韓德棟

韓德棟，男，博士，北京大學微納電子學研究院副教授。

基本介紹

• 中文名：韓德棟
• 畢業院校：北京大學
• 學位/學歷：博士
• 職業：教師
• 專業方向：新型半導體材料、新型MOS器件結構、新型薄膜電晶體的工藝技術等
• 就職院校：北京大學

個人經歷

北京大學微電子與固體電子學專業博士，信息科學技術學院微電子系副教授，信息科學技術學院工會副主席，新器件研究室副主任。

2008-2009年在日本慶應大學做訪問學者一年。

研究方向

主要研究領域包括新型半導體材料；新型MOS器件結構；新型薄膜電晶體的工藝技術、新型透明顯示和柔性顯示關鍵技術研究等。

學術成果

研究成果

先後主持了國家自然基金項目鍺基MOS器件的關鍵工藝技術研究和全透明氧化物薄膜電晶體的工藝技術及物理機理研究；參加了國家973項目納米尺度新結構器件理論及模型模擬研究和新型低功耗積體電路材料基礎研究課題；參加了國家自然基金項目ZnO稀磁半導體薄膜的製備與相關器件研究、納米工藝下可製造性和成品率驅動的積體電路設計方法學研究、面向SoC的單胞CMOS結構和集成技術研究、新型50納米部分耗盡型SOI器件研究等多項國家級科研項目以及北京市科技計畫TFT有源OLED顯示屏關鍵技術研發項目。已發表科技論文一百餘篇，申請發明專利五十餘項。擔任了國家自然基金評審人；IEEE EDL、TED、T-Nano、ACS Applied Materials & Interfaces、Scientific Reports等國際期刊審稿人。

論文及專利

1. Han, DD; Zhang, Y; Cong, YY; Yu, W; Zhang, X; Wang, Y; Fully transparent flexible tin-doped zinc oxide thin film transistors fabricated on plastic substrate, SCIENTIFIC REPORTS, Year:2016 Volume:6 Page: srep38984

2. Han, DD; Chen, ZF; Cong, YY; Yu, W; Zhang, X; Wang, Y; High-Performance Flexible Tin-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Fabricated on Plastic Substrates, EEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Year: 2016 Volume:63 Issue:8 Page:3360-3363

3. Han, DD; Huang, LL; Yu, W; Cong, YY; Dong, JC; Zhang, X; Wang, Y; Effects of Channel Layer Thickness on Characteristics of Flexible Nickel-Doped Zinc Oxide Thin-Film Transistors, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES Year:2017 Volume:64 Issue:5 Page:1997-2000

4. Cong, YY; Han, DD*; Dong, JC; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; Fully transparent high performance thin film transistors with bilayer ITO/Al-Sn-Zn-O channel structures fabricated on glass substrate, SCIENTIFIC REPORTS Year:2017 Volume:7 Page: 41598

5. Yu, W; Han, DD*; Dong, JC; Cong, YY; Cui, GD; Wang, Y; Zhang, SD; AZO Thin Film Transistor Performance Enhancement by Capping an Aluminum Layer, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, Year:2017 Volume:64 Issue:5 Page:2228-2232

6. Cui, GD; Han, DD*; Cong, YY; Dong, JC; Yu, W; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; High-Performance Ti-Doped Zinc Oxide TFTs With Double-Layer Gate Dielectric Fabricated at Low Temperature, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS Year:2017 Volume:38 Issue:2 Page:207-209

7. Li, HJ; Han, DD*; Liu, LQ; Dong, JC; Cui, GD; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; Bi-layer Channel AZO/ZnO Thin Film Transistors Fabricated by Atomic Layer Deposition Technique, NANOSCALE RESEARCH LETTERS Year:2017 Volume:12 Page:11671

8. Cai, J; Han, DD*; Geng, YF; Wang, W; Wang, LL; Zhang, SD; Wang, Y; High-Performance Transparent AZO TFTs Fabricated on Glass Substrate, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES Year:2013 Volume:60 Issue:7 Page:2432-2435

9. Han, DD; Huang, FQ; Cong, YY; Huang, LL; Zhang, Y; Shi, P; Yu, W; Zhou, XL; Liu, LF; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; Fully transparent flexible dual-layer channel Ga-doped ZnO thin-film transistors on plastic substrates, IEEE ELECTRONICS LETTERS Year:2015 Volume:51 Issue:14 Page:1069-1070

10. Cong, YY; Han, DD*; Zhou, XL; Huang, LL; Shi, P; Yu, W; Zhang, Y; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; High-Performance Al-Sn-Zn-O Thin-Film Transistor With a Quasi-Double-Channel Structure, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS Year:2016 Volume:37 Issue:1 Page:53-56

11. Han, DD; Wang, W; Cai, J; Wang, LL; Ren, YC; Wang, Y; Zhang, SD; Flexible Thin-Film Transistors on Plastic Substrate at Room Temperature, JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY Year:2013 Volume:13 Issue:7 Page:5154-5157

12. Han, DD; Zhang, SM; Zhao, FL; Dong, JC; Cong, YY; Zhang, SD; Zhang, X ;Wang, Y; Transparent gallium doped zinc oxide thin-film transistors fabricated on glass substrate, THIN SOLID FILMS Year:2015 Volume:594 Page:266-269

