單嚮導電性

定義

（1）正向：將P型區接電源正極，N型區接電源負極，則外電場削弱了內電場。擴散運動加強，漂移運動減弱，擴散大於漂移，形成正向電流I_F。結電壓很低，顯示正向電阻很小，稱為正嚮導通。

（2）反向：將P型區接電源負極，N型區接電源正極，則外電場加強了內電場。擴散運動減弱，漂移運動增強，漂移大於擴散，形成反向電流I_R。由於漂移運動是由少子形成，數量很少，所以I_R很小，可以忽略不計，但I_R受溫度影響較大。結電壓近似等於電源電壓，顯示反向電阻很大，稱為反向截止。

PN結正嚮導通，反向截止，即為單嚮導電性。

用一定的工藝方法將兩種雜質半導體結合在一起，由於界面兩側載流子濃度不同麗產生載流子擴散運動。P型區空穴向N型區擴散，N型區自由電子向P型區擴散。在邊界兩側兩種載流子產生複合，形成帶正電和負電的離子。它們不能移動，而在邊界麗側形成空間電荷區，稱為PN結。

空間電荷區的特性：

（1）區內正、負離子帶電而不能移動，載流子因複合而數量很少，因此電阻率很離，故稱耗盡層；

（2）正、負離子形成的內電場阻止多予繼續擴散，故又稱阻擋層；

（3）內電場對少子有吸引作用，形成少予的逆向運動，稱為漂移；

（4）在沒有外電場作用時，當擴散運動和漂移運動達到動態平衡時，兩側間沒有電流，空間電荷區厚度一定。

在PN結沒有外加電壓時．PN結中載流子的擴散運動和漂移運動達到動態平衡，所以通過PN結的總電流為零。

加正向電壓（正偏）——電源正極接P區，負極接N區，外電場的方向與內電場方向相反。

外電場削弱內電場→耗盡層變窄→擴散運動→漂移運動→多子擴散形成正向電流（與外電場方向一致）I_F，而且外加正向電壓對正向電流有很強的控制作用。

加反向電壓（反偏）——電源正極接N區，負極接P區，外電場的方向與內電場方向相同。

外電場加強內電場→耗盡層變寬→漂移運動→擴散運動→少子漂移形成反向電流I_R，而且反向電流基本上不隨外加電壓而變化，但隨溫度變化大。

二極體的單嚮導電性

單嚮導電性是二極體最重要的特性。利用單嚮導電性可以判斷二極體的好壞，正偏時電阻值小，反偏時電阻值大，否則，二極體是損壞了的。

二極體單嚮導電性失敗的場合及原因

（1）正向偏壓太低。（不足以克服死區電壓）

（2）正向電流太大。（會使PN結溫度過高燒毀）

（3）反向偏壓太高。（造成反向擊穿）

（4）工作頻率太高。（使結電容容抗下降而反向不截止）