接觸式光刻機是一種用於信息科學與系統科學、能源科學技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年7月12日啟用。
基本介紹
- 中文名:接觸式光刻機
- 產地:其他
- 學科領域:信息科學與系統科學、能源科學技術、電子與通信技術
- 啟用日期:2016年7月12日
- 所屬類別:工藝試驗儀器 > 汽車工藝實驗設備 > 紅外線汽車排氣分析儀
接觸式光刻機是一種用於信息科學與系統科學、能源科學技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年7月12日啟用。
接觸式光刻機是一種用於信息科學與系統科學、能源科學技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2016年7月12日啟用。技術指標線寬<3um;通用2~6寸mask;良率95以上。1主要功能接觸式光刻,曝光精度1um;。1...
接觸接近式光刻機是一種用於電子與通信技術領域的儀器,於2019年11月8日啟用。技術指標 矽片尺寸 Size 4〞(ф100.0mm) 矽片直徑及偏差 Diameter 100.0mm ±0.25 厚度範圍 Thickness range 650 μm±25μm 總厚度偏差 TTV ≤5um 局部平整度 (site 10mm×10mm)LTV ≤1 um 彎曲度 Bow ≤20um 翹曲度 ...
接觸式光刻 接觸式光刻(Contact Printing)掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當,設備簡單。根據施加力量的方式,接觸式又分為:軟接觸,硬接觸和真空接觸。1a.軟接觸就是把基片通過托盤吸附住(類似於勻膠機的基片放置方式),掩膜蓋在基片上面;1b.硬接觸是將基片通過一個氣壓(...
接觸式曝光 接觸式曝光指掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當,設備簡單。接觸式,根據施加力量的方式不同又分為:軟接觸,硬接觸和真空接觸。接觸的越緊密,解析度越高,當然接觸的越緊密,掩膜和材料的損傷就越大。(1)軟接觸:把基片通過托盤吸附住(類似於勻膠機的基片放置...
雙面對準光刻機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器,於2011年9月21日啟用。技術指標 光強均勻性Beam Uniformity::--±1% over 2” 區域 --±2% over 4” 區域 --±3% over 6” 區域 接觸式樣曝光特徵尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um 接觸式樣曝光特徵尺寸CD(近紫外NUV): 0.5 um 支持接近...
在狹義上,光刻工藝僅指光複印工藝,即從④到⑤或從③到⑤的工藝過程。主要流程 光複印工藝的主要流程如圖2:曝光系統 曝光方式 常用的曝光方式分類如下:接觸式曝光和非接觸式曝光的區別,在於曝光時掩模與晶片間相對關係是貼緊還是分開。接觸式曝光具有解析度高、複印面積大、複印精度好、曝光設備簡單、操作方便和...
a、接觸式曝光(Contact Printing)。掩膜板直接與光刻膠層接觸。曝光出來的圖形與掩膜板上的圖形解析度相當,設備簡單。缺點:光刻膠污染掩膜板;掩膜板的磨損,壽命很低(只能使用5~25次);1970前使用,解析度〉0.5μm。b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm。
1.擁有正面及背面對準系統、顯微鏡視頻輸出系統、分離視場顯微鏡、以及相應的3組不同放大倍率的物鏡. 2. 曝光單元採用汞燈, 恆光強、恆功率控制;功率及光強可調,波長365nm時,光強均勻性:≤#177;2%. 3.曝光類型:包括軟接觸、硬接觸、真空接觸、接近式曝光。接近式曝光間距設定範圍:1-999um,設定精度:1um ...
7.5 接觸式/接近式光刻機 7.6 投影光刻機 7.7 先進掩模概念 7.8 表面反射和駐波 7.9 對準 7.10 小結 習題 參考文獻 第8章 光刻膠 8.1 光刻膠類型 8.2 有機材料和聚合物 8.3 DQN正膠的典型反應 8.4 對比度曲線 8.5 臨界調製傳輸函式 8.6 光刻膠的塗敷和顯影 8.7 二級曝光效應 8.8 ...
7.5 接觸式與接近式光刻機166 7.6 投影式光刻機168 7.7 先進掩模概念+175 7.8 表面反射與駐波178 7.9 對準179 7.10 小結180 習題181 參考文獻182 第8章 光刻膠185 8.1 光刻膠類型185 8.2 有機材料與聚合物185 8.3 DQN正性光刻膠的典型反應187 8.4 對比...
在投影式光刻機中,掩模作為一個光學元件位於會聚透鏡(condenser lens)與投影透鏡(projection lens)之間,它並不和晶圓有直接接觸。掩模上的圖形縮小4~10倍(現代光刻機一般都是縮小4倍)後透射在晶圓表面。為了區別接觸式曝光中使用的掩模,投影式曝光中使用的掩模又被稱為倍縮式掩模(reticle)。掩模簡介 掩...
納米位移台用於實現納米級別的位置控制和位移測量。主要套用於需要超精密運動控制和定位的場合,如晶片電學性能檢測、半導體光刻機工件台、生物細胞操縱、精密組裝、精密測量等領域;可用於超低溫和超高真空環境。主要測量方式 1、通過應變片式感測器接觸式測量。由於應變片式感測器測量位移屬於接觸式測量,這種方法自身就會...
10.2 光刻膠 10.2.1 光刻膠的特徵量 10.2.2 光學光刻膠 10.2.3 其他光刻膠 10.3 光學解析度增強技術 10.3.1 離軸照明技術 10.3.2 其他解析度增強技術 10.4 紫外光曝光技術 10.4.1 接近式曝光 10.4.2 接觸式曝光 10.4.3 投影式曝光 10.5 其他曝光技術 10.5.1 電子束曝光 ...