13. Han, DD; Cai, J; Wang, W; Wang, LL; Wang, Y; Liu, LF; Zhang, SD; High Performance Aluminum-Doped ZnO Thin Film Transistors with High-K Gate Dielectrics Fabricated at Low Temperature, SENSOR LETTERS Year:2013 Volume:11 Issue:8 Page:1509-1512

14. Chen, ZF; Han, DD*; Zhao, NN; Cong, YY; Wu, J; Dong, JC; Zhao, FL; Liu, LF; Zhang, SD; Zhang, X; Wang, Y; High-performance dual-layer channel ITO/TZO TFTs fabricated on glass substrate, ELECTRONICS LETTERS Year:2014 Volume:50 Issue:8 Page:633-634

15. 韓德棟;郁文;王漪;董俊辰;叢瑛瑛;崔國棟;張盛東;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201610176781.9申請日: 2016.03.25發明名稱: 一種具有金屬覆蓋層的薄膜電晶體及其製備方法

16. 韓德棟;郁文;王漪;石盼;張翼;黃伶靈;叢瑛瑛;董俊辰;張盛東;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201510430849.7申請日: 2015.07.21發明名稱: 三態金屬氧化物半導體薄膜電晶體及其製備方法

17. 韓德棟;郁文;王漪;石盼;叢瑛瑛;張翼;董俊辰;周曉梁;黃伶靈;張盛東;劉力鋒;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201510158994.4申請日: 2015.04.03發明名稱: 一種摻鈣氧化鋅薄膜電晶體及其製備方法

18. 韓德棟;石盼;王漪;叢瑛瑛;董俊辰;周曉梁;郁文;張翼;黃伶靈;劉力鋒;張盛東;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201510111273.8申請日: 2015.03.13發明名稱: 一種摻鉬氧化鋅薄膜電晶體及其製備方法

19. 韓德棟;陳卓發;趙楠楠;王漪;叢瑛瑛;吳靜;趙飛龍;董俊辰;黃伶靈;張翼;張盛東;劉力鋒;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201410428650.6申請日: 2014.08.27發明名稱: 一種薄膜電晶體及其製備方法

20. 韓德棟;黃伶靈;陳卓發;叢瑛瑛;趙楠楠;吳靜;趙飛龍;董俊辰;王漪;劉力鋒;張盛東;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201410345212.3申請日: 2014.07.18發明名稱: 一種氧化鋅薄膜電晶體的製備方法

21. 韓德棟;叢瑛瑛;黃福青;單東方;張索明;田宇;王漪;張盛東;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201310613115.3申請日: 2013.11.27發明名稱: 一種非晶氧化鋅基薄膜電晶體及其製備方法

22. 韓德棟;張索明;田宇;單東方;黃福青;叢瑛瑛;王漪;張盛東;劉力鋒;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201310018388.3申請日: 2013.01.17發明名稱: 一種底柵薄膜電晶體及其製備方法

23. 韓德棟;蔡劍;王龍彥;劉蓋;王亮亮;馬建忠;叢瑛瑛;張翼;田宇;張索明;單東方;黃福青;王漪;張盛東;劉曉彥;康晉鋒; 專利號：ZL201210425355.6申請日: 2012.10.30發明名稱: 一種像素驅動電路及其驅動方法公開（公告）號: CN102915703B公開（公告）日: 2014.12.17

24. 韓德棟;王薇;蔡劍;王亮亮;耿友峰;劉力鋒;王漪;張盛東;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201210213660.9申請日: 2012.06.25發明名稱: 一種在柔性襯底上的薄膜電晶體的製備方法

25. 韓德棟;蔡劍;劉力鋒;王薇;王亮亮;耿友峰;王漪;張盛東;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201210202201.0申請日: 2012.06.15發明名稱: 一種薄膜電晶體及其製備方法

26. 韓德棟;王漪;蔡劍;王亮亮;任奕成;張盛東;孫雷;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201210127626.X申請日: 2012.04.26發明名稱: 一種氧化物半導體薄膜電晶體及其製備方法

27. 韓德棟;蔡劍;王漪;王薇;王亮亮;任奕成;張盛東;劉曉彥;康晉鋒; 專利號：ZL201210008323.6申請日: 2012.01.12發明名稱: 一種氧化鋅薄膜電晶體的製備方法公開（公告）號?: CN102544108B公開（公告）日: 2015.02.11

28. 韓德棟;王薇;蔡劍;王漪;張盛東;王亮亮;任奕成;劉曉彥;康晉鋒;申請號: CN201110406897.4申請日: 2011.12.08發明名稱: 一種塑膠襯底上製備薄膜電晶體的製備方法

29. 韓德棟;蔡劍;王薇;王亮亮;王漪;張盛東;任奕成;劉曉彥;康晉鋒; 專利號：ZL201110423372.1申請日: 2011.12.16發明名稱: 一種頂柵氧化鋅薄膜電晶體的製備方法公開（公告）號: CN102522337B公開（公告）日: 2014.07.02

30. 韓德棟;王漪;張盛東;孫雷;張韜;任奕成;康晉鋒;劉曉彥;韓汝琦;申請號: CN201010547529.7申請日: 2010.11.17發明名稱: 一種氧化鋅基肖特基薄膜電晶體