《鍺基MOS器件的關鍵工藝技術研究》是依託北京大學，由韓德棟擔任負責人的專項基金項目。
基本介紹
- 中文名：鍺基MOS器件的關鍵工藝技術研究
- 項目負責人：韓德棟
- 項目類別：專項基金項目
- 依託單位：北京大學
- 負責人職稱：教授
- 批准號：60844003
- 研究期限：2009-01-01 至 2009-12-31
- 申請代碼：F0406
- 支持經費：9（萬元）
項目摘要
隨著常規矽基MOS器件的尺寸逐漸接近物理極限尺度，器件的性能能否繼續按摩爾定律發展成為問題。為了進一步提高器件的性能，人們需要研究開發新型的材料和器件結構。鍺材料的載流子遷移率要比傳統的Si材料大得多，所以利用鍺材料作為MOS器件的溝道材料可以大大提高MOSFET溝道區載流子遷移率、提高器件性能，因此鍺基高遷移率MOS器件已成為目前國際上微電子器件研究中的熱點。本項目將在現有的常規矽基工藝基礎上研究適合鍺基高遷移率MOS器件製備的各項關鍵工藝技術。主要包括從理論上研究Ge基肖特基MOS器件的物理機制和工作原理，根據模擬結果對器件各項工藝參數進行最佳化設計；研究Ge基上高K柵介質/金屬柵極的工藝製備技術；研究套用於源漏的金屬鍺化物材料的製備工藝；在Ge襯底上製備高K柵介質/金屬柵與源漏鍺化物MOS器件，解決各項關鍵工藝技術難題，製備出具有高遷移率的Ge基MOS器件。
