電子科技大學->微電子與固體電子系教授
教師簡介,科學研究,學術成果,
教師簡介
教育背景
1985.09－1988.04 電子科技大學，半導體專業，碩士學位
1981.09－1985.07 北京理工大學，半導體專業，學士學位
工作履歷
1988.05－1996.05 電子科技大學微電子研究所，任助教、助研、副教授
1996.05－1999.11 美國Virginia理工大學，任Visiting Professor
1999.11－2001.11 電子科技大學微電子科學與工程系，任副教授
2000.07－2001.11 電子科技大學微電子科學與工程系，教授、系主任助理
2001.11－2015.12 電子科技大學微電子與固體電子學院副院長，教授
2014.07－現在 電子科技大學積體電路研究中心主任，教授
學術兼職
2004.07－ 任信息產業科技發展“十一五”計畫和2020年中長期規劃（綱要）研究與編制工作積體電路技術組組員
2008.05－2010.05 任國家自然科學基金委員會第十二屆專家評審組專家
2008.08－2013.08 任國家“核高基”科技重大專項（01專項）總體組專家
2009.10－現在 任國家“積體電路製造”科技重大專項（02專項）總體組專家
2006.01－IEEE Chengdu Section EXCOM委員
2010.08－2015.08 任IEEE ISPSD TPC成員
2014.04－2015.12 任IEEE EDS Power Devices and ICs Committee成員
2015.10－現在 任IEEE Transactions on Electron Devices編輯
同時兼任多個國家重點實驗室、國防重點實驗室學術委員會委員/副主任、多個行業協會、學會、聯盟理事/常務理會。
榮譽獎勵
1998年，國家科技進步三等獎
2010年，國家科技進步二等獎
2014年，國家教學成果二等獎
2018年，國家教學成果二等獎
2002年，教育部高校青年教師獎
2004年，成都市有突出貢獻優秀專家
2005年，第十三屆成都十大傑出青年
2011年，獲國務院政府特殊津貼
2011年，四川省第十批有突出貢獻優秀專家
2013年，四川省第十批學術和技術帶頭人
2013年，國家百千萬人才工程有突出貢獻中青年專家
2018年，成都市第十批有突出貢獻優秀專家
同時獲得十餘項省部級省部級自然科學獎、發明獎和科技進步獎。
1985.09－1988.04 電子科技大學，半導體專業，碩士學位
1981.09－1985.07 北京理工大學，半導體專業，學士學位
工作履歷
1988.05－1996.05 電子科技大學微電子研究所，任助教、助研、副教授
1996.05－1999.11 美國Virginia理工大學，任Visiting Professor
1999.11－2001.11 電子科技大學微電子科學與工程系，任副教授
2000.07－2001.11 電子科技大學微電子科學與工程系，教授、系主任助理
2001.11－2015.12 電子科技大學微電子與固體電子學院副院長，教授
2014.07－現在 電子科技大學積體電路研究中心主任，教授
學術兼職
2004.07－ 任信息產業科技發展“十一五”計畫和2020年中長期規劃（綱要）研究與編制工作積體電路技術組組員
2008.05－2010.05 任國家自然科學基金委員會第十二屆專家評審組專家
2008.08－2013.08 任國家“核高基”科技重大專項（01專項）總體組專家
2009.10－現在 任國家“積體電路製造”科技重大專項（02專項）總體組專家
2006.01－IEEE Chengdu Section EXCOM委員
2010.08－2015.08 任IEEE ISPSD TPC成員
2014.04－2015.12 任IEEE EDS Power Devices and ICs Committee成員
2015.10－現在 任IEEE Transactions on Electron Devices編輯
同時兼任多個國家重點實驗室、國防重點實驗室學術委員會委員/副主任、多個行業協會、學會、聯盟理事/常務理會。
榮譽獎勵
1998年，國家科技進步三等獎
2010年，國家科技進步二等獎
2014年，國家教學成果二等獎
2018年，國家教學成果二等獎
2002年，教育部高校青年教師獎
2004年，成都市有突出貢獻優秀專家
2005年，第十三屆成都十大傑出青年
2011年，獲國務院政府特殊津貼
2011年，四川省第十批有突出貢獻優秀專家
2013年，四川省第十批學術和技術帶頭人
2013年，國家百千萬人才工程有突出貢獻中青年專家
2018年，成都市第十批有突出貢獻優秀專家
同時獲得十餘項省部級省部級自然科學獎、發明獎和科技進步獎。
科學研究
從1980年代起即致力於新型功率半導體技術研究，多次擔任國際會議功率半導體分會主席，2010年成為國際功率半導體器件與功率積體電路學術會議（ISPSD）技術委員會（TPC）成員（全球功率半導體最高級別專業會議，張波教授是近年來首次進入該技術委員會的國內學者），2015年ISPSD大會副主席。目前帶領電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）主攻功率半導體技術研究。
