《摻鉬氧化銦高價態差透明導電薄膜的開發與研究》是依託復旦大學，由章壯健擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：摻鉬氧化銦高價態差透明導電薄膜的開發與研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：章壯健
- 批准號：60376010
- 申請代碼：F0401
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：21（萬元）
項目摘要
研究直流磁控濺射法製備具有良好結晶性、高載流子遷移率和高電導率的摻鉬氧化銦（IMO）薄膜的條件，確定載流子濃度及其遷移率對摻鉬含量、基板溫度和濺射參數（濺射功率、真空度等）的依賴關係；分析研究IMO薄膜和ITO薄膜因摻雜金屬離子價態差的不同，導致對載流子遷移率的影響，明確IMO薄膜具有高載流子遷移率的原因; 深入研究摻雜離子與晶格離子以及晶格間隙離子之間的相互作用規律，提出合理的模型，理論計算IMO薄膜的載流子遷移率。.開展這項工作對透明導電薄膜導電機理的研究有重要意義，即通過提高載流子遷移率而非通常提高載流子濃度的方法來提高薄膜電導率，是透明導電薄膜研究的一種新思路。Thin Solid Films雜誌在一篇綜述性論文評論2001年透明導電薄膜方面的工作中，專門提到了這項工作，認為IMO薄膜是透明導電薄膜的一種新材料，值得繼續深入研究。
