嵌入式系統中的輻射效應

內容簡介

本書由法國TIMA實驗室的RaoulVelazco、法國波爾多第壹大學的PascalFouillat和巴西南里奧格蘭德聯邦大學的RicardoReis共同編著，從環境、效應、測試、評價、加固和預計等方面全面詳細介紹了嵌入式系統中的輻射效應，主要內容包括空間輻射環境、微電子器件中的輻射效應、電子器件的在軌飛行異常、多層級故障效應評估、基於脈衝雷射的單粒子效應測試和分析技術、電路的加固方法及自動化工具、輻射效應試驗測試設備以及數字架構的錯誤率預計方法等。本書內容全面、豐富且針對性強，覆蓋了電子器件及系統輻射效應的方方面面。區別於其他電子系統輻射效應論著，本書從工程化的角度論述空間輻射效應評估、地面模擬、軟錯誤率預計等技術以及國際上目前先進的研究方法論，同時兼具基礎性和理論性。本書適合專業從事電子器件及系統輻射效應研究的科研人員和工程化套用的技術人員閱讀和借鑑；同時，也可為該領域的“新人”（如研究生）提供必備的基礎知識。

作者簡介

本書的翻譯和校對工作主要由工業和信息化部電子第五研究所電子元器件可靠性物理及其套用技術重點實驗室的輻射效應研究團隊完成。

圖書目錄

譯者序

原書前言

第1章　空間輻射環境1

1.1　空間輻射效應1

1.1.1　空間輻射環境：范艾倫帶、太陽耀斑、太陽風和宇宙射線1

1.1.2　劑量效應：產生原因、對電子器件的影響、輻射強度4

1.1.3　位移效應：產生原因、對電子器件的效應、輻射強度5

1.1.4　重離子效應：產生原因、對電子器件的效應、輻射強度5

1.1.5　質子效應：產生原因（直接或間接）、對電子器件的效應、輻射強度6

1.2　其他效應7

1.2.1　原子氧：來源和效應7

1.2.2　太陽紫外線：來源和效應7

1.2.3　微流星體：來源和效應8

1.2.4　軌道碎片：來源和效應8

參考文獻9

第2章　微電子器件的輻射效應10

2.1　引言10

2.1.1　長期效應10

2.1.2　瞬態效應11

2.2　MOS器件12

2.2.1　閾值電壓漂移12

2.2.2　退化效應14

2.2.3　亞閾斜率15

2.2.4　MOSFET的泄漏電流15

2.3　雙極型器件17

2.3.1　簡介17

2.3.2　電流成分17

2.3.3　射－基間耗盡區的複合效應18

2.3.4　中立基區的複合效應18

2.3.5　電流增益19

2.4　單粒子效應20

2.4.1　引言20

2.4.2　仿真方法21

2.4.3　器件級效應22

嵌入式系統中的輻射效應

基本介紹

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