電子科技大學功率集成技術實驗室（PITEL）是“電子薄膜與集成器件國家重點實驗室”和“電子科技大學積體電路研究中心”的重要組成部分。現有11名教授/研究員、9名副教授，2名講師/助理研究員，198名在讀全日制碩士研究生和30名博士研究生，被國際同行譽為“全球功率半導體技術領域最大的學術研究團隊”和“功率半導體領域研究最為全面的學術團隊”。實驗室瞄準國際一流，致力於功率半導體科學和技術研究，研究內容涵蓋分立器件（從高性能功率二極體MCR、雙極型功率電晶體、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，從矽基到SiC和GaN）、可集成功率半導體器件（含矽基、SOI基和GaN基）和功率積體電路（含高低壓工藝集成、高壓功率積體電路、電源管理積體電路、數字輔助功率集成及面向系統晶片的低功耗積體電路等）。 近年來,實驗室共發表SCI收錄論文300餘篇。在電子器件領域頂級刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共發表論文60餘篇。繼2012年在EDL上發表7篇論文，論文數位列全球前列以後，2015年在TED上發表8篇文章，論文數再次列全球前三（在固態功率與高壓器件領域居全球第一）。本領域國際最頂級學術會議IEEE ISPSD收錄論文數自2006年實現零的突破後，從2011年起均居全球研究團隊前列，在ISPSD 2013、2017上論文錄取數居全球研究團隊第一。實驗室在功率半導體技術領域已申請中國發明專利800餘項，目前已獲中、美發明專利授權400餘項，在IGBT等多個領域授權數居國內第一。 實驗室牽頭獲得2010年國家科技進步二等獎、2016年四川省科學技術進步一等獎、2009年四川省科學技術進步一等獎、2014年教育部自然科學二等獎、2015年首屆四川電子科學技術一等獎；與中國電科24所合作獲得2011年中國電子科技集團公司科技發明一等獎；與上海華虹NEC合作獲得2011年中國電子學會電子信息科學技術二等獎。 實驗室牽頭或參研十餘項國家科技重大專項；在研國家自然科學基金項目16項，2017年新啟動7項。與企業合作承擔了國家高技術產業發展計畫、四川省產業發展關鍵重大技術項目、江蘇省產業化轉化項目、廣東省教育部產學研結合項目、粵港關鍵領域重點突破項目等產業化項目；面向市場研發出100餘種產品；為企業開發出60V-600V功率MOS、600V-900V超結（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高壓SOI等生產平台，部分產品打破國外壟斷、實現批量生產，已銷售數億隻。
學術成果
- 部分代表性論文
[1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices, v 61, n 2, p 525-532, February 2014
[2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices, v 62, n 9, p 2933-2939, September 1, 2015
[3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016, 63(9): 3804-3807
[4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016, VOL. 31, NO. 6
[5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics, v 26, n 2, p 638-646, 2011.
[6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers, v 59, n 4, p 677-84, April 2012
[7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems, Vol.21, No.9, pp. 1747 - 1751, Sept. 2013.
[8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters, 2016, 37(2):165-168.
[9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters, 2015, 37(2):1-1.
[10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters,v 37,n 10,October 2016
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2. 出版刊物
（1） Power Semiconductor Devices and Smart Power IC，自編講義
（2） 積體電路電源完整性分析與管理，譯著，電子工業出版社，2013年
（3） 功率半導體器件電場最佳化技術，專著，電子科技大學出版社，2016年
