巨磁電阻半導體是由外磁場引起材料電阻率產生巨大變化的半導體材料。
中文名稱 | 巨磁電阻半導體 |
英文名稱 | giant magnetoresistance semiconductor |
定 義 | 由外磁場引起材料電阻率產生巨大變化的半導體材料。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半磁半導體材料(三級學科) |
- 套用學科
- 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半磁半導體材料(三級學科)
巨磁電阻半導體是由外磁場引起材料電阻率產生巨大變化的半導體材料。
中文名稱 | 巨磁電阻半導體 |
英文名稱 | giant magnetoresistance semiconductor |
定 義 | 由外磁場引起材料電阻率產生巨大變化的半導體材料。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),半磁半導體材料(三級學科) |
巨磁電阻半導體是由外磁場引起材料電阻率產生巨大變化的半導體材料。...... 巨磁電阻半導體是由外磁場引起材料電阻率產生巨大變化的半導體材料。中文名稱 巨磁電阻半導...
巨磁阻又稱特大磁電阻,即GMR(Giant Magneto Resistance),比AMR技術磁頭靈敏度高2倍以上,GMR磁頭是由4層導電材料和磁性材料薄膜構成的:一個感測層、一個非導電...
巨磁電阻(GMR)效應是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在顯著變化的現象...
通常情況下,物質的電阻率在磁場中僅產生輕微的改變,在特定的條件下,物質電阻率的改變幅度相當大,稱為“巨磁阻效應”(GMR),而在很強的磁場中,某些絕緣體會突然...
在通有電流的金屬或半導體上施加磁場時,其電阻值將發生明顯變化,這種現象稱為磁致電阻效應,也稱磁電阻效應(MR)。...
在通有電流的金屬或半導體上施加磁場時,其電阻值將發生明顯變化,這種現象稱為磁致電阻效應,也稱磁電阻效應(MR)。目前,已被研究的磁性材料的磁電阻效應可以大致分為...
第6章 半導體材料的物理現象6.1 霍耳效應6.2 磁電阻效應6.3 半導體磁敏二極體6.4 巨磁阻(GMR)與超巨磁阻(CMR)6.5 表面光電壓...
磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義:是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加...磁阻效應主要分為:常磁阻,巨磁阻,超巨磁阻,異向磁阻,穿隧磁阻效應等...
物理磁阻效應是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。同霍爾...所謂巨磁阻效應,是指磁性材料的電阻率在有外磁場作用時較之無外磁場作用時存在...
將自旋屬性引入半導體器件中,用電子電荷和自旋共同作為信息的載體,稱為電子自旋器件,已研製成功的自旋電子器件包括巨磁電阻、自旋閥、磁隧道結和磁性隨機存取存儲器。...
長期從事凝聚態物理的理論研究,在量子輸運和自旋輸運理論、磁性納米結構和巨磁電阻、半導體的熱電子輸運、以及超導和磁性理論等方面做出系列的創新成果。在SCI學術...
gmr磁場感測器即巨磁阻(gmr=giant magneto resistive)磁場感測器。它是一個集磁性薄膜,半導體集成及納米技術為一體的高新技術產品,套用非常廣泛。其技術結構套用一個...
磁阻效應是1857年由英國物理學家威廉·湯姆森發現的,它在金屬里可以忽略,在半導體中則可能由小到中等。從一般磁阻開始,磁阻發展經歷了巨磁阻(GMR)、龐磁阻(CMR)...