晶體場分裂能

將一個孤立的過渡金屬離子放到正八面體配位的晶體中時，五個d軌道都受到配位體負電荷的排斥，軌道的總能級提高; 由於在正八面體配位場中配位體質點處於直角坐標的三個垂直軸的方向,故dr軌道電子云的瓣指向配位體，使兩個dr 軌道電子的被排斥力比de軌道電子的被排斥力大，dr軌道電子的能級要比dε軌道電子的能級升高得更多，dr軌道電子能級與dε軌道電子能級間的能量差，稱為晶體場分裂能。

以△表示。例如在八面體場yd軌道分裂為味與。u兩組。分裂能乙er卜標u為八面休)二從。一}',xE = lOD } ( T),}稱場強參數)。晶體場分裂能的大小與配位化合物的幾何構型、配位體電場強度和中心原子(離子)電荷及周期位置有關。分裂能和電子成對能決定配位化合物.卜價電子的排布。