擴散電阻，利用擴散工藝在矽片表面摻入三價或者五價元素，改變矽片的電阻率所形成的電阻。如在（含磷雜質）n型襯底的矽片上，注入硼離子，形成p型擴散電阻。
基本介紹
- 中文名：擴散電阻
- 適用領域：電子、物理
- 所屬學科：電子學
- 定義：利用擴散工藝在矽片表面摻入三價或者五價元素，改變矽片的電阻率所形成的電阻
擴散電阻，利用擴散工藝在矽片表面摻入三價或者五價元素，改變矽片的電阻率所形成的電阻。如在（含磷雜質）n型襯底的矽片上，注入硼離子，形成p型擴散電阻。
擴散電阻，利用擴散工藝在矽片表面摻入三價或者五價元素，改變矽片的電阻率所形成的電阻。如在（含磷雜質）n型襯底的矽片上，注入硼離子，形成p型擴散電阻。...
可以簡單看作是個單探針電阻儀測得的電阻，一般是定義Ldd附近的電阻，電流擴散到一個更大面積時候的電阻。詳細解釋 針尖與半導體接觸，通電時針尖周圍形成球形電場，通過測量電流，電壓計算出電阻R=v／I―P／4a，式中，R便是擴展電阻。
動態電阻是在積體電路中利用反相偏置的二極體、三極體、MOS場效應電晶體的輸出阻抗作為積體電路的動態電阻。動態電阻可以在較小的幾何圖形面積上擴散後得到較大的交流負載電阻。簡介 當信號電壓V由一個恆定(直流)偏置分量V和一個小得多的...
電阻率的大小決定於半導體載流子濃度n和載流子遷移率μ：ρ=1/ nqμ。對於摻雜濃度不均勻的擴散區的情況，往往採用平均電導率的概念；在不同的擴散濃度分布（例如高斯分布或余誤差分布等）情況下，已經作出了平均電導率與擴散雜質表面濃度...
[電]阻性擴散 [電]阻性擴散（resistive diffusion）是2019年公布的物理學名詞。公布時間 2019年經全國科學技術名詞審定委員會審定發布。出處 《物理學名詞》第三版。
光敏電阻的工作原理是基於內光電效應。光照射在物體表面上可看成是物體受到一連串能量為E的光子轟擊，而光電效應是由於物體吸收到光子能量後產生的電效應。通常把光電效應分為三類：1．外光電效應。在光線作用下能使電子逸出物體表面的現象...
氮化物電阻薄膜是指氮化物電阻薄膜是由稀有金屬及其合金氮化物所組成的薄膜材料。分類 其類型主要有:（1）氮化鈦薄膜，可用反應蒸發、反應濺射、CVD等方法形成TiN電阻薄膜，TiN電阻膜的性能類似Ta2N，但鈦的價格較擔低;（2）氮化鋯薄膜，...
溫差電勢是指同一導體的兩端因溫度不同而產生的電勢,不同的導體具有不同的電子密度,所以他們產生的電勢也不相同,而接觸電勢顧名思義就是指兩種不同的導體相接觸時,因為他們的電子密度不同所以產生一定的電子擴散,當他們達到一定的平衡後...
接地電阻是電流由接地裝置流入大地再經大地流向另一接地體或向遠處擴散所遇到的電阻。接地電阻值體現電氣裝置與“地”接觸的良好程度和反映接地網的規模。接地電阻表主要由手搖發電機，電流互感器，電位器以及檢流計組成。概念 很多家用電器...
類似地，在薄膜表面，也由於擴散和反應，使薄膜性能隨著時間發生變化。從上述看出，未經熱處理的電阻薄膜，其性能是不夠穩定的，所以必須選擇合適的熱處理工藝條件，如溫度、時間和氣氛。一般來說，要選用高溫，因為只有在高溫下，才能在...
擴散電阻的壓阻效應由擴散電阻的晶體取向和雜質濃度決定。雜質濃度主要是指擴散層的表面雜質濃度。結構 常用的半導體壓力感測器選用N 型矽片作為基片。先把矽片製成一定幾何形狀的彈性受力部件，在此矽片的受力部位，沿不同的晶向製作四個P...
雙極型積體電路通常採用擴散電阻。電路中按電阻阻值大小選擇製備電阻的工藝，大多數是利用電晶體基區P型擴散的同時，製作每方約 150～200歐·厘米的P型擴散電阻。但是，擴散電阻存在阻值誤差大、溫度係數高和有寄生效應等缺點。除採用擴散...
