徐科(中科院上海光學精密機械研究所博士)

徐科博士在non-polar GaN在LiAlO2襯底上的外延生長方面做出開創性工作；對氮化物半導體材料外延生長中的極性選擇動力學、極性控制進行了系統研究，提出了雙層金屬極性反轉模型；國際上首次發現並闡明了InN外延生長對晶體極性的獨特關係，獲得高結晶質量InN薄膜，並率先獲得InN/GaN量子阱的紅外發光。項目的目標市場為氮化物基光電器件的襯底晶片，GaN襯底的實用化將全面推進第三代半導體在節能照明、高功率LED、高功率微波器件、短波長雷射器等產業的發展。