積體電路製造光刻工藝中，在給定一組{聚焦點，曝光劑量}條件下用光刻仿真輪廓，工藝變化頻寬（PV Band）就是指外輪廓和內輪廓之間的區域。
基本介紹
- 中文名：工藝變化頻寬
- 外文名：Process variation band
- 英文縮寫：PV band
在給定一組{聚焦點，曝光劑量}條件下用光刻仿真輪廓，該工藝變化頻寬（PV Band）定義為外輪廓和內輪廓之間的區域（如圖1）或在空間像中不同聚焦值和閾值組合下，得到的線寬最大值與線寬最小值的差值。
圖1
圖1 光刻模擬輪廓
隨著PWOPC的使用，也引出了光刻工藝變化頻寬（process variation band，PV band）的概念，即在計算中有目的地引入工藝偏差，觀察曝光後晶圓上的圖形的變化。工藝變化頻寬是在光刻中引入工藝參數的變化所導致的曝光結果的變化範圍。這些工藝參數一般包括曝光能量、聚焦值及掩模圖形尺寸，這些參數的變化範圍由工藝水平決定，一般由fab提供。PV band的計算方法：在工藝視窗中不同位置處做光刻仿真，計算出光刻膠上的圖形，如圖2所示。圖2中只考慮了曝光劑量(dose)和聚焦值(focus)的變化，右側灰色區域對應PV band，即光刻工藝參數變化導致的光刻膠上圖形的變化範圍。
圖2 PV band計算圖
圖3的綠色和黃色區域就是PWOPC軟體計算出的工藝變化頻寬，它們代表了曝光能量、聚焦度和掩模上圖形尺寸的變化。可以看出，這種工藝不穩定導致的曝光偏差主要發生在二維圖形處。圖3是一個典型光刻圖形的工藝變化頻寬計算結果。工藝的不穩定性線上條的端點處導致了約15nm的差別。光刻工藝變化頻寬太大就意味著曝光時設備和工藝的不穩定性會導致較大的曝光偏差。
圖3
圖3 中（a）正常OPC後的結果（（a）中綠色區域表示工藝參數變化導致的CD變化）和（b）PWOPC處理後的結果（（b）圖中黃色區域表示工藝參數變化導致的CD變化）
圖4
圖4 OPC計算出的光刻工藝變化頻寬（圖中粉色部分）