根據矽的壓阻效應，擴散電阻的阻值發生與應變成正比的變化，將這個電阻作為電橋的一個橋臂，通過測量電橋輸出電壓的變化可以完成對加速度的測量。套用 通過測量由於重力引起的加速度，你可以計算出設備相對於水平面的傾斜角度。通過分析動態...
壓阻式感測器是根據半導體材料的壓阻效應在半導體材料的基片上經擴散電阻而製成的器件。其基片可直接作為測量感測元件，擴散電阻在基片內接成電橋形式。當基片受到外力作用而產生形變時，各電阻值將發生變化，電橋就會產生相應的不平衡輸出。
壓阻式真空感測器的測量部件是一個裝有固態壓力晶片，該晶片利用半導體材料的壓阻效應，在特定晶面上，採用積體電路工藝技術擴散成四個等值電阻，組成一個惠斯登電橋，使得形變與橋阻變化形成一一對應關係，當壓力變化時，電橋失去平衡，輸出一...
歐姆接觸的接觸界面總有一個附加的電阻，即是金屬與半導體間的界面電阻。接觸區一般包括金屬層、金屬與半導體的界面和半導體結。實際測定時，還有各種寄生電阻帶入。為了消除測試時用的探針和金屬間的電阻，可以在測試時將電流和電壓探針...
在發射結正偏時，通過發射結的電流大部分都流向了集電極（是少數載流子的擴散電流），只有很小一部分流向基極。因為BJT存在一定的基極電阻，包括發射區正下方基區的橫向電阻（是一種擴展電阻）和發射區正下方以外基區的電阻；而基極電流是...
它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等半導體製造工藝，把構成具有一定功能的電路所需的半導體、電阻、電容等元件及它們之間的連線導線全部集成在一小塊矽片上，然後焊接封裝在一個管殼內的電子器件。其封裝外殼有圓殼式、扁平式或雙列...
擴散運動減弱，漂移運動增強，漂移大於擴散，形成反向電流I。由於漂移運動是由少子形成，數量很少，所以I很小，可以忽略不計，但I受溫度影響較大。結電壓近似等於電源電壓，顯示反向電阻很大，稱為反向截止。PN結正嚮導通，反向截止，即為...
由於不同的金屬材料所具有的自由電子密度不同，當兩種不同的金屬導體接觸時，在接觸面上就會發生電子擴散。電子的擴散速率與兩導體的電子密度有關並和接觸區的溫度成正比。簡介 設導體A和B的自由電子密度為Na和Nb，且有Na>Nb，電子...
它的缺點是電阻和靈敏係數的溫度係數大、非線性大和分散性大等。這曾限制了它的套用和發展。自70年代以來，隨著半導體積體電路工藝的迅速發展，相繼出現擴散型、外延型和薄膜型半導體應變計，上述缺點得到一定克服。半導體應變計主要套用於...
伏安特性曲線圖常用縱坐標表示電流I、橫坐標表示電壓U，以此畫出的I-U圖像叫做導體的伏安特性曲線圖。伏安特性曲線是針對導體的，也就是耗電元件，圖像常被用來研究導體電阻的變化規律，是物理學常用的圖像法之一。U-I圖像與I-U圖像 用...
矽感測器，是用於醫學、軍事與航空航天、工業和汽車套用。基本原理是利用半導體的壓阻效應和微機械加工技術，在單晶矽片的特定晶向上，用光刻、擴散等半導體工藝製做一惠斯登電橋，形成敏感膜片，當受到外力作用時產生微應變，電阻率發生變化，...
熱電式感測器是將溫度變化轉換為電量變化的裝置。它是利用某些材料或元件的性能隨溫度變化的特性來進行測量的。溫度是表征物體冷熱程度的物理量。它反映物體內部各分子運動平均動能的大小。溫度可以利用物體的某些物理性質（電阻、電勢、等）...
矽壓阻式壓力感測器是利用單晶矽的壓阻效應製成的。在矽膜片特定方向上擴散4個等值的半導體電阻，並連線成惠斯通電橋，作為力——電變換器的敏感元件。當膜片受到外界壓力作用，電橋失去平衡時，若對電橋加激勵電源（恆流和恆壓），便可...
半導體氣體感測器是利用氣體在半導體表面的氧化還原反應導致敏感元件電阻值發生變化而製成的。當半導體器件被加熱到穩定狀態，在氣體接觸半導體表面而被吸附時，被吸附的分子首先在物體表面自由擴散，失去運動能量，一部分分子被蒸發掉，另一...