《新型三維超結表面低阻通道橫向功率MOS器件》是依託電子科技大學,由張波擔任醒目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型三維超結表面低阻通道橫向功率MOS器件
- 依託單位：電子科技大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張波
- 批准號：60576052
- 申請代碼：F0404
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費：25（萬元）
項目摘要
高速、低損耗、可集成的功率器件是目前功率半導體乃至積體電路研究的熱點。本項目首次提出三維超結（super junction）表面低阻通道橫向功率MOS器件――SLOP-LDMOS (surface low on-resistance path lateral double-diffusion MOS)新結構。新結構引入的三維超結位於橫向功率器件漂移區淺表面，通過三維超結結構的Z方向電場以提供開態時的低阻通道，器件主要耐壓仍由三維超結下的常規RESURF結構所承擔，異於習用超結作為耐壓層以同時提供耐壓和低阻的思路。新結構為一普適結構，可擴展到其它功率器件研究中，易於集成，能實現高速、高壓、低阻且與低壓器件兼容的目的。本項目是一項具有國際先進水平的基礎性開拓研究，具有重要意義。
