間的電流限頻閾值依次設定為Iin_thr1、Iin_thr2、…、Iin_thrN,其中,...
多閾值電壓(multi-threshold voltage)是2018年公布的計算機科學技術名詞。定義 同時支持多種閾值電壓的電晶體的半導體工藝。可以把低閾值電壓的電晶體放在關鍵路徑上以縮小延遲,把高閾值電壓的電晶體放在非關鍵路徑上以降低靜態功耗。出處 ...
(1)輸出高電平VOH與輸出低電平VOL。CMOS門電路VOH的理論值為電源電壓VDD,VOH(min)=0.9VDD;VOL的理論值為0V,VOL(max)=0.01VDD。所以CMOS門電路的邏輯擺幅(即高低電平之差)較大,接近電源電壓VDD值。(2)閾值電壓Vth...
截至2011年5月,晶片中最主要的功耗是開關功耗,但是隨著低閾值電壓技術在低功耗設計中的套用,短路功耗和漏電功耗也會變得越來越重要。其中開關功耗P=VDD×f×ΣαCΔV,VDD是電源電壓;f是時鐘頻率;如果一個電路包含n個結點,a是...