施敏(微電子專家、美國工程院院士)

施敏，1936年3月21日出生於中國南京，微電子科學技術、半導體器件物理專家，台灣中央研究院院士、美國國家工程院院士、中國工程院外籍院士，台灣交通大學電子工程學系毫微米元件實驗室教授。

1957年施敏畢業於台灣大學，之後赴美留學；1960年獲得華盛頓大學碩士學位；1963年獲得史丹福大學電機博士學位後進入貝爾實驗室工作，在此工作直到1989年退休；1967年發明了非揮發性記憶體，第一次闡述了快閃記憶體存儲數據的原理技術；1968年回到台灣交通大學擔任董浩雲講座教授一年；1969年編著的《半導體元件物理學》第一版出版；1990年退休後於台灣交通大學電子工程系任教；1994年當選為台灣中央研究院院士；1995年當選為美國國家工程院院士；1998年當選為中國工程院外籍院士；2004年擔任台灣奈米元件實驗室資深顧問；2014年受聘為哈爾濱工業大學榮譽教授。

施敏主要研究微電子科學技術與半導體器件，在電子元件領域做出了基礎性及前瞻性貢獻。

基本介紹

• 中文名：施敏
• 外文名：Simon M·Sze
• 國籍：美國
• 出生地：中國江蘇省南京市
• 出生日期：1936年03月21日
• 職業：教學科研工作者
• 畢業院校：史丹福大學
• 主要成就：1994年當選為台灣中央研究院院士
  1995年當選為美國國家工程院院士
  1998年當選為中國工程院外籍院士

人物經歷

1936年3月21日，施敏出生於中國江蘇省南京市，之後隨家人前往台灣，父親施家福在台灣省立台北工業專科學校（現台北科技大學）礦冶工程科任教。

1957年，畢業於台灣大學電機系，之後赴美留學。1960年，獲得華盛頓大學電機系碩士學位。

1963年，獲得史丹福大學電機系博士學位，博士畢業後，在史丹福大學教授John Moll推薦下進入貝爾實驗室工作，在此工作直到1989年退休。

1966年夏，施敏在台灣學界的邀請下回到台灣講課，在台灣清華大學暑期舉辦了兩個月的講座。

1968年，選擇留職停薪，把貝爾實驗室的工作停擺了下來，回到台灣於台灣交通大學擔任董浩雲講座教授一年，在電子研究所開設《半導體元件物理》、《固態電子元件實驗》兩門課程。

1969年初，以論文《金屬半導體薄膜結構之特性》獲得中山學術著作獎。同年7月參與創辦台灣第一家半導體公司環宇電子股份有限公司，擔任技術顧問，而任職的工程人員包括宏碁集團創始人施振榮。

1989年，自貝爾實驗室退休。1990年，開始於台灣交通大學電子工程系任教，擔任電子與資訊研究中心主任。1991年，獲得電氣和電子工程師協會電子器件Ebers獎。

1994年，當選為台灣中央研究院院士（數理組）。1995年，當選為美國國家工程院院士。1998年，當選為中國工程院外籍院士。

1998年，擔任台灣奈米元件實驗室主任（至2004年）。2004年，擔任台灣奈米元件實驗室資深顧問。

主要成就

科研成就

1967年，施敏與韓裔美國人姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜點時，用了一層又一層的塗醬，觸動施敏與他二人的靈感，想到在金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）中間加一層金屬層，結果發明了非揮發性記憶體（Flash），5月兩人在《貝爾系統科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上發表第一篇關於非揮發性記憶體的論文“浮閘非揮發性半導體記憶體細胞元件”，第一次闡述了快閃記憶體存儲數據的原理技術，隨後由貝爾實驗室取得專利。

1969年，施敏編著的《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，之後被翻譯成六國文字，被廣泛用作教科書與參考書。

1970年代，時任台灣經濟部長孫運璿邀請施敏擔任“經濟部發展積體電路計畫工作小組”成員之一，施敏所提出的最關鍵建言，就是力薦孫運璿要推動半導體業。

20世紀80年代初，施敏首先以電子束製造出線寬為0.15μm MOSFET器件，首先發現崩潰電壓與能隙的關係，建立了微電子元件最高電場的指標。

主要著作

時間	名稱	出版社	頁數
1969	《Physics of Semiconductor Devices》	Wiley Interscience,New York	812
1981	《Physics of Semiconductor Devices 2nd Ed.》	Wiley Interscience,New York	868
1985	《Semiconductor Devices: Physics and Technology》	Wiley, New York	523
1991	《Semiconductor Devices: Pioneering Papers》	World Scientific, Singapore	1003
1994	《Semiconductor Sensors》	Wiley Interscience,New York	550
1996	《ULSI Technology》with C.Y.Chang	McGraw Hill, New York	726
1998	《Modern Semiconductor Device Physics》	Wiley Interscience,New York	555
2000	《ULSI Devices》with C.Y.Chang	Wiley Interscience,New York	729
2002	《Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd Ed.》	Wiley, New York	564
2003	《Fundamentals of Semiconductor Fabrication》with G.May	Wiley, New York	305

人才培養

1968年，台灣設立工程博士班，施敏擔任首位工程博士候選人張俊彥的論文導師，1970年張俊彥以《金屬半導體接口載子傳導》為論文題目，通過口試成為台灣第一位工程博士。指導的學生盧超群1999年當選為美國國家工程學院院士。

2003年以來，施敏在中國內地高校，包括西安交通大學、北京交通大學、東北大學、吉林大學、山東大學、蘇州大學和安徽大學，開設“半導體物理和設備”這門課程，該課程主要是為了培養更多的中國學生參與到半導體設備領域。

2005年，在上海交通大學開設了一門INTENSIVE COURSE，為期三周共18節課。

榮譽表彰

時間	榮譽/表彰	參考資料
1969年	中山學術獎
1977年	電氣和電子工程師協會（IEEE）會士
1991年	IEEE電子器件Ebers獎（J.J. Ebers Award）
1994年	台灣中央研究院院士（數理組）
1995年	美國國家工程院院士
1997年	行政院傑出科技榮譽獎
1998年	中國工程院外籍院士
2007年	經濟部大學產業經濟終身成就獎
2014年7月	工業技術研究院院士
2014年	Flash Memory Summit Lifetime Achievement Award
2017年12月	IEEE2017年度“尊榮會員”

社會任職

時間	擔任職務	參考資料
1974年	工業技術研究院電子研究所顧問
1976年	台灣經濟部發展積體電路計畫工作小組委員
1990年-2006年	台灣交通大學特聘講座教授
1998年-2007年	工業技術研究院前瞻技術指導委員會委員
2003年-	上海交通大學名譽教授
2007年-2010年	台灣交通大學榮譽教授
2010年6月-	台灣交通大學終身講座教授
2014年5月14日	哈爾濱工業大學榮譽教授
2014年6月-	台灣科技大學榮譽講座教授
——	台灣中山大學榮譽講座教授

人物評價

施敏是國際知名的微電子科學技術與半導體器件專家和教育家，是非揮發MOS場效應記憶電晶體（NVSM）的發明者，在金半接觸、微波器件及次微米金屬半場效應晶體技術等領域都有開創性的貢獻，在電子元件領域做出了基礎性及前瞻性貢獻。（2017 IEDM Plenary Awards評）