康晉鋒，北京大學信息科學技術學院微電子學系教授，博士生導師。
基本介紹
- 中文名：康晉鋒
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：新型存儲器技術（包括器件、材料、工藝、設計）；ULSI集成技術
- 任職院校：北京大學信息科學技術學院
個人經歷,研究方向,學術成果,
個人經歷
1984年畢業於大連工學院物理系獲理學學士； 1992和1995年在北京大學計算機系，分別獲得半導體物理與器件專業理學碩士和理學博士學位。1984年至1989年在山西省分析測試中心任助理工程師；1996年至1997年，在北京大學微電子所從事博士後研究工作；1997開始在北京大學微電子所任副教授；2001年8月開始任教授。2002年至2003年以訪問教授（Visiting Professor）身份受新加坡國立大學邀請開展合作研究一年。
研究方向
高K柵介質/金屬柵材料與CMOS器件集成技術；超深亞微米器件模型、結構和集成技術（包括應力Ge-和Si-MOSFET）；ULSI互連集成技術；新型存儲器(FeRAM/MRAM)技術；自旋電子學材料、器件、工藝技術等。
研究方向1：新型存儲器技術，包括基於高K/金屬柵的SONOS器件結構和集成技術；阻變型存儲器（RRAM）材料、結構和集成技術；鐵電存儲器（FRAM）結構、材料和集成技術；NVM（SONOS、RRAM、FRAM）專用電路設計
研究方向2：ULSI集成技術，包括適於45nm~22nm技術的器件結構和高K/金屬柵集成技術；適於90nm~45nm器件和電路的可靠性模型和評估技術
學術成果
承擔的主要科研項目：
1．973項目課題：低功耗高可靠的新型非揮發性存儲器件研究
2．自然科學基金課題：高K/金屬柵CMOS器件性能退化機理研究
3．自然科學基金重點課題：用於SOC的新一代嵌入式鐵電存儲器材料、器件與兼容工藝
4．高等學校博士學科點基金 ：新型高K柵介質可靠性問題研究
近5年來取得的主要成果：
1. J. Yang, J.F. Kang*, et al, “Poststress recovery mechanism of the negative bias temperature instability based on dispersive transport”, Appl. Phys. Lett. 90, p082908, 22 Feb 2007
2. J.F. Kang, et al, “Improved Electrical and Reliability Characteristics of HfN/HfO2 Gated nMOSFET with 0.95 nm EOT Fabricated Using a Gate-First Process”, IEEE Electron Device Letters, VOL. 26, pp.237 - 239, April 2005
3. N. Sa, J.F. Kang*, et al, “Mechanism of Positive-Bias Temperature Instability in Sub-1 nm TaN/HfN/HfO2 Gate Stack with Low Preexisting Traps”, IEEE Electron Device Lett. 26(9), pp.610-612, Sept. 2005
4. J.F. Kang, et al, “Thermal stability of nitrogen incorporated in HfNxOy gate dielectrics prepared by reactive sputtering”, Appl. Phys. Lett., 84 (9): 1588-1590 MAR 1 2004
5. H.Y. Yu, J.F. Kang, et al, “Thermally Robust High Quality HfN/HfO2 Gate Stack for Advanced CMOS Devices”, IEDM Tech. Dig, p.99~102, 2003．
