半導體器件物理

本書綜合了半導體物理和電晶體原理兩部分內容，1-3章介紹了半導體材料、PN結、半導體表面的特性，4-5章系統闡述了雙極型、MOS型電晶體的結構和工作原理，第6章簡要介紹了其他幾種半導體器件。全書根據高等職業教育的特點來編寫，在內容上側重於物理概念與物理過程的描述，並注意與生產實踐相結合，適當配置了工藝和版圖方面的知識。同時在各章節編寫了實驗，方便在教學中選用。本書可作為高職高專微電子技術及相關專業的教材，也可供半導體行業工程技術人員參考。

基本介紹

• 書名：半導體器件物理
• 作者：施敏
• 原版名稱：Physics of Semiconductor devices
• ISBN：9787560525969
• 頁數：598
• 定價：28.60元
• 出版社：西安交通大學出版社
• 出版時間：2008年
• 裝幀：平裝
• 開本：16
• 叢書名：：全國高等職業教育
• 印刷日期：：2013年1月
• 配套資源：：電子教案、習題答案

本書特色

★內容選擇適合高職要求，針對性強。

★文字淺顯，圖例豐富，可讀性強。

★結合製造工藝、版圖設計內容，各章配置實驗，實踐性強。

目錄

第1章 半導體特性

1．1 半導體的晶體結構

1．2 半導體中的電子狀態

1．3 雜質和缺陷

1．4 熱平衡載流子

1．5 非平衡載流子

1．6 載流子的運動

實驗一 晶體缺陷的觀測

實驗二 少數載流子壽命的測量

思考題與習題

第2章 PN結

2．1 平衡PN結

2．2 PN結的直流特性

2．3 PN結電容

2．4 PN結的擊穿特性

2．5二極體的開關作用和反向恢復時間

實驗三 PN結伏安特性與溫度效應

實驗四 PN結勢壘電容的測量

思考題與習題

第3章 半導體的表面特性

3.1半導體表面與Si-SiO2系統

3.2 表面空間電荷區與表面勢

3.3 MOS結構的閾值電壓

3.4 MOS結構的C-V特性

3.5 金屬與半導體接觸

實驗五 MOS電容的測量

實驗六 SBD（肖特基）二極體伏安特性的測量

思考題與習題

第4章 雙極型電晶體及其特性

4．1電晶體結構與工作原理

4．2電晶體的直流特性

4．3電晶體的頻率特性

4．4電晶體的功率特性

4．5電晶體的開關特性

4．6電晶體的版圖和工藝流程

實驗七 圖示儀測試電晶體的特性曲線

實驗八 電晶體直流參數的測量

思考題與習題

第5章 MOS場效應電晶體

5.1 MOS電晶體的結構與分類

5.2 MOS電晶體的閾值電壓

5.3 MOS電晶體輸出伏安特性與直流參數

5.4 MOS電晶體頻率特性與交流小信號參數

5.5 MOS電晶體版圖及其結構特徵

5.6小尺寸集成MOS電晶體的幾個效應

實驗九 MOS電晶體閾值電壓VT的測量

實驗十 MOS電晶體輸出伏安特性曲線的測量

思考題與習題

第6章 其他常用半導體器件簡介

6.1 達林頓電晶體

6.2 功率MOS電晶體

6.3 絕緣柵雙極電晶體（IGBT）

6.4發光二極體（LED）

6.5太陽能電池

思考題與習題

附錄 XJ4810型半導體管特性圖示儀面板功能

參考文獻

基本信息

作者：(美)施敏(S. M. Sze)，(美)伍國珏(Kwok K. Ng)著

出版社：西安交通大學出版社

ISBN： 978-7-5605-2596-9

頁碼：598頁 26cm

裝幀：平裝

開本：16

出版日期：2008年

定價：CNY76.00

內容簡介

《半導體器件物理》由淺入深、系統地介紹了常用半導體器件的工作原理和工作特性。

為便於讀者自學和參考，《半導體器件物理》首先介紹了學習半導體器件必需的半導體材料和半導體物理的基本知識；然後重點論述了PN結、雙極性三極體、MOS場效應管和結型場效應管的各項性能指標參數及其與半導體材料參數、工藝參數及器件幾何結構參數的關係：最後簡要講述了常用的一些其他半導體器件(如功率MOSFET、IGBT和光電器件)的原理及套用。

目錄

第1章 半導體物理基礎

第2章 PN結

第3章 雙極型電晶體

第4章 MOS場效應電晶體

第5章 結型場效應電晶體及金屬-半導體場效應電晶體

第6章 其他常用半導體器件

附錄

參考文